安森美FFSH20120A-F085碳化硅肖特基二极管：下一代功率半导体的佼佼者

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率半导体器件至关重要。今天就来深入探讨安森美（onsemi）的FFSH20120A - F085碳化硅（SiC）肖特基二极管，看看它为何能成为下一代功率半导体的代表。

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一、产品概述

FFSH20120A - F085是一款额定电流20A、耐压1200V的碳化硅肖特基二极管，采用TO - 247 - 2L封装。与传统的硅基二极管相比，碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。

二、技术亮点

卓越的开关性能

该二极管不存在反向恢复电流，其开关特性不受温度影响，这使得它在高频应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。大家可以思考一下，在高频电路设计中，这种特性会为我们带来哪些具体的优势呢？

良好的热性能

其最大结温可达175°C，并且具有正温度系数，易于并联使用。这意味着在高温环境下，二极管也能稳定工作，同时多个二极管并联时能更好地实现均流，提高系统的可靠性和功率密度。想象一下，在一些对散热要求较高的应用场景中，这种热性能会如何发挥作用呢？

高可靠性

雪崩额定能量为210mJ，具有高浪涌电流能力，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。这表明该二极管在恶劣的工作条件下也能保持稳定，适用于对可靠性要求极高的汽车等领域。

环保特性

此器件为无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准，符合当前环保的发展趋势。

三、关键参数

绝对最大额定值

• 峰值重复反向电压（VRRM）：1200V，这决定了二极管在反向偏置时能够承受的最大电压。
• 单脉冲雪崩能量（EAS）：210mJ（基于起始结温25°C、L = 0.5mH、IAS = 29A、V = 50V），体现了二极管在承受瞬间高能量冲击时的能力。
• 连续整流正向电流（IF）：在不同的结温条件下有不同的值，如在TC < 158°C时为20A，TC < 135°C时为30A。
• 非重复峰值正向浪涌电流（IF, Max）：在TC = 25°C、10s时为1190A，TC = 150°C、10s时为990A。

热特性

热阻（RJC），即结到外壳的最大热阻为0.55°C/W，这一参数对于散热设计非常重要，工程师们在设计散热系统时需要充分考虑。

电气特性

• 正向电压（VF）：在不同的电流和温度条件下有所不同，如IF = 20A、TC = 25°C时，VF在1.45 - 1.75V之间。
• 反向电流（IR）：随着温度的升高而增大，如VR = 1200V、TC = 25°C时为200μA，TC = 175°C时为400μA。
• 总电容电荷（QC）：在V = 800V时为120nC。
• 总电容（C）：在不同的反向电压和频率条件下有不同的值，如VR = 1V、f = 100kHz时为1220pF。

四、应用领域

该二极管适用于汽车混合动力电动汽车（HEV - EV）车载充电器和HEV - EV DC - DC转换器等领域。在汽车电子不断发展的今天，对功率半导体的性能和可靠性要求越来越高，FFSH20120A - F085正好满足了这些需求。

五、封装与订购信息

采用TO - 247 - 2LD封装，每管装30个。在订购时，大家可以参考数据手册第2页的详细订购和运输信息。

六、总结

安森美FFSH20120A - F085碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能、高可靠性和环保特性，在功率半导体市场中具有很大的优势。对于电子工程师来说，在设计汽车电子、高频电源等应用时，这款二极管是一个值得考虑的选择。大家在实际应用中，还需要根据具体的设计需求，仔细评估其各项参数，以确保系统的性能和可靠性。

在上述博文中，我们详细介绍了安森美FFSH20120A - F085碳化硅肖特基二极管的各项特性和参数。不过，为了让大家更直观地了解其在实际中的应用效果，我尝试搜索了该二极管的应用案例，但很遗憾未找到相关内容。如果你在实际设计中使用过这款二极管，欢迎分享你的经验和案例，让我们一起探讨如何更好地发挥其性能。同时，如果你有其他关于功率半导体器件的问题，也可以随时交流。