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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>准确测量氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间

准确测量氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间

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CGHV40180F氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CGHV59070P氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的;氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV59070;从 50 伏电压轨运行;提供一般用途;适用于各种射频和微波
2022-06-27 14:11:15

CGHV96130F氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比,这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32

CMPA0060025F氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一种基于氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化相比具有优越的性能;包括更高的击穿
2022-06-27 16:37:17

上升时间限制电路图

上升时间限制电路图
2009-07-15 16:43:39519

如何利用测量设备来准确地评估高性能的氮化晶体管

氮化镓(GaN)场效应晶体管具备高速的开关速度优势,需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术,利用测量设备来准确地评估高性能的氮化晶体管。此外,本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:003123

上升时间与压摆率是一回事吗

我们先来看一下压摆率,压摆率的概念与上升时间类似,但有一些重要区别。如图1所示,阶跃响应的上升时间被定义为波形从终值的10%变为90%所需的时间。(有时上升时间被定义为20/80%。)请注意,上升时间通过波形大小的百分比来定义,与所涉及的电压无关。例如图1中的波形具有大约3μs的上升时间
2020-09-29 11:54:101857

浅谈振荡上升时间及影响

振荡上升时间(start up time)是指IC电源启动时,从振荡过渡的状态向恒定区移动所需的时间,村田的规定是达到恒定状态的振荡水平的90%的时间。 振荡上升时间受振荡电路中使用的元件的影响,与晶体谐振器相比较的话,CERALOCK的振荡上升时间会快1位数到2位数。 编辑:hfy
2021-03-31 10:21:052667

GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管

GaN氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682

您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间

您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间
2022-11-04 09:51:250

什么是氮化镓(GaN)?什么是高电子迁移率晶体管

氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
2023-02-10 11:05:173854

运放输出电压上升时间的计算指南

本文介绍了运放电路带宽增益积 和压摆率 对运放输出电压上升时间的影响,评估运放输出电压的上升时间,一般采用输出电压的 10% ~ 90% 这一段时间作为上升时间
2023-04-27 09:26:25510

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