铠侠北上市NAND闪存新工厂竣工，预计2025年秋投产
存储芯片巨头铠侠（Kioxia）近日宣布了一项重要进展：其位于日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂（Fab 2，简称K2）已圆满竣工。此次竣工标志着铠侠在扩大产能、满足市场日益增长需求方面迈出了坚实的一步。
K2工厂作为北上市的第二座NAND闪存生产基地，其建设过程备受瞩目。随着全球NAND闪存市场需求的逐步复苏，铠侠表示将紧密关注市场动态，灵活调整资本投资策略。
据计划，K2工厂将于2025年秋季正式投入运营，届时将进一步增强铠侠在全球NAND闪存市场的竞争力，为客户提供更加稳定、高效的存储解决方案。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND闪存
+关注
关注
2文章
229浏览量
23758 -
存储芯片
+关注
关注
11文章
1001浏览量
44722 -
铠侠
+关注
关注
1文章
115浏览量
8354
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
水晶光电COT Vietnam新工厂开业投产
盛夏的越南，晴空万里，骄阳似火。8月2日上午，COT Vietnam新工厂开业暨投产仪式在兴安省升龙二号工业园区一期厂房内隆重举行，现场洋溢着热闹喜庆的氛围。
铠侠第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 存储器开始送样
） 。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性
发表于 07-28 15:30
•469次阅读
什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash
电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
分类
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。
在1984年
发表于 07-03 14:33
华工科技智能制造华东总部基地竣工投产
近日，华工科技在苏州高新区举办华工科技智能制造华东总部基地（以下简称“华东总部基地”）竣工投产仪式，开启深度融入长三角产业发展新篇章。苏州市委书记刘小涛、华工科技董事长马新强、汇川技术董事长朱兴明、领益智造董事长曾芳勤、立铠精密
铠侠双轴技术战略，研发超级SSD
年，近一半的NAND需求将与人工智能相关。Kioxia旨在通过先进的SSD产品和技术，以支持人工智能系统不断变化的需求。铠侠正在开发铠
铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度
两家公司预展第十代3D闪存技术，为性能、能效和位密度设立新标准旧金山,国际固态电路会议（ISSCC）——铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术，凭借4.8Gb/sNAND接
铠侠发布上市后首份季度财报
铠侠于近日正式公布了其自上市以来的首份季度财报，详细披露了2024财年第三财季的财务数据。 在截至2024年12月31日的这一财季中，铠
NAND闪存价格预测：2025年将呈V型走势
市场研究机构TrendForce近日对2025年NAND闪存价格走势进行了预测，预计全年价格将呈现V型波动。 据TrendForce分析，
广汽集团旗下广汽荻原数字化新工厂开工
为深入贯彻落实广州市番禺区高质量发展大会“月月有动工、月月有竣工”的攻坚精神，2月15日，广汽集团旗下广汽荻原数字化新工厂(以下简称“数字化新工厂”)开工仪式在广州市番禺区智联新能源产业园隆重举行
三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线
近日，据韩媒报道，三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技
联想沙特新工厂正式奠基
，占地面积达20万平方米，规模宏大。据悉，该工厂将专注于生产笔记本电脑、台式机及服务器等电子产品，预计年产量将达到数百万台，并全部打上“沙特制造”的标签。 联想集团对此次投资寄予厚望，计划于2026年正式
NAND Flash厂商2025年重启减产策略
根据知名研调机构集邦（TrendForce）最新发布的研究报告，NAND Flash产业预计在2025年将持续面临需求疲弱与供给过剩的双重严峻挑战。这一趋势迫使
三星电子削减NAND闪存产量
近日，三星电子已做出决定，将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前，全球NAND
铠侠控股在东京证券交易所PRIME市场上市
日本半导体存储器领域的佼佼者铠侠控股，近日在东京证券交易所最高级别的PRIME市场成功挂牌上市，其股票发行价定为每股1455日元。这一举措标志着铠侠
工商网监
评论