美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules,小型压缩附加内存模块)已正式送样,以积极拓展
发表于 10-23 17:55
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2025年9月24日,美光在2025财年第四季度财报电话会议中确认,第四代高带宽内存(HBM4)将于2026年第二季度量产出货,2026年下半年进入产能爬坡阶段。其送样客户的HBM4产品传输速率突破
发表于 09-26 16:42
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2025年7月,美光西安工厂以732分的卓越成绩,正式斩获EFQM(欧洲质量管理基金会)七钻认证,成为全球前1.5%获此殊荣的企业之一。
发表于 09-01 17:24
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与顶尖高校紧密合作、赋能青年人才成长的生动注脚。从清华学子的前沿探访到西安交大的深度实践,美光正以实际行动践行着对人才培养的承诺。
发表于 08-14 10:08
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随着数据中心对AI训练与推理工作负载需求的持续增长,高性能内存的重要性达到历史新高。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM
发表于 06-18 09:41
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楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布率先推出基于台积公司 N3 工艺的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 内存 IP 解决方案。该新解决方案可满足
发表于 05-09 16:37
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率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ(1-gamma)第六代(10 纳米级)DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α(1-alpha)
发表于 02-26 13:58
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大内存制造商深入讨论SOCAMM规范的商业化落地可能性。这意味着,SOCAMM内存模组有望最早在今年年底实现量产,为全球用户带来更加高效、稳定的内存
发表于 02-19 11:41
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近日,美光科技宣布即将开始量产其最新的12层堆栈高带宽内存(HBM),并将这一高性能产品供应给领先的AI半导体公司英伟达。这一消息的发布,标志着美
发表于 02-18 14:51
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深圳市嘉合劲威电子科技有限公司(简称“嘉合劲威”)正在积极研发一款专为AI专业应用设计的新一代内存产品——MRDIMM。这款产品的诞生,旨在通过技术创新,为AI运算提供更加高效、经济的硬件支持
发表于 02-12 11:28
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近日,全球DRAM内存巨头之一的美光科技公司宣布,将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前,美
发表于 01-17 14:14
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近日,全球领先的HBM内存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM内存先进封装工厂项目已于当地时间今日正式破土动工。这座
发表于 01-09 16:02
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为进一步助力专业科技人才的培养,美光作为创新内存和存储解决方案领域的全球领军者,受邀在中国顶尖学府开设 “美光课堂”。该课堂致力于为学生提供
发表于 01-09 15:31
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随着人工智能技术的迅猛发展,对先进存储芯片的需求日益增长。在此背景下,美光科技宣布将在新加坡投资70亿美元,扩建其制造业务,以满足市场需求。 周三,美
发表于 01-09 11:34
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据业内消息,美光科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能,与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴,美光近期将具体落实对现有DRAM工厂进行
发表于 01-07 17:08
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