东芯半导体：强化SLC NAND Flash技术优势，拥抱可穿戴、汽车等新机会

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在2025elexcon深圳国际电子展上，东芯半导体带来了全系列存储产品的展示，其SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、DRAM、MCP、SPI NOR Flash等产品广泛应用于物联网、汽车电子、可穿戴、安防监控等领域。

东芯聚焦利基型存储，构建了六大产品结构。包括，SPI NAND Flash，可提供单颗粒芯片设计的串行通信方案，在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，具有高传输速度高可靠性的特点。



PPI NAND Flash，支持工业+级别105℃，具有高可靠性。SPI NOR Flash聚焦于大容量低功耗，支持Single/Dual/Quad SPl和QPI四种指令模式DTR传输模式。

DDR3(L)/DDR4支持低电压1.5V/1.35V，高传输速率800MHz/933MHz/1066MHz。LPDDR1/2/4X产品，其中LPDDR1核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCANVDDQ更低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

MCP产品的Flash 和DDR均为低电压设计，核心电压1.8V将其合二为一封装，高效集成电路、提高稳定性。

在汽车领域，东芯半导体SLC NAND Flash、NOR Flash 以及MCP 等产品陆续有更多料号通过AEC-Q100 的验证，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。公司积极进行车规客户的导入和验证，完成国内多家整车厂的白名单导入，多家境内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质导入，并已向包括境外知名的一级汽车供应商（Tier1）等进行车规产品的销售。

同时，在人形机器人领域，东芯半导体也有一些存储方案在研。近年来，东芯半导体的中小容量存储产品设计针对客户需求更多地可提供定制开发服务，从设计到产业化的一站式解决方案。

据了解，东芯半导体SLC NAND Flash处于国内前三的地位。东芯持续强化在SLC NAND Flash领域的技术领先优势，并加速存储产品的迭代升级。在NAND Flash领域，其“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，工艺优化与产品可靠性指标显著提升，相关产品已进入市场销售阶段。同时，2xnm制程SLC NAND Flash产品线持续扩充，可靠性指标进一步突破。 目前在智能穿戴设备等特定领域，SLC NAND Flash凭借擦写速度与存储密度优势，已形成对NOR Flash在代码存储应用中的替代效应。这一技术迭代不仅重塑了存储器市场格局，也为智能终端设备的性能提升提供了新的技术路径选择。

在谈到东芯的竞争优势时，现场受访人表示我们打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。拓展境内外双代工模式，具备全国产化供应链的能力，并且在地化服务响应快。

东芯半导体制定了“存、算、联”一体化战略，以存储为核心，向算、联拓展。在Wi-Fi 7领域，新设立了子公司亿芯通感，研发团队成员拥有国际或国内的一线通信芯片大厂的研发经验。在GPU领域，公司对外投资了上海砺算，它是一家致力于研发多层次（可扩展）图形渲染的芯片设计企业，具备成建制的研发团队，与公司的主营业务具有一定的协同性，有助于提升公司整体研发实力和核心竞争力，为客户提供更加多样化的芯片解决方案。