三星计划2021年量产DDR5内存，最高频率可以达到6400 MT/s
近日三星宣布，他们将在2021年正式开始量产DDR5内存，并且使用EUV工艺，制作将会在韩国平泽的新工厂进行。
EUV光刻和现在常用的DUV光刻不同，它使用波长短得多的极紫外光，这就让更精细的光刻成为可能，允许制作更小的晶体管，提升工艺水平，并提升生产效率；三星预计，使用EUV工艺生产DDR5内存，其12英寸D1a晶圆的生产效率会比旧有的D1x工艺的生产力提升一倍，让产能不再是问题。
此外，三星还宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万了，而旗下第四代10nm级（D1a）DRAM或高端14nm级DRAM在未来也会全面导入EUV技术，明年会使用D1a工艺大规模量产DDR5和LPDDR5芯片，预计会使12英寸晶圆厂的生产效率翻倍。
DDR5内存的标准是在2019年发布的，标准带宽是32 GBps，此前Micron则展示了一个DDR5 DRAM的原型，这块DDR5演示模型速率达到了4400 MT/s，根据JEDEC组织的roadmap显示，未来DDR5内存的最高频率可以达到6400 MT/s。
根据英特尔和AMD的路线图，各自下一代服务器产品Ice Lake-SP Xeon和EPYC Milan（Zen3）还都是只支持DDR4内存了，在往后的Sapphire Rapids Xeon和EPYC Genova才会获得对DDR5内存的支持，但全都要道2021年以后。至于民用消费级平台何时能够普及DDR5，那是更有的等了。
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