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电子发烧友网>存储技术>东芝存储改名铠侠 RC10 500GB上手报告

东芝存储改名铠侠 RC10 500GB上手报告

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2024-04-23 14:28:522415

无处不在的存储

高性能存储最远可以出现在什么地方?对于而言,从遥远的太空,到身边的手机、家电,几乎所有智能化设备与存储息息相关,特别随着各行各业对存储需求不断增多,存储容量和性能变得更为重要。 例如,在过去很长
2024-05-29 10:49:351016

NAND闪存生产恢复

近日,据日本媒体报道,知名半导体企业(Kioxia)已成功将其位于日本三重县四日市和岩手县北上市的两座NAND闪存工厂的生产线开工率提升至100%。这一举措标志着在经历了长达20个月的减产周期后,其NAND闪存生产已正式恢复正常化。
2024-06-18 16:48:511208

结束减产,获新银行贷款助力市场复苏

近日,日本内存芯片巨头(Kioxia)宣布结束长达20个月的减产策略,这一转变标志着市场对NAND闪存需求的复苏。为了支持其业务增长,成功获得了来自债权银行的新信贷额度。
2024-06-20 09:25:02950

存储芯片厂商结束减产,生产线全面恢复

近日,日本存储芯片 厂商控股(Kioxia Holdings,原东芝存储器)宣布时隔1年零8个月后正式解除减产措施。这一决定标志着公司对市场需求的积极回应,也象征着半导体行业迎来新的生机。
2024-06-20 10:34:471065

结束NAND闪存减产,工厂开工率已恢复至100%

随着存储器市场的逐步复苏,日本半导体巨头(Kioxia)已正式结束其NAND闪存减产策略。这一战略调整基于市场需求增长和公司财务状况的改善。
2024-06-20 11:29:091449

日本存储芯片制造商拟上市

在科技产业日新月异的今天,日本存储芯片制造商(Kioxia)似乎正酝酿着一场重大的市场变革。据媒体最新报道,两位知情人士透露,在知名投资机构贝恩资本的支持下,计划在未来几天内向东京证券交易所
2024-07-01 09:36:45982

北上市NAND闪存新工厂竣工,预计2025年秋投产

存储芯片巨头(Kioxia)近日宣布了一项重要进展:其位于日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂(Fab 2,简称K2)已圆满竣工。此次竣工标志着在扩大产能、满足市场日益增长需求方面迈出了坚实的一步。
2024-08-06 09:27:311333

NAND Flash业绩飙升,营收创新高

日本NAND Flash巨头近日发布了其2024财年第一财季(对应2024年第二季度)的财务报告,展现出了强劲的增长势头。该季度内,的合并营收同比激增71%,环比更是暴涨106.4%,达到4,285亿日元,不仅连续两个季度保持增长态势,还一举创下了季度营收的历史新高。
2024-08-10 16:49:141858

搁置10月IPO计划

日本存储芯片巨头(Kioxia)近日宣布,已决定将原定于10月在东京证券交易所的首次公开募股(IPO)计划暂时搁置。这一决定背后,是在竞争激烈的市场环境中面临的诸多挑战。
2024-09-25 14:53:25995

贝恩资本取消IPO计划,估值分歧成关键

据消息人士透露,由于投资者对日本存储芯片制造商(Kioxia)的估值期望与贝恩资本(Bain Capital)存在巨大分歧,这家美国收购公司已决定取消原定于10月的首次公开募股(IPO)计划。
2024-10-12 15:31:041015

三星与计划减产NAND闪存

近日,据供应链消息,三星电子与正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产,并预计根据市场状况分阶段实施。
2024-10-30 16:18:46970

量产四层单元QLC UFS 4.0闪存

近日,宣布成功量产业界首款采用四层单元(4LC)技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS,拥有更高的位密度,使其在存储需求日益增长的移动应用程序领域具有更广泛的应用前景。
2024-10-31 18:22:003418

计划2025年6月前完成IPO

近日,日本知名半导体企业被曝出正积极筹备首次公开募股(IPO)的重大计划。根据向日本金融服务厅提交的正式文件,公司计划在2024年12月至2025年6月期间,正式在东京证券交易所挂牌上市。
2024-11-11 14:41:501076

将开发新型CXL接口存储

近日,公司宣布其“创新型存储制造技术开发”提案已被日本新能源・产业技术综合开发机构(NEDO)的“加强后5G信息和通信系统基础设施研究开发项目/先进半导体制造技术开发”计划采纳。这一消息标志着在新型存储器研发领域取得了重要进展。
2024-11-11 15:54:30941

投资360亿日元研发CXL省电存储

近日,日本NAND Flash大厂宣布,将在未来三年内投资360亿日元,用于研发AI用CXL(Compute Express Link)省电存储器。此次研发得到了日本政府的支持,政府将提供最高
2024-11-12 11:28:051140

预测2028年NAND Flash需求将激增2.7倍

存储芯片大厂近日发表了一项令人瞩目的预测,称在人工智能需求的强劲推动下,到2028年,全球对NAND Flash的需求将增加2.7倍。这一预测不仅展示了存储市场的巨大潜力,也预示着将在未来几年迎来前所未有的发展机遇。
2024-11-12 14:40:461037

新厂房竣工,投产推迟至2025年

日本半导体存储器企业控股(原名东芝存储器)近期在北上工厂隆重举行了第二厂房大楼的竣工仪式。然而,由于公司业绩的恶化,新厂房的投产时间不得不从原定计划推迟了一年零九个月,预计将在2025年9月正式投产。
2024-11-13 15:14:411162

计划12月减产,或助NAND Flash价格反转

存储大厂近日宣布,计划在2024年12月实施减产措施。此举旨在应对当前NAND Flash市场的严峻挑战,并有望促使价格止跌回升。
2024-12-03 17:36:041224

控股在东京证券交易所PRIME市场上市

日本半导体存储器领域的佼佼者控股,近日在东京证券交易所最高级别的PRIME市场成功挂牌上市,其股票发行价定为每股1455日元。这一举措标志着控股正式迈入资本市场,开启了全新的发展阶段。 然而
2024-12-20 14:04:021055

发布上市后首份季度财报

于近日正式公布了其自上市以来的首份季度财报,详细披露了2024财年第三财季的财务数据。 在截至2024年12月31日的这一财季中,实现了4500亿日元(约合214.32亿元人民币)的营收
2025-02-18 11:21:091030

第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 存储器开始送样

融合现有存储单元与先进的 CMOS 技术,实现投资效益最大化   全球存储解决方案领导者宣布,其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样 (1
2025-07-28 15:30:20574

KIOXIA工业级eMMC,-25℃稳定运行

KIOXIATHGAMSG9T15BAIL eMMC 5.1嵌入式存储器,提供64GB容量,采用紧凑的11.5x13.0x0.8mm BGA封装。其2.7-3.6V宽电压供电与-25℃至85℃的工作温度范围,兼顾能耗与工业级可靠性,为各类嵌入式应用提供稳定存储解决方案。
2025-09-26 09:58:001711

预期提前,再次加速,3D NAND准备冲击1000层

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠,而此前计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示,将在
2024-06-29 00:03:008061

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