三星计划全面提高DDR5产量，过去一个月上涨5-10%

DDR5成宠儿？     据多家韩媒消息，三星电子计划从今年第四季度开始全面提高DDR5产量。三星主要在平泽厂生产DDR5等最新产品，公司正在考虑提高DDR5生产率的方法。

值得注意的是，此前三星的减产范围主要集中在DDR4及部分NAND闪存产品。公司今年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM，9月又成功开发出2倍容量的32Gb DDR5 DRAM产品。

SK海力士同样也在筹备提高DDR5产品比重。其已在今年5月开发出10nm级第5代（1b）DDR5，供应给英特尔。韩国投资证券分析师预计，由于DDR5需求高涨，拉动产品平均销售单价，SK海力士DRAM业务有望加快转亏为盈，公司整体业绩也有望提前摆脱亏损。

另一存储巨头美光之前也已透露，将加速向DDR5过渡。美光科技在9月末的财报会议上表示，正在出样128 GB DDR5内存模块，采用美光32 Gb DDR5内存芯片。公司预计其DDR5出货量将在2024年第一季度末超过DDR4，超过行业进展速度。

据市场研究公司Omdia预计，今年四季度DDR5销售比例预计将超过20%（基于服务器DRAM），明年这一比例将进一步上升至51%。由于明年发布的大多数服务器和PC平台都支持DDR5，需求将会增加。

价格方面，9月已有业内人士称，DDR5内存模组价格在过去一个月上涨5-10%之后，还将进一步上涨，入门级产品价格也将上涨3-5%。另外，预计高价位DDR5产品将面临供应短缺，领涨DRAM市场。

TrendForce也认为，由于买家情绪的变化，四季度DRAM价格进一步下跌的可能性有限，且PC DRAM合约价的反弹速度将快于预期，预计四季度DDR5合约价格将较上一季度上涨3-8%。

存储器厂南亚科总经理李培瑛指出，近期市场需求已有所改善，预期第四季出货量将进一步增加，在DDR5价格率先调涨后，DDR4与DDR3价格均有机会翻扬，有利于亏损可望收敛。

A股公司中，澜起科技已推进DDR5第二子代RCD芯片量产准备工作，并开展DDR5第三子代RCD芯片量产版本的研发；聚辰股份与澜起科技合作开发配套新一代DDR5内存条的SP产品，为DDR5内存模组不可或缺的组件。

TrendForce 表示，需求方因预期价格反弹，正在增加 DDR5 产品的库存，预计第四季度 DRAM 固定交易价格将保持稳定，但 DDR5 可能会小幅上涨，涨幅最高可达 5%。

另外，野村最新报告指出，随着第二季度出货量增长，第三季度主流存储芯片的价格有望趋于稳定，或将有机会上升。在价格较高的 DDR5、HBM 与 LPDDR5X 出货比重升高带动下，预计第三季度 DRAM 产品平均售价有望提升 5%-10%。

与此同时，TrendForce 预计，DRAM 原厂库存价值降低的损失有望获得改善，Q3 营业利润率有望可以由负转正。外资机构也预期，在产品价格回升的驱动下，整体半导体 10 月营收与去年同期相比，有望转为正增长。

值得注意的是，英特尔新一代消费型笔电平台 Meteor Lake 预计第四季度问世，搭载的 DRAM 便是由 DDR4 升级为 DDR5。

业界指出，英特尔的新平台也宣告着 DDR5 时代终于来临，有望带来新一波 DRAM 采购潮。在未来 AI 计算数据量大增的情况下，更高传输速度、更高容量搭载量的 DDR5 DRAM 将有望全面成为 PC、笔电及服务器的新主流。

如今，全球 DRAM 三巨头美光、三星、SK 海力士均展开筹备，计划在第四季度全面拉高 DDR5 产能。

其中三星规划量产 12 纳米制程的 32Gb DDR5，在相同的封装尺寸上，容量可望翻倍，代表未来同一条 DRAM 模组上，可搭载的容量有望大幅增长；美光预计在明年上半年冲刺 1 β 制程的 32Gb 单片 DRAM 芯片，使未来 128Gb 规格的 DRAM 模组有望顺利问世；SK 海力士则将以 1 β 制程的 DDR5 冲刺市场，公司此前预计，2024 年 HBM 和 DDR5 的销售额有望翻番。

在行业加速发展的背景下，中国半导体存储产业也在快速发展。然而在DDR5 这条赛道，中国还需要面临诸多阻碍。

目前中国众多的内存厂商，大都是从三星、SK海力士和美光这三家厂商中采购DDR5芯片颗粒，再找模组厂商购买内存模组等，然后在工厂组装成DDR5内存条。这是因为我们自身还没有DDR5颗粒的制造能力。

中国缺席DDR5颗粒的原因主要有两方面：一方面是中国大陆半导体存储产业起步较晚，另一方面美国商务部的新一轮技术制裁，也精准的打击了中国正在迅速发展的存储产业。

2022年，美国发布公告称禁止16/14 nm逻辑制程、18 nm以下DRAM制程、128层以上3D NAND制程的机台设备出口到中国。

近日，北京君正在接受机构调研时表示：目前我们的DDR4、LPDDR4最新工艺是25纳米，目前正在研发21nm的产品。我们目前还没有进行DDR5的研发，这需要有非常先进的制程，是美光这类IDM大厂做的，我们和美光的主要产品是差异化竞争的，短时间内还是做DDR4、LPDDR4及以下的产品，但是我们会往更高容量去做。

这也意味着，18 nm以下DRAM制程设备的限制直接制约了国产DRAM公司的DDR5研发进程。不过在DDR5的内存接口方面，澜起科技、聚辰股份等公司已经取得一些成就。如今澜起科技已推进DDR5第二子代RCD芯片量产准备工作，并开展DDR5第三子代RCD芯片量产版本的研发；聚辰股份与澜起科技合作开发配套新一代DDR5内存条的SP产品，为DDR5内存模组不可或缺的组件。

编辑：黄飞