基于RM6604NDL+RM3405SH的氮化镓功率集成快充方案

高效率、低成本

30W A+C双口

氮化镓 功率集成快充方案

RM6604NDL+RM3405SH

随着苹果将快充功率推高到27W，30W PD快充已成为下一个风口;同时伴随着用户各种智能设备的增加，单口充电器已无法满足多设备同时充电的需求，故而具备多口输出的小体积快速充电器逐渐成为用户新的追求。至于如何才能将快充体积做的更小，发热控制的更低，并且成本控制的更为优异？这就需要我们芯片原厂从芯片设计的源头来满足。

为了解决这些难题，满足用户需求，亚成微推出了30W A+C双口氮化镓（GaN）功率集成快充方案，该方案基于氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL+ 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片组合，通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，具有高效率、小体积、低成本等特点，可有效帮助快充电源厂商加速中小功率快充量产并节省物料成本。

氮化镓功率集成电源芯片 - RM6604NDL

高性能同步整流芯片 - RM3405SH

1.DEMO结构展示

2.方案芯片介绍

氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL

支持 CCM/QR 混合模式

内置 650V GaN HEMT，内置 700V 高压启动

特有抖频技术改善 EMI；Burst Mode 去噪音

低启动电流（2uA）和低工作电流

集成斜坡补偿

集成输入 Brown out/in 功能

外置 OVP 保护

具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护

内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护

采用DFN5*6封装

1高性能同步整流控制芯片RM3405SH

支持DCM、准谐振、CrCM和CCM模式

输出电压直接供给VCC

低静态电流

CCM操作的快速驱动程序功能

适用PSR和SSR电源管理芯片

工作频率200KHz

宽VDD工作电压

驱动抗干扰功能

具有驱动欠压保护和过压钳位功能

采用SOP8 封装

3.方案原理图

4.效率&待机功耗测试

效率测试

待机功耗

5.纹波测试

空载纹波

重载纹波

6.温升测试（25°恒温下持续1小时测试）

输入电压 90V

输入电压 264V

7.传导测试

230V输入

20V/1.5A（L）测试结果

230V输入

20V/1.5A（N）测试结果

原文标题：高效率、低成本｜30W A+C双口 氮化镓功率集成快充方案

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审核编辑：汤梓红