手机设备需求强劲 带动第三季度存储的增长

内存价格在第三季度存储产业中持续走软，但在智能型手机出货量受惠于苹果 iPhone 和其他品牌智能型手机备货需求强劲，带动第三季存储位出货量普遍较第二季度成长。

NOR Flash 行业

受惠于物联网和消费性电子产品的需求带动下，第三季 NOR Flash 行业迎来了谷底反转的契机，不仅中高容量价格稳定维持，低容量 NOR Flash 价格跌幅也大幅收敛，特别是在创新需求的无线蓝牙耳机出货量劲扬的带动，对于相关降噪功能算法所需要储存的 NOR Flash 带来了庞大的商机，带动第三季 NOR Flash 产业产值较第二季环比成长 4.3%来到美元 5.7 亿元。

而最值得注意的，兆易创新业绩受惠于打入国际领导无线蓝牙耳机品牌的供应链而持续呈现大幅劲扬的走势，第三季的 NOR Flash 业绩较第二季再度成长 36%，创下连续两个季度营收成长超过 35%的好成绩，同时也创下单季 NOR Flash 达到 1 亿美元，暨上各季度来到第四名后，这个季度更是再进步一名来到了第三名的佳绩，我们预期第四季度兆易创新因无线蓝牙耳机年底销售旺季的带动下将站稳第三名的位置，并且对第二名的位置发起猛烈的追击。

DRAM 行业

虽然第三季各家 DRAM 场平均单季出货量较第二季大幅成长 30%以上，然而第三季度供过于求的市场行情持续，让平均销售单价平均下滑约 18-20%，因此第三季 DRAM 行业产值较第二季成长约 5%来到 155 亿美元，同样也结束连续三个季度下滑的局面。

从各厂商的运营策略来看，各家厂商维持晶圆投片的数量不变，重心落在如何落实 1y/1z 纳米工艺制程的转进以维持明年 15-20%的产出成长率，三星与海力士等韩国厂商的动作较趋一致，产能的优化上，除了持续将部分 DRAM 产能转往逻辑 IC 产品外，三星的平泽厂二号线以及海力士的无锡新厂 C3 等新产线的产能提升进度有递延的迹象，另外美光在***以及日本的 DRAM 产线产能也维持不变。

我们预期第四季的 DRAM 的需求成长率为 15-18%，以符合第四季为智慧手机和 PC 出货的年终出货高峰，平均销售单价缓步走跌的情况下将带动第四季的 DRAM 产值成长约 8-10%的幅度。

NAND Flash 行业

原先第三季之前 NAND Flash 行业供过于求的情况较 DRAM 行业更为严重，平均销售价格从去年第四季到今年第二季以来已经连续三个季度跌幅超过 20%，整体产业链的库存水位也不段攀升，迫使闪存厂商自第一季度底踩剎车开始减产。然而在六月底东芝 / 西数产线停电的影响，让原本过高的库存得以快速的消化外，第三季智能型手机的出货量以及高阶旗舰智能型手机的闪存搭载容量也快速增加至 128GB 以上，而 SSD 在服务器上的需求开始止稳回升、PC 搭载 SSD 的渗透率也容量也因之前跌价幅度较大的影响而有效快速提升，因此整体第三季的市场供需情况改善许多，平均位出货量维持 10%的成长率外，平均销售单价跌幅已快速收敛至 5%，甚至海力士的平均销售单价已出现 4%的增加，让第三季 NAND Flash 行业产值较第二季成长约 9%（为第三季度存储行业当中成长幅度最高的一个子项目），来到 118 亿美元。

从各厂商的运营策略来分析，与 DRAM 行业相同的是，各厂商晶圆产能的扩张速度减缓，新产能的进展多有所递延，原先减产的部分目前也还看不到回升的迹象，除了三星西安厂第二阶段将于明年下半年开始投产（但扩厂幅度将视当时供需状况而定），Kioxia 和西数的新厂 K1 日前也已成厂房建设，机台设备移入中，预期自明年第三季起开始投产。

我们预期第四季的 NAND Flash 的需求成长率为 5%，平均销售单价持稳，足以让第四季的 NAND Flash 产值成长约 10%。