0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

WOLFSPEED 来源:WOLFSPEED 2025-09-22 09:31 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Wolfspeed 全球范围内的专利突破 2,300 项

推动碳化硅技术进步与行业可持续发展

碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来,它是建立在数十年的创新基础之上。近四十年来,Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五年中,我们的专利申请量就增长了约 200%。Wolfspeed 强大的知识产权组合支撑着材料和器件方面的关键突破,这些突破使得碳化硅 (SiC) 技术得以实现大规模商用。

凭借着全球范围内的 2,300 多项已授权专利和在审专利,Wolfspeed 正在不懈地追求一个更快速、更环保、更可持续的世界,为人们实现更美好的生活贡献自己的力量。Wolfspeed 的知识产权组合是最具基础性的专利,代表了推进碳化硅 (SiC) 材料和器件实现大规模商用的关键突破,是当今诸多产业发展的重要基石。从材料科学到器件架构,Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 知识产权体系正在有效助力下一代电力和能源解决方案的构建。

Wolfspeed 已投入大量资源开发新技术,以引领从硅 (Si) 半导体器件向基于碳化硅 (SiC) 的半导体器件的产业转型。我们的努力正在塑造半导体市场的未来:向电动汽车的转型、可再生能源和储能的发展,以及受益于这些宽禁带半导体材料先进特性的工业应用的进步。Wolfspeed 持续投资于研发,以支持新产品开发并促进市场增长,并通过强大的专利体系来保障技术创新并推动行业可持续发展。

关于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)在全球范围内推动碳化硅技术采用方面处于市场领先地位,这些碳化硅技术为全球最具颠覆性的创新成果提供了动力支持。作为碳化硅领域的引领者和全球最先进半导体技术的创新者,我们致力于为人人享有的美好世界赋能。Wolfspeed 通过面向各种应用的碳化硅材料、功率模块、分立功率器件和功率裸芯片产品,助您实现梦想,成就非凡(The Power to Make It Real)。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29999

    浏览量

    258434
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3319

    浏览量

    51729
  • Wolfspeed
    +关注

    关注

    0

    文章

    86

    浏览量

    8424

原文标题:Wolfspeed全球范围内的专利突破2300项,推动碳化硅技术进步与行业可持续发展

文章出处:【微信号:WOLFSPEED,微信公众号:WOLFSPEED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Wolfspeed发布E4MS系列分立式碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 宣布推出最新的车规级 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发, 为汽车车载充电器、DC/DC 转换器、电子压缩机和加热与冷却系统等应用提供了
    的头像 发表于 11-30 16:14 522次阅读

    Wolfspeed发布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发,为硬开关应用提供了优异的性能。
    的头像 发表于 11-30 16:13 490次阅读

    Wolfspeed发布新型车规级塑封碳化硅功率模块

    Wolfspeed 宣布推出采用其第四代 (Gen 4) 技术的新型车规级塑封碳化硅功率模块(TM4),专为电动汽车牵引逆变系统设计,可根据具体需求灵活优化系统性能。
    的头像 发表于 11-20 09:13 1187次阅读

    禾望电气选择 Wolfspeed,凭借先进的碳化硅技术助力风能未来

    此次合作助力禾望电气推出风电行业首个全碳化硅功率柜 创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司(禾望电气
    的头像 发表于 11-11 15:01 173次阅读

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅
    的头像 发表于 09-11 09:12 1295次阅读

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MO
    的头像 发表于 08-11 16:54 2203次阅读

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术
    发表于 06-25 09:13

    国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

    Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
    的头像 发表于 06-19 16:43 692次阅读

    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

    Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起:国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落:技术霸权崩塌的深
    的头像 发表于 05-21 09:49 996次阅读
    全球产业重构:从<b class='flag-5'>Wolfspeed</b>破产到中国SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体崛起

    东升西降:从Wolfspeed危机看全球SiC碳化硅功率半导体产业链重构

    的此消彼长。这一现象不仅是企业个体的兴衰,更是技术迭代、政策支持、市场需求与资本流向共同作用的结果。以下从多个维度解析这一“东升西降”的产业格局演变。 Wolfspeed的危机标志着欧美SiC碳化硅功率半导体产业链在政策韧性、成
    的头像 发表于 03-31 18:03 878次阅读

    为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡?

    碳化硅具备多项技术优势(图1),这使其在电动汽车、数据中心,以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角,成为众多应用中的新兴首选技术。 表1 硅器件(Si)与碳化硅
    发表于 03-12 11:31 851次阅读
    为什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以轻松<b class='flag-5'>实现</b>硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的过渡?

    CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示

    中国碳化硅衬底材料从受制于人到实现自主突破的历程,以及由此对国产碳化硅功率半导体企业的启示,可以归纳为以下几个关键点:  一、从垄断到突破:中国碳化硅材料的逆袭之路 CREE(
    的头像 发表于 03-05 07:27 1213次阅读
    CREE(<b class='flag-5'>Wolfspeed</b>)的垄断与衰落及国产<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底崛起的发展启示

    Wolfspeed第4代碳化硅技术解析

    本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wol
    的头像 发表于 02-19 11:35 1605次阅读
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>第4代<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技术</b>解析

    碳化硅薄膜沉积技术介绍

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温
    的头像 发表于 02-05 13:49 1807次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉积<b class='flag-5'>技术</b>介绍

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37