onsemi UJ3D1250K2碳化硅二极管:高性能解决方案
在电力电子领域,碳化硅(SiC)二极管凭借其卓越性能,正逐渐成为高频率、高效率电源系统的理想选择。今天,我们就来深入剖析 onsemi 推出的第三代高性能 SiC 合并 PiN - 肖特基(MPS)二极管 UJ3D1250K2。
文件下载:UJ3D1250K2-D.PDF
产品概述
onsemi 的 UJ3D1250K2 属于第三代 SiC MPS 二极管,具备零反向恢复电荷和 175°C 的最高结温。这些特性使其非常适合高频、高效的电力系统,同时对冷却的要求较低。
产品特性
高温性能
该二极管的最高工作温度可达 175°C,这意味着它能够在较为恶劣的环境下稳定工作,减少了因温度过高导致的性能下降和故障风险。在实际应用中,高温环境是许多电子设备面临的挑战,UJ3D1250K2 的这一特性无疑为工程师提供了更多的设计灵活性。
易于并联
易于并联的特性使得多个二极管可以方便地组合使用,以满足更高功率的需求。这对于需要大功率输出的电源系统来说至关重要,工程师可以根据实际需求灵活配置二极管的数量。
超快开关速度
其开关速度极快,且不受温度影响。这一特性有助于提高电源系统的效率,减少开关损耗,从而提升整个系统的性能。在高频应用中,超快的开关速度可以显著降低开关过程中的能量损失。
无反向或正向恢复
无反向或正向恢复意味着二极管在开关过程中不会产生额外的能量损耗,进一步提高了系统的效率。这对于追求高效率的电源设计来说是一个重要的优势。
增强的浪涌电流能力
采用 MPS 结构,经过 100% UIS 测试,具有增强的浪涌电流能力。这使得二极管能够承受瞬间的高电流冲击,保护系统免受浪涌的损害。
环保合规
该器件无卤素,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连为无铅 2LI,符合环保要求。在当今注重环保的时代,这一特性使得产品更具竞争力。
典型应用
UJ3D1250K2 的典型应用广泛,包括功率转换器、工业电机驱动器、开关模式电源和功率因数校正模块等。在这些应用中,其高性能特性能够充分发挥作用,提高系统的效率和可靠性。
产品参数
最大额定值
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 直流阻断电压 | VR | 1200 | V | |
| 重复峰值反向电压(TJ = 25°C) | VRRM | 1200 | V | |
| 浪涌峰值反向电压 | VRSM | 1200 | V | |
| 最大直流正向电流 | IF | TC = 112°C | 50 | A |
| 非重复正向浪涌电流(正弦半波) | FSM | TC = 25°C, tp = 10 ms | 275 | A |
| 重复正向浪涌电流(正弦半波,D = 0.1) | IFRM | TC = 25°C, tp = 10 ms | 163.5 | A |
| TC = 110°C, tp = 10 ms | 99.6 | |||
| 非重复峰值正向电流 | IF, max | TC = 25°C, tp = 10 μs | 2400 | A |
| TC = 110°C, tp = 10 μs | 2400 | |||
| i²t 值 | jidt | TC = 25°C, tp = 10 ms | 378 | A²s |
| 功率耗散 | Ptot | TC = 25°C | 319 | W |
| TC = 112°C | 134 | |||
| 最大结温 | TJ, max | 175 | °C | |
| 工作和存储温度 | TJ, TSTG | -55 至 175 | °C | |
| 焊接温度(仅允许引脚波峰焊) | Tsoid | 距外壳 1.6 mm 处 10 s | 260 | °C |
热特性
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 结到外壳的热阻 | RUC | 0.36 | 0.47 | °C/W |
电气特性(TJ = +25°C,除非另有说明)
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向电压 | IF = 50 A, TJ = 25°C | 1.5 | 1.7 | V | |
| IF = 50 A, TJ = 150°C | 1.95 | 2.4 | |||
| IF = 50 A, TJ = 175°C | 2.2 | 2.7 | |||
| 反向电流 | VR = 1200 V, TJ = 25°C | 54 | 400 | μA | |
| VR = 1200 V, TJ = 175°C | 900 | ||||
| 总电容电荷(注 1) | VR = 800 V | 240 | nC | ||
| 总电容 | VR = 1 V, f = 1 MHz | 2340 | pF | ||
| VR = 400 V, f = 1 MHz | 224 | ||||
| VR = 800 V, f = 1 MHz | 198 | ||||
| 电容存储能量 | VR = 800 V | 72 | μJ |
注:(Q{C}) 与 (T{J})、(diF/dt) 和 (I) 无关,如应用笔记 AND90316/D 所示。
封装与订购信息
UJ3D1250K2 采用 TO247 - 2 封装,为无铅、无卤素封装。每管包装 600 个单位。详细的订购和运输信息可在数据手册的第 4 页查看。
机械尺寸
TO247 - 2 封装的尺寸为 15.90x20.96x5.03,5.44P,具体尺寸参数见数据手册。在进行 PCB 设计时,工程师需要准确掌握这些尺寸信息,以确保二极管能够正确安装和使用。
总结
onsemi 的 UJ3D1250K2 碳化硅二极管以其卓越的性能和丰富的特性,为电力电子工程师提供了一个高性能的解决方案。在设计高频、高效的电源系统时,它无疑是一个值得考虑的选择。不过,在实际应用中,工程师还需要根据具体的需求和条件,对产品的性能进行验证和优化。你在使用碳化硅二极管时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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