近年来,在国家相关政策支持下,应用于新能源领域的功率模块迎来了增长新契机。而SiC碳化硅模块以其卓越性能,成为新能源核心赛道的“佼佼者”。碳化硅模块的性能提升对于新能源热管理优化至关重要,而EXSENSE打线门极电阻,在碳化硅模块性能升级过程中的作用不可或缺。
相较于传统的功率模块,SiC碳化硅模块凭借其宽禁带在高频率、高电流、高温、高压等工作环境中展现出高击穿场强、低功率损耗、高开关频率等优越性能。由于新能源对于功率模块有着更高的性能要求,EXSENSE打线门极电阻能够帮助碳化硅模块提高工作效率,迎合行业需求。其主要优势在于:
一、低电阻温度系数(TCR,Temperature Coefficient Of Electric Resistance):这意味着在温度波动环境下,打线门极电阻的电阻值受温度影响小,这对于需要稳定运行的碳化硅模块尤为重要;
二、高精度:打线门极电阻的精度可达1%,有助于提升碳化硅模块运行时的精确度;
三、高稳定:打线门极电阻在高温环境下的老化漂移率低,保证了碳化硅模块长期工作的高可靠。
具体地,打线门极电阻在碳化硅模块中通过邦定工艺与SiC芯片进行电连接,有效消除导通时源极电感对栅极电压的影响,碳化硅模块不会因此降低开关导通速度,从而可减少导通损耗。且门极电阻尺寸小,在模块设计布局中能够提高空间利用率,使功率密度更高。EXSENSE打线门极电阻凭借其出色的产品特性,为碳化硅模块的设计和性能优化提供了有力的支持。
审核编辑 黄宇
-
SiC
+关注
关注
32文章
3921浏览量
70360 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3577浏览量
52751
发布评论请先 登录
onsemi碳化硅肖特基二极管PCFFS40120AF的特性与应用解析
碳化硅 (SiC) 功率模块门极驱动技术:精密电压钳位与 DESAT 短路保护的设计细节
BTP1521P构建SiC碳化硅MOSFET门极隔离驱动电源供电方案的技术优势
碳化硅(SiC)功率模块替代IGBT模块的工程技术研究报告
双脉冲测试技术解析报告:国产碳化硅(SiC)功率模块替代进口IGBT模块的验证与性能评估
基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南
倾佳电子全碳化硅 (SiC) MOSFET 设计户储逆变器如何助力安全性提升的深度研究报告
SiC碳化硅功率半导体:电力电子行业自主可控与产业升级的必然趋势
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE
基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案
基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案
打线门极电阻,助力SiC碳化硅模块性能提升
评论