选择强茂最新的P沟道MOSFET有效简化您的车用设计电路并提升性能。强茂车用P沟道MOSFET设计有效降低RDS(ON),以利最小化传导损失,确保最佳功率和效率,同时最大化雪崩耐受能力和空间利用率。
通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C,强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择,可实现简化电路而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
使用强茂先进P沟道MOSFET升级您的汽车设计,简化、优化并提升电路性能!
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原文标题:选择强茂P沟道低压 MOSFET,简化您的车用电路设计
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