受内存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力士增30.1%,美光增13%

　　在整个今年的DRAM供求中，由于内存价格涨势，三星、SK海力士、美光都大丰收了一次，内存业务屡创新高，大面积的供不应求，致使三星等内存厂商将扩大生产，以求供应2018年的需求。

　　根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查显示，在北美数据中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器内存市场需求，Server DRAM供不应求的情形在第三季度更为显著。受到平均零售价（Average Selling Price）垫高带动，三大DRAM原厂第三季营收成长约25.2%。

　　DRAMeXchange分析师刘家豪指出，进入第四季，在服务器出货动能不减的情况下，整体Server DRAM供不应求的状况将更为明显，Server DRAM第四季合约价将持续上涨6%至10%，可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。

　　三星（Samsung）

　　以目前市场规模来看，三星受惠于整体DRAM市场占有率与制程技术领先，在市场上Server DRAM表现格外亮眼。值得一提的是，三星在高容量模组与布局也相对积极，第三季度整体Server DRAM营收来到25.49亿美元，季增28.4%，占整体市场约45.9%。

　　展望第四季度，来自于服务器的需求将达到今年的顶峰，高容量的模组需求也随着新平台导入进而攀升至年度高点，Server DRAM仍然供不应求。然而，三星现阶段仍然会持续针对各家OEM/ODM调整供货达标率，以达成满足主要客户需求与提高获利水位的目标。

　　制程方面，三星今年Server DRAM仍以20nm产出为主，18nm比重在第四季度将会提升至40%，预期至2018年第一季底将逾五成，逐渐成为主流产品。在高容量芯片的规划上，三星将会在其18nm导入16Gb mono die的设计，目前已送样品至英特尔测试，预计在2018度第二季度导入生产线，预期将大幅改善Server DRAM的成本结构，并有利于高容量模组布局。

　　SK海力士（SK Hynix）

　　受惠于北美数据中心备货需求带动，SK海力士第三季营收较第二季大幅成长30.1%至17.92亿美元，营业利益率也较第二季改善许多。若从制程进展来看，SK海力士Server DRAM仍以21nm为主，而18nm Server DRAM将会在2018年第一季底小量生产，预计在第二季度后产能逐步释放，且随着ODM认证进度与良率改善下，18nm产量比重将会进一步提高。

　　从产能规划来看，SK海力士将会逐渐提高M14 Phase 1的产能以及无锡厂18nm制程转换，其中Server DRAM将占其DRAM产品比重逾三成，部分产能将会随着市场需求而略为调整，以维持获利水平。面对服务器订单的热络，除了产品线调整外，SK海力士也会提高高容量模组如32G与64G的出货占比，预期明年高容量模组的出货将会提升至六成水位。

　　美光（Micron）

　　受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，美光第三季度Server DRAM位出货量较前一季度成长，平均销售单价也有局部的跃升，激励Server DRAM产品营收成长达13%来到12.07亿美元。

　　从产品面来分析，美光在Server DRAM的比重仍然维持在近三成水位，现阶段获利的持续增长完全有赖于内存平均销售单价的提升。展望明年，美光将会随着其17nm进展与改善而进行增产;截至目前，其良率已有进一步提升且已送样，但在Server DRAM产品线的规划上，仍将会视明年第二季后，良率是否能达到经济规模下才会增加投片，现阶段仍然以既有的20nm为主要产品。