[译] 尽管DDR5快来了，DDR4还是取得新进展

DDR5暂无发布日期，DDR4正在取得重大进展。

今年夏天初，美光（Micron）和三星（Samsung）等公司宣布了采用DDR5的内存的巨大飞跃。尽管新版本似乎在我们的掌控之中，但仍需要一段时间才能将当前的PC和服务器设计为与DDR5兼容。

同时，为了帮助减缓需求曲线以提高数据速率，DDR4进行了升级，具有更高的密度，更快的速度和更快的响应速度。以下是DDR4的一些最新进展，以保持其3A游戏中的份额。

美光为游戏做好准备

美光的全球计算机内存和存储消费品牌美光Crucial最近宣布了限量版Crucial Ballistix MAX 5100游戏DRAM。该存储设备是为游戏玩家量身打造的Crucial Ballistix产品组合的一部分。

Crucial提供可定制的DRAM模块以及铝制散热器，以最大程度地散热。图片由Micron提供给Crucial

该DRAM模块可以以5,100 MT / s（每秒百万次传输）的速度传输数据，远远超过了行业标准的3,200 MT / s的速度。

美光副总裁兼消费产品总经理Teresa Kelley描述了美光在DDR4方面的发展：“我们是第一个推出DDR4，第一个在游戏DRAM上安装LED的公司，现在我们最新的Crucial Ballistix存储器正在提供通过提供更高的帧频和更好的系统性能，游戏玩家将拥有更锐利的优势。”

SMART Modular Technologies推出NVDIMM

DDR4进步的另一个参与者是SMART Modular Technologies。内存模块，固态存储产品和混合解决方案的开发人员最近分享了有关高密度，非易失性双列直插式内存模块（NVDIMM）的消息。这些模块有16 GB和32 GB版本。这些模块将以DDR4 3,200的速度运行。

NVDIMM对于大量敏感数据传输至关重要，因为在断电或断开电源输入的情况下，NVDIMM会保留所有数据，直到电源恢复。美光公司计算和网络业务的市场营销副总裁Malcolm Humphrey解释说，内存模块是为动态环境设计的。

SMART的内存模块将具有32 GB的高密度，从而可以集成更多芯片并传输更多信号。图片由SMART Modular Technologies提供

他解释说：“需要弹性内存和存储以确保关键任务信息持续可用性的企业将从SMART的NVDIMM中受益。”

SMART的设备将结合美光的DDR4 DRAM技术以及内部制造的高速PCB设计，这些设计可在无限写入耐力下运行。

Lexar成为新玩家，可加快数据速率

Lexar是一家以SSD卡，闪存驱动器，存储卡和读卡器闻名的公司。每种技术都有自己专用的质量保证实验室，可以在启动新设备之前进行广泛的测试。Lexar加入了该计划，以满足更快的数据速率，更大的带宽和更低的功耗的需求曲线。

该公司的两个新的DRAM内存模块提供了高级性能，将提高家用PC的速度。据说Lexar DDR4-2666 SODIMM笔记本内存和Lexar DDR4-2666 UDIMM台式机内存可在1.2 V电压下运行，并提供2666 MT / s的速度。

即使与其他制造商（例如美光公司）以5100 MT / s的速度创造终极的游戏体验一样，Lexar仍将目标锁定在当前的同业，学生和教师身上。

新型Lexar台式机和笔记本电脑内存的运行速度将比普通家用PC快，这使其成为在家中工作的有用选择。图片由Lexar提供

“尽管远程办公室和任何地方的学习都在增加，但我们的目标是继续提供具有卓越质量和性能的产品，以便您可以构建一个智能工作室或智能教室，以获得最佳的用户体验，”总经理Mick Chen说道。雷克沙

尽管Lexar在内存游戏中还算是一个新生事物，但该公司正在为更快的数据传输速度而努力。

DDR5上市延迟，让DDR4更新速度激增

DDR4的设计规格最初为2 GB的内存和1,600 MT / s的内存速度，但此峰值已发展为64 GB的内存选项，数据速度达到3200 MT / s。即使DDR5将具有双倍的访问内存和更低的功耗，但主要的吸引力在于数据的传输速度。

从外观上看，美光仍在通过Critical Ballistix改进其DDR4，速度为6,666 MT / s。尽管如此，当DDR5完全实现时，预测将其设置为超过8400 MT / s的速度。

DDR5有望以更低的功耗，更快的数据传输和更高的密度来实现比DDR4更大的飞跃，从而实现更强的信号处理。图片由美光科技提供

DDR5可能要过一段时间才会推出-由于当前的大流行而推迟了发布日期。但是，正如美光（Micron），雷克沙（Lexar）和SMART Modular Technologies这样的公司所表明的那样，这没有理由阻止新DDR4模块的发展。