深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 双沟道 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来详细探讨 ON Semiconductor（现 onsemi）推出的 NTTBC070NP10M5L 双沟道 MOSFET，看看它有哪些独特的特性和应用场景。

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产品概述

NTTBC070NP10M5L 是一款双沟道 MOSFET，集成了 N 沟道和 P 沟道，具有 100V 的耐压能力，N 沟道最大连续漏极电流可达 9.5A，P 沟道为 -5A。它采用了 3 x 3 mm 的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。同时，该器件具有低导通电阻 (R{DS(on)}) 和低栅极电荷 (Q{G}) 以及电容，能够有效降低导通损耗和驱动损耗。而且，它是无铅、无卤且符合 RoHS 标准的环保产品。

产品特性

小尺寸设计

3 x 3 mm 的小尺寸封装，为紧凑型设计提供了可能。在如今对电子产品小型化要求越来越高的趋势下，这种小尺寸的 MOSFET 能够节省电路板空间，使得设计更加紧凑。

低损耗特性

• 低 (R_{DS(on)})： 可以有效减少导通损耗，提高电路的效率。在功率转换应用中，低导通电阻意味着更少的能量损耗，从而降低发热，提高系统的可靠性。
• 低 (Q_{G}) 和电容： 有助于减少驱动损耗，降低对驱动电路的要求。这使得在设计驱动电路时更加简单，同时也能提高开关速度。

环保特性

无铅、无卤且符合 RoHS 标准，满足了环保要求，符合现代电子产品对绿色环保的趋势。

典型应用

该 MOSFET 适用于多种应用场景，包括：

• 电动工具和电池驱动的吸尘器： 在这些设备中，需要高效的功率转换和紧凑的设计，NTTBC070NP10M5L 的小尺寸和低损耗特性正好满足了这些需求。
• 无人机和物料搬运设备： 对于无人机和物料搬运设备，对功率密度和效率要求较高，该 MOSFET 能够提供稳定的功率输出。
• 电机驱动和家庭自动化： 在电机驱动和家庭自动化系统中，需要精确的控制和高效的功率转换，NTTBC070NP10M5L 可以满足这些要求。

电气特性

最大额定值

参数	Q1	Q2	单位
漏源击穿电压 (V_{(BR)DSS})	100	-100	V
栅源电压 (V_{GS})	±20	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	9.5	-5	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	14	10	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	33	33	A
工作结温和存储温度范围	(-55) 至 (+150^{circ}C)

N 沟道电气特性

• 关断特性： 包括漏源击穿电压、漏源击穿电压温度系数、零栅压漏极电流和栅源泄漏电流等参数。
• 导通特性： 如栅极阈值电压、漏源导通电阻、正向跨导等。
• 电荷和电容特性： 输入电容、输出电容、反向传输电容和总栅极电荷等。
• 开关特性： 开启延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间等。

P 沟道电气特性

与 N 沟道类似，也包含关断特性、导通特性、电荷和电容特性以及开关特性等参数。

典型特性曲线

文档中提供了丰富的典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压和漏极电流的关系、导通电阻随温度的变化、电容变化、栅源电压与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、安全工作区以及结到环境的瞬态热响应等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 MOSFET 在不同条件下的性能，从而进行合理的设计。

订购信息

NTTBC070NP10M5L 采用 8FL 封装，每盘 3000 个，采用带盘包装。对于带盘规格的详细信息，可以参考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

注意事项

在使用 NTTBC070NP10M5L 时，需要注意以下几点：

• 应力超过最大额定值可能会损坏器件，因此在设计电路时要确保工作条件在额定范围内。
• 文档中给出的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间变化，因此所有工作参数都需要由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
• 该产品不适合用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果购买或使用该产品用于这些非预期或未经授权的应用，买家需要承担相应的责任。

总之，NTTBC070NP10M5L 是一款性能出色的双沟道 MOSFET，具有小尺寸、低损耗和环保等优点，适用于多种应用场景。在实际设计中，工程师需要根据具体需求合理选择和使用该器件，以确保电路的性能和可靠性。你在使用 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。