物理和化学气相沉积工艺技术介绍
审核编辑：彭静
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
化学
+关注
关注
1文章
83浏览量
20044 -
工艺技术
+关注
关注
0文章
20浏览量
9736
原文标题：物理和化学气相沉积(PVD&CVD)工艺技术详解
文章出处：【微信号：Filter_CN，微信公众号：滤波器】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
半导体“化学气相沉积（CVD）碳化硅（Sic）”工艺技术详解；
如有雷同或是不当之处，还请大家海涵，当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习！ 近年来，负极材料领域的研究热点之一就是化学气相沉积（CVD）碳化硅（Sic）
质量流量控制器在薄膜沉积工艺中的应用
的反复进行，做出堆叠起来的导电或绝缘层。 用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备，制造工艺按照其成膜方法可分为两大类：物理气相沉积(PVD)和
发表于 04-16 14:25
•1049次阅读
SONNET中的工艺技术层介绍
在14版本中，SONNET新引入了一种名为工艺技术层的属性定义层，以实现EDA框架和设计流程的平滑过渡。该工艺技术层实际上是用户创建的EM工程中 的多个属性对象的集合体，其中包括了很多基本属性设置，比如层的命名、物理位置、金属属
发表于 10-08 15:17
•2734次阅读
基于简单的支架多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。
薄膜沉积的现状与挑战
摘要 本文的目的是建立科技锁的技术水平，必须打开科技锁才能将直接大气压等离子体增强化学气相沉积(AP-PECVD)视为工业应用的可行选择。总
物理气相沉积及溅射工艺（PVD and Sputtering）
物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD)工艺是指采用物理方法，如真空蒸发、溅射 （Sputtering）
化学气相沉积工艺（Chemical Vapor Deposition，CVD）
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相
ALD和ALE核心工艺技术对比
ALD 和 ALE 是微纳制造领域的核心工艺技术，它们分别从沉积和刻蚀两个维度解决了传统工艺在精度、均匀性、选择性等方面的挑战。两者既互补又相辅相成，未来在半导体、光子学、能源等领域的联用将显著加速
工商网监
评论