NP60P02G 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP60P02G采用了先进的沟槽技术
提供卓越的RDS(ON)
一般特征
较低的门
电荷。它可以用于各种各样的应用。
VDS = -20v id
R
= -60
DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS
R
= -4.5 v
DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS
为超低R设计的高密度电池
= -2.5 v
充分描述雪崩电压和电流
DS(上)
稳定性好，均匀性好，E值高
优秀的包装，良好的散热
作为
应用程序
负荷开关
包
- 252 - 2 - l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
2:设计保证，不经生产检验。
热特性
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
单片机
+关注
关注
6074文章
45340浏览量
663617 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
9424浏览量
229657
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
选型手册：VS3510AE P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3510AE是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。一、产品基本信息器件类型：
选型手册：VS3508AP P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS3508AP是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压负电源切换、电源路径
选型手册：VSP007P06MS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET技术解析与应用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET是一种单通道、-30V MOSFET
基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET数据手册的技术分析
安森美NTTFD1D8N02P1E N沟道MOSFET是一款双通道25V电源夹非对称器件。该N沟道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4m
onsemi NTK3139P P沟道功率MOSFET深度解析与技术应用指南
极-源极电压 (V ~DSS~ ) 额定值为-20V，连续漏极电流 (I ~D~ ) 额定值为-780mA（T~A~ =+25°C时）。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低阈值电平，在
选型手册：MOT3712G P 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET，凭借-30V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于PWM应用、
选型手册：MOT3650J N+P 增强型 MOSFET 晶体管
、产品基本信息器件类型：N+P增强型MOSFET（同时集成N沟道与P沟道单元）核心参数：N沟道：漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：30V
选型手册：MOT2718J P - 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-沟道增强型功率MOSFET，凭借-20V耐压、低导通电阻及高效功率处理能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等场景。一、产品基本信
选型手册：MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、18A大电流承载
LT8649SY 20V互补增强型功率MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LT8649SY 20V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 03-26 16:11
•0次下载
LT9004ESS 20V共漏双通道N沟道MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LT9004ESS 20V共漏双通道N沟道MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 03-26 15:54
•0次下载
LT40P150FJC P沟道增强型功率MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LT40P150FJC P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 03-07 11:28
•0次下载
工商网监
评论