瑞能半导体推出第三代G3肖特基二极管

肖特基二极管因为几乎没有反向恢复trr。因此，可以在很高开关频率下运行，而VF又非常小，受到电源工程师的广泛青睐。不过，因为反向漏电流IR大，如下图1 所示，所以不适合用作高耐压元件，通常最高耐压可达200V。

图1：不同二极管的静态输出特性

瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管，电压范围覆盖45V/65V/100V/150V，产品组合丰富，多种封装 TO220/TO220F/ DPAK 可供客户选用。

G3 肖特基二极管，采用新一代的 TMBS 结构设计，实现超低VF和较小IR的完美组合，可以广泛应用于高频 SMPS 电源，PC适配器，照明，车载 DC/DC 转换器。

G3 肖特基二极管的市场应用

高频 SMPS 电源

适配器

照明

车载 DC/DC 转换器

G3 肖特基二极管的性能和优势

TMBS 结构设计，实现超低VF和较小漏电流的完美组合

低IR，最高结温可达150℃

低VF，带来更低的功率损耗，提高系统的效率

较强的正向浪涌冲击能力

覆盖 45V/65V/100V/150V 的工作电压范围

丰富的产品组合，提供有多种封装可供选择：TO220/TO220F/DPAK

静态特性对比

图2：G3 SBD 在125℃的IF-VF特性

图2 给出了G3 SBD 在125℃的IF-VF特性。我们选择了一款市面上通用的45V 30A 肖特基二极管竞品A，作为瑞能 WN3S3045C 的对比对象。

在125℃，15A的电流条件下，竞品A的导通压降为0.53V，而瑞能第三代肖特基 WN3S3045C导通压降仅为0.47V。

和竞品A相比，WN3S3045C 降低了11.1%的导通压降，带来更低的功率损耗，提升系统的效率。

效率测试

图3：DC/DC电源在不同负载条件下效率对比

我们在一款 DC/DC 电源上进行了对比测试。在效率对比测试中，除了更换测试用的肖特基二极管，其他的条件均不变。测试环境采用DC/DC 电源，输入电压为310VDC ，输出电压 （VOUT） 为3.3VDC，最大输出功率： 65W，拓扑结构：反激式电路，载波频率：100kHz。测试环境温度为25 ℃。

图3 给出了 DC/DC 电源在不同负载条件下效率对比。分别测试了25%负载到100%负载的系统效率以及系统损耗。从图3 可以看出，和竞品A相比，瑞能半导体的 G3 SBD WN3S3045C 在100%负载条件下，效率达到73.3%，效率显著提升。

图4：满载条件下

WN3S3045C的温升

图5：满载条件下

竞品A的温升

图4 和图5 给出了满载条件下， WN3S3045C 和竞品A 的温升的情况，对比可以看出，在满载情况下，WN3S3045C 的温升比竞品A 降低了7℃，这主要得益于瑞能 G3 SBD 优异的超低导通压降VF的特性。

结论

瑞能G3 SBD 肖特基二极管，采用最新的 TMBS 技术，实现超低VF和较小漏电流的完美组合，更低的正向导通压降VF，意味着更低的功率损耗，提升系统的效率，更低的漏电流，最高的结温可达150℃，并具有较强的正向浪涌冲击能力。

多种封装结构如采用行业标准TO220 封装，TO220F，DPAK 可以满足众多工程师不同设计的需求，并且所有封装类型均按照瑞能半导体高品质高标准要求进行测试，广泛满足工业应用要求，特别适合高频SMPS，电源适配器，照明电源，车载 DC/DC 转换器等应用。

审核编辑：彭菁