晶瑞顺利购得 ASML XT 1900 Gi 型光刻机一台，可研发最高分辨率达 28nm 的高端光刻胶
晶瑞股份发布公告：经多方协商、积极运作，该公司顺利购得 ASML XT 1900 Gi 型光刻机一台。
该光刻机于 2021 年 1 月 19 日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室，即将组织调试。此外，这款 ASML XT 1900 Gi 型 ArF 浸入式光刻机可用于研发最高分辨率达 28nm 的高端光刻胶。
IT之家了解到，晶瑞股份于 2020 年 9 月 28 日晚发布公告称，将开展集成电路制造用高端光刻胶研发项目，拟通过 Singtest Technology PTE. LTD. 进口韩国 SK Hynix 的 ASML 光刻机设备，总价款为 1102.5 万美元（折合 7508 万人民币）。
ASML XT 1900 Gi 型光刻机并非先进工艺光刻机，但也实属不易，在这关键时刻也算意义重大。
以下为官方原文：
责任编辑：PSY
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
光刻机
+关注
关注
31文章
1202浏览量
49074 -
ASML
+关注
关注
7文章
741浏览量
43680 -
晶瑞
+关注
关注
0文章
10浏览量
7134
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
中国打造自己的EUV光刻胶标准！
其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。 以光刻胶为例，这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程芯片 时代，不仅需要EUV光刻机
俄罗斯亮剑：公布EUV光刻机路线图，挑战ASML霸主地位？
电子发烧友网报道（文/吴子鹏） 在全球半导体产业格局中，光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”，而极紫外（EUV）光刻技术更是先进制程芯片制造的核心。长期以来，荷兰 ASML 公司几乎垄断
AI需求飙升！ASML新光刻机直击2nm芯片制造，尼康新品获重大突破
*1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板级封装（FOPLP）技术为何会获得台积电、三星等代工大厂的青睐？比较传统的光刻机设备，尼康DSP-100的技术原理有何不同？能解决AI芯片生产当中
台阶仪在集成电路制造中的应用：高端光刻胶材料纯化研究进展
随着集成电路制程节点不断向纳米尺度迈进，光刻技术已从紫外全谱（g线、i线）发展到深紫外（KrF、ArF）乃至极紫外（EUV）光源。光刻胶作为光刻工艺的核心材料，其纯度直接影响光刻图案的
光刻胶液体吸收行为的椭圆偏振对比研究
在浸没式光刻技术中，为提升分辨率而在镜头与晶圆间引入液体介质（如去离子水或高折射率液体），却引发了光刻胶与液体间复杂的物理化学相互作用，成为
国产高精度步进式光刻机顺利出厂
系列。该系列产品主要面向mini/micro LED光电器件、光芯片、功率器件等化合物半导体领域，可灵活适配硅片、蓝宝石、SiC等不同衬底材料，满足多样化的胶厚光刻工艺需求。 WS180i系列
光刻胶剥离工艺
（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等强极性溶剂溶胀并溶解光刻胶分子链，适用于传统g线/i线正胶体系。例如，NMP因低蒸气压可加热至80℃以增强对交联型光刻胶的去除能力
光刻胶旋涂的重要性及厚度监测方法
在芯片制造领域的光刻工艺中，光刻胶旋涂是不可或缺的基石环节，而保障光刻胶旋涂的厚度是电路图案精度的前提。优可测薄膜厚度测量仪AF系列凭借高精度、高速度的特点，为
国产百吨级KrF光刻胶树脂产线正式投产
电子发烧友网综合报道 近日，八亿时空宣布其KrF光刻胶万吨级半导体制程高自动化研发/量产双产线顺利建成，标志着我国在中高端光刻胶领域的自
国产光刻胶突围，日企垄断终松动
厚胶量产到ArF浸没式胶验证，从树脂国产化到EUV原料突破，一场静默却浩荡的技术突围战已进入深水区。 例如在248nm波长的KrF光刻胶
ASML官宣：更先进的Hyper NA光刻机开发已经启动
电子发烧友网综合报道，日前，ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 表示，ASML 已携手光学组件独家合作伙伴蔡司，启动了 5nm 分辨率的 Hyper NA
发表于 06-29 06:39
•2200次阅读
针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言 在晶圆上芯片制造工艺中，光刻胶剥离是承上启下的关键环节，其效果直接影响芯片性能与良率。同时，光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于
金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物应用及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言 在半导体及微纳制造领域，光刻胶剥离工艺对金属结构的保护至关重要。传统剥离液易造成金属过度蚀刻，影响器件性能。同时，光刻图形的精确测量是保障工艺质量的关键。本文将介绍金属低蚀刻率光刻胶
减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
干涉仪在光刻图形测量中的应用。 减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法 优化光刻胶材料选择 选择与半导体衬底兼容性良好的光刻胶材料，可
光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料，其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时，精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大，白光干涉仪为此提供了
评论