中国芯国产进程加速 刺激了NAND Flash和DRAM战略布局速度的加快

12 月 9 日讯，2020 年 SK 海力士将进行一系列的人事调动和业务重组，为实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理，会将 DRAM 和 NAND Flash 两大开发部门整合在一起。

重组后，SK 海力士首席半导体技术专家 Jin Kyo-won 将提升为开发制造总裁，负责 DRAM 和 NAND Flash 从开发到批量生产，提高运营效率。

SK 海力士是重要的 NAND Flash 和 DRAM 供应商，据中国闪存市场 ChinaFlashMarket 数据，2019 年 Q3 季度，SK 海力士 DRAM 市场占有率 28.4%，全球排名第二；NAND Flash 市场占有率 9.6%，全球排名第六。

作为全球第二大 DRAM 供应商，SK 海力士于 2019 年 10 月宣布采用第三代 10nm 级（1znm）工艺开发出 16Gbit DDR4，与第二代（1ynm）产品相比，生产率提高了约 27%，计划将与 2020 年开始全面供应，积极响应市场需求。

与之竞争的是三星和美光，其中三星早在 2019 年 3 月就宣布于下半年采用 1znm 工艺技术量产 8Gb DDR4，生产率提高 20%以上；美光也在 8 月份大规模生产 1znm 16Gb DDR4 产品。三星、SK 海力士、美光 DRAM 都已进入第三代 10nm 级制程技术，随着技术的不断提高，量产的难度也加大，再往后发展将用到 EUV 工艺，能否顺利过渡是稳固市场的关键。

在 NAND Flash 市场上，三星、SK 海力士均已宣布新一代 128 层 3D TLC NAND 已开始量产或送样，2020 年西部数据、铠侠、美光等 128 层 3D NAND 也将面世，英特尔甚至将在 2020 年推出 144 层 QLC NAND，同业者之间的竞争如火如荼。

在经历 2016 年和 2017 年 NAND Flash 价格大幅上涨后，2018 年和 2019 上半年价格再度下滑，截止到第三季度，三星、铠侠、西部数据、美光、SK 海力士、英特尔等 Q3 季度的 NAND Flash 销售虽环比增加， 但在获利方面依然表现同比下滑，西部数据和铠侠甚至亏损严重。

SK 海力士同样面临着营收的挑战，在 2019 年三季度，其营收达 6.8 兆韩元，同比下滑 40%；净利润 0.495 兆韩元，同比大减 89%，更创 2016 年第二季以来的新低纪录，其中 DRAM 收入占 77%，NAND Flash 收入占 20%。

不仅要面对产业周期性变化，DRAM 和 NAND Flash 技术的推进，也使得企业投入的资金增加，获利变得更加艰难。随着 NAND Flash 价格的触底，以及对看旺 2020 年市场需求，近期 NAND Flash 行情已出现转机，中国闪存市场 ChinaFlashMarket 分析，不仅渠道市场价格上涨，企业级需求旺盛，原厂已对 2020 年 Q1 部分产品宣布涨价，PC OEM 市场价格或也将开始上涨，而手机端产品价格 2020 年 Q2 或有涨价反应。

随着中国芯片国产化进程的加速，新晋者的加入，战局再度升温，对于 SK 海力士而言，一定程度上将刺激在 NAND Flash 和 DRAM 战略布局上加快步伐。在下一波存储行情上行之前，SK 海力士将 DRAM 和 NAND Flash 研发部门合并，不仅有助于提高技术研发水平，稳固市场地位，更能有效的配合、响应存储市场周期性变化，提高企业获利的能力。