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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>NEC日本东北大学共同开发出非易失化技术

NEC日本东北大学共同开发出非易失化技术

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2021-05-25 13:50:511575

环旭电子与客户共同开发云端通信网关产品

近期,环旭电子与客户共同开发出一款云端通信网关产品,可将火灾报警系统的讯息透过有线网络(POTS,Plain Old Telephone Service 或Ethernet乙太网) 或无线网絡(Wi-Fi 或LTE)连上公有云及火灾网管中心。
2022-06-07 11:39:23888

新思科技联合Ansys、是德科技共同开发RFIC设计产品

新思科技联合Ansys、是德科技共同开发的高质量、紧密集成的RFIC设计产品,旨在通过全新射频设计流程优化N6无线系统的功率和性能。
2022-06-24 10:40:44992

透明光伏电池问世 取在五年内实现实用性

 据报道,日本东北大学的未来教授加藤俊贤和其他人已经开发出可以传输80%可见光的光伏电池。光伏电池非常透明,肉眼几乎看不见,粘贴在车窗或汽车玻璃上时不会遮挡视线。
2022-08-18 10:58:40757

日本电产与日本电产三协共同发出搭载有位置检测技术“Zignear®”的AC伺服电机

日本电产与日本电产三协共同发出了一款搭载有 “Zignear®”的AC伺服电机 (分辨率:17bit) ,“Zignear®”是一种也可适用于工业机器人的、可替代编码器的位置检测技术
2022-09-13 14:38:35357

浅析SiC MOS新技术:沟道电阻可降85%

我们知道,SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题,最近,日本东北大学提出了一项新的外延生长技术,据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%,沟道电阻可以降低85.71%,整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49612

东芝和罗姆共同开发电力芯片,得到日本政府补贴支持

日本东芝公司和罗姆公司将展开合作,共同开发电力半导体,以此加强其在电动车高需求元件领域的地位。日本的工业和贸易部将对这两家公司计划投入的3800亿日元(约合83亿美元)的项目提供高达1200亿日元的补贴。罗姆和东芝将在正在石川和宫崎两县建设的各自的工厂进行生产。
2023-12-09 11:30:00863

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