TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:26
1621 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同
2012-12-19 10:19:09
1538 当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI
2018-04-26 11:45:39
5811 )晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多,并可降低开关损耗,原因在于: 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:28
10231 
宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本,最新推出EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:00
2013 GaN Systems其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:44
3429 ,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
功率晶体管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率,从而远远超过硅MOSFET产品。 GaN可以为您做什么 根据应用的不同,高效率的高频开关可以将功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
和功率密度,这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化镓晶体管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的热量,需要更大的散热器。不幸的是,这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸,这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高,这种外部电感会导致接地反弹增加[4]。 增强型氮化镓晶体管采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP),端子采用焊盘栅格阵列 (LGA) 或球栅阵列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供单独
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
转换器,将性能与两种可比场景进行了比较:第一种是所有三种晶体管类型都在500KHz谐振频率下工作,第二种是500KHz基于GaN的LLC与基于100KHz硅的LLC。主要晶体管是氮化镓、硅或碳化硅。初级
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已开始,但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处?
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
怎么测量 信号的上升时间?
2015-03-15 08:36:34
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)衬底上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaN内匹配(IM)场效应晶体管与其他技术相比,提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在射频微波领域经验丰富,该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件(例如砷化镓GaAs)。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
范围;4.Vgs信号上升时间240ns左右。(以上数据通过截屏读数)▲图4:测试结果截屏结论1.客户目标板设计合理,Vgs控制信号近乎完美;2.测试显示Vgs信号无任何震荡,共模干扰被完全抑制;3.OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs,没有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
2019-07-17 13:58:50
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI
2018-09-07 14:52:23
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV,而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向氮化镓晶体管,可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
电子产品中。这种氧化物是个好选择,因为它能与AlGaN/GaN形成良好的肖特基接触,并在GaN晶体管中起到栅极的作用。有一些报道证实在氮化镓晶体管中可存在铟锡氧化物(ITO)栅极,并且已经表明,在氮化镓器件
2020-11-27 16:30:52
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:氮化镓功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年,第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
,在这种情况下采用基于氮化镓(GaN)晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似,GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率,并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
”的器件。它有多好呢?击穿电压是功率晶体管的关键指标之一,达到这个临界点,半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下,氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
低压氮化镓(GaN)器件市场越来越重要,EPC是低压硅上氮化镓(GaN-on-silicon)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:07
12441 氮化镓(GaN)场效应晶体管具备高速的开关速度优势,需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术,利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外,本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:00
4123 
经过大量实践检验,已被证明安全可靠的硅MOSFET已经成为电源电路设计的中流砥柱,但随着基于氮化镓的最新功率器件技术的发展,电源设计的趋势正逐渐转向GaN晶体管。
2018-08-06 15:04:37
6648 
EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒,从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
2020-01-16 09:48:00
3619 什么是氮化镓晶体管?它有什么作用?硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化,在这个行业中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30:05
9114 振荡上升时间(start up time)是指IC电源启动时,从振荡过渡的状态向恒定区移动所需的时间,村田的规定是达到恒定状态的振荡水平的90%的时间。 振荡上升时间受振荡电路中使用的元件的影响,与晶体谐振器相比较的话,CERALOCK的振荡上升时间会快1位数到2位数。 编辑:hfy
2021-03-31 10:21:05
3610 大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时,近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度
2020-12-26 04:10:19
1058 基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:44
3769 IR-HiRel氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容
2021-08-27 11:40:03
3330 GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46
1081 TPH3206PSB 650V,150mΩ 氮化镓(GaN)场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51:33
10 ) 和氮化镓 (GaN)。在这些潜在材料中,GaN 或氮化镓正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
2022-07-29 15:00:30
2352 电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行,但与其硅对应物一样,单个
2022-08-04 09:35:48
2219 
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:06
5427 您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间?
2022-11-04 09:51:25
0 (GaN)。在这些潜在材料中,氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:08
3918 氮化镓工艺优点是什么呢? AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是开关功率晶体管的有希望的候选者,因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材料AlGaN的组合。最重要的
2023-02-05 11:43:47
2725 作为第三代半导体的天之骄子,氮化镓晶体管日益引起工业界的重视,且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06
970 氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-08 09:52:02
1307 
一个器件的成本效益,从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术,基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 (Aluminum Nitride/Al),隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化镓,晶体管就建立于这个基础上。
2023-02-08 09:57:30
2835 
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMTs)。
2023-02-08 17:39:07
1360 氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓
2023-02-09 16:59:57
7653 
氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
2023-02-10 11:05:17
5998 
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-12 17:09:49
1031 氮化镓(氮化镓)是一种半导体材料,是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比,GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
2023-02-13 16:28:17
6710 氮化镓(GaN)是什么 氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高
2023-02-17 14:18:24
12177 了氮化镓呢? 下图是充电器的主要电子元器件。 其实充电电子元器件里面,是晶体管里面添加了氮化镓,而其他元器件均是常规电子件。 这里的晶体管是指MOSFET半导体场效益晶体管。 而氮化镓晶体管与普
2023-02-21 15:04:24
6 当今市场上有许多晶体管选择,它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此,缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中,GaN晶体管是,但是什么使它们与众不同呢?
2023-05-24 11:08:30
1742 摘要:栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面,金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷,这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中,二维
2023-05-25 16:11:29
2306 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比,GaN功率晶体管有什么优点呢?GaN在品质因数(
2023-08-03 14:43:28
694 如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07
880 在最近的IEDM大会上,英特尔表示,已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成,用于高度集成的48V设备。
2023-12-14 09:23:06
2122 
氮化镓(GaN)晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命,因此亟需开发有效的散热方法。
2023-12-22 10:47:00
2012 
晶体管)结构。GaN HEMT由以下主要部分组成: 衬底:氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层:氮化镓衬底上生长一层氮化镓,形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大,由于
2024-01-09 18:06:41
6132 氮化镓(GaN)MOS管,是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力,使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15
4274 GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细,融合了多种材料和工艺,以实现高效、高频率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:06
3439 GaN(氮化镓)晶体管和SiC(碳化硅)晶体管作为两种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而,它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺等方面存在诸多不同。以下是对这两种晶体管差异的详细分析。
2024-08-15 11:16:21
2935 GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性,使得GaN晶体管成为电力电子和高频通信等领域的优选器件。以下将详细阐述GaN晶体管的主要应用场景,并结合具体实例进行说明。
2024-08-15 11:27:20
3066 电子发烧友网站提供《CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书.pdf》资料免费下载
2024-09-04 11:27:59
1 1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸)氮化镓 (GaN)单晶晶圆。 据介绍,与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22
1358 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:25
7 。 目的 :本手册详细阐述了氮化镓(GaN)晶体管并联设计的具体细节,旨在帮助设计者优化系统性能。 二、氮化镓的关键特性及并联好处 1. 关键特性 正温度系数的R DS(on) :有助于并联器件的热平衡。 稳定的门槛电压V GS(th) :在工作
2025-02-27 18:26:31
1103 列GaN氮化镓晶体管现新增底部散热型ThinPAK8x8和DPAK封装版本,专为各种工业与消费类应用中的最优散热性能而设计。产品型号:■IGD70R500D2■IGD7
2025-11-03 18:18:05
2815 
评论