由液晶驱动控制芯片RA8889实现车载液晶仪表的方案，本系列文章会从最基本的UI界面制作，硬件平台的介绍，以及软件代码实现来详细介绍。

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，该器件的固有优势包括超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低多达 80%）以及低开关节点振铃（可降低 EMI）。这些优势实现了像图腾柱 PFC 这样的密集和高效的拓扑结构。

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性...

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，该器件的固有优势包括超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低多达 80%）以及低开关节点振铃（可降低 EMI）。这些优势实现了像图腾柱 PFC 这样的密集和高效的拓扑结构。

技术资料#LMG3425R030 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET...

该LMG3425R050集成了硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制 20V/ns 至 150V/ns 的转换速率，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

此参考设计演示了混合磁滞控制 （HHC） 方法，这是一种在半桥 LLC 级上使用 C2000 F28004x 微控制器的电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062，后者是 1kW、80 Plus 钛、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。添加了一个单独的感应卡用于混合磁滞控制，可重新生成谐振电容器上的电压。

具有集成驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计...

医疗PDA手持机配备了强大的联发科2.0GHz八核处理器，标配4GB运行内存和64GB存储空间，用户可选配6GB内存和128GB存储。搭载的Android 13操作系统确保了设备的快速响应和流畅的操作体验，使医护人员能够迅速访问关键信息。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制 20V/ns 至 150V/ns 的转换速率，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R050 包括零电压检测 （ZVD） 功能，当实现零电压切换时，该功能可从 ZVD 引脚提供脉冲输出。

对讲机作为一种即时的无线通讯设备，拥有着不受信号影响、更便捷的集群通讯、更持久的续航等优势，能够帮助用户进行团队成员之间的快速、便捷沟通。近日，小米推出了一款专为运动设计的对讲机产品，拥有着非常小巧的机身，搭配多款磁吸可穿戴配件，满足滑雪、骑行、徒步等多场景的便捷使用。   小米运动对讲机在功能配置上，搭载了独立降噪芯片，可有效降低运动时的风噪影响，保持清晰的语音沟通；支持一对一、一对多对讲，通过小米对

UCC28782EVM-030是一个65-W USB-C PD评估模块（EVM），用于评估笔记本电脑充电和其他应用的离线有源箝位反激式适配器。EVM符合CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求。EVM旨在用于评估目的，而不是最终产品。UCC28782EVM-030将90 VRM的输入电压转换为264 VRM，再转换为USB-C PD可选输出电压20 Vpc，最大3.25 a，以及5 Vpc、9 Voc和15 Voc，最大输出电流额定值为3.00-a，过功率限制为160 ms。

此参考设计是具有功率因数校正 （PFC） 前端的 220W 有源钳位反激式电池充电器设计。此设计采用 90V 至 264V 的通用交流输入，并为 VOUT 范围为 6V 至 22V 的电池充电。

在当今的3C行业中，视觉检测PCB已经成为一种常见的解决方案，它极大地提升了生产效率和产品质量。然而，随着电子产品设计的日益复杂和多样化，特别是对于一些颜色特别或与背景相近、检测对象多变的PCB应用，传统的视觉检测方案往往难以胜任。面对这些挑战，针对性的解决方案显得尤为重要。明治传感凭借其在视觉检测领域的深厚积累和创新技术，成功开发出了一套能够灵活应对各种复

报告主要讲述了如何搭配使用UCC28780有源箝位反激控制器和隔离驱动器UCC5304，以实现零电压开关反激（ZVSF）电源。与传统准谐振（QR）反激拓扑相比，这种搭配能够在具有竞争力的成本下提供高效率和高功率密度。

技术资料#UCC5304 5kVrms，4A/6A单通道隔离栅极驱动器，带5V UVLO，适用于GaNFETs和MOSFETs...

此参考设计是一款低成本、高密度 USB 适配器，在 ZVS 反激式拓扑中使用 UCC28782 有源钳位反激式控制器UCC5304隔离式驱动器。20V 输出时的最大额定功率为 65W，但可针对 20V/15V/9V/5V 输出电压和 3A 进行调节。此设计达到了 93.4% 的峰值效率。平均效率和待机功率水平旨在满足 DoE VI 级和 CoC Tier 2 限制。紧凑的设计尺寸为 44 mm x 54 mm x 20mm（48cc 开放式框架）。

一、前言最近，RT-Thread发布了一款名为ART-PI2的新开发板，搭载了STM32H7RS微控制器。好久没接触STM32的东西了，借此机会也了解ST的新产品。STM32H7RS的一大特点是其内部Flash仅有64KB，这对于需要较大固件的应用来说显然不够用。因此，在实际开发中，通常需要借助外部Flash存储器（如QSPIFlash）来加载和运行程序。r

UCC28782 是一款用于 USB Type C™ PD 应用的高密度有源钳位反激式 （ACF） 控制器，通过在整个负载范围内恢复漏感能量和自适应 ZVS 跟踪，效率超过 93%。 最大频率为 1.5 MHz，可以最大限度地减少磁性元件。频率抖动有助于提高 EMI 裕量。该UCC28782还集成了动态偏置电源管理，以优化 Si 或 GaN MOSFET 的栅极驱动。

在5G基站的核心芯片里，在数据中心的光模块中，甚至在你手中的智能手机主板内，每秒钟有超过万亿比特（Tbps）的数据以接近光的速度穿梭。这些信号的“赛道”仅有头发丝千分之一的宽度，而它们的“赛车”却需要以皮秒（1皮秒=1万亿分之一秒）为单位精准控制启停。一旦信号波形出现细微畸变，轻则引发数据有误码，重则导致系统宕机——这就是高速信号完整性（SignalInte