TurMass™ 窄带无线通讯技术基于高效的 DPFSK 调制和极化码编码等先进的无线通讯技术手段，以及底层灵活多变的时隙组成。每一次传输都是通过信标时隙开始，后面可以根据客户需求随意组合，包括数据上下行的时隙，空闲时隙等等，这一系列的时隙构成了一个时隙组。

LMG3626EVM-074：LMG3626 用于具有 USB C 型® PD 的 65W 准谐振反激式转换器的评估模块...

继电器是控制电路的电子元器件，通过感应输入电流的变化控制电路的通断，通常用于自动化控制电路中，在电路中起着自动调节、隔离、安全保护和转换等作用。直流继电器通常有5个引脚，其中有两个引脚是线圈控制引脚，其他3个引脚分别是是常开端、常闭端和公共端。在没有上电时，线圈没有通电，常闭端和公共端相连，常开端和公共端断开；上电后，线圈通电，常开端和公共端相连，常闭端和公共端断开。所以继电器就相当于是一个开关，可以

多相电源因其高效率、高功率密度、优秀的热管理和快速动态响应等优势，在多个行业中有着广泛的应用，比如：高性能计算（HPC）、通信基站、智能驾驶、ASIC 或处理器的内核电源以及服务器的存储器应用等。

LMG3622EVM-082 使用具有电流感应仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C® 供电 （PD） 离线适配器的高效率和高密度。输入支持通用 90 V~交流~至 265 V~交流~单路输出可设置为 5V、9V 和 15V（最大 3A）和 20V（最大 3.25A），可通过 USB PD 接口控制器进行调整。高达 200kHz 标称频率的高频运行可实现小尺寸解决方案，同时多模式运行可保持高效率。在输出上使用同步整流以提高效率。

01项目背景在现代汽车制造业中，汽车方向盘的品质和装配精度对于驾驶体验和安全性至关重要。方向盘壳体间缝隙的测量是确保方向盘装配质量的关键环节之一。由于现代方向盘设计普遍采用符合人体工学的异形曲面结构，其壳体接缝处往往呈现多维空间曲线特征。传统测量工具在面对这种复杂形状时，往往难以准确测量缝隙。深视智能SRI8020一体式三维激光轮廓测量仪通过非接触式的激光扫

安科瑞充电桩运营方案，智能管控，盈利无忧

在石化行业这个充满挑战与风险的领域，安全隐患犹如隐藏在暗处的“幽灵”，时刻威胁着生产的安全与稳定。传统的巡检方式往往依赖于人工经验，存在一定的局限性。而大核桃防爆手机的出现，以其独特的“人机协同”智能巡检模式，从预防到控制，为精准识别石化安全隐患提供了强有力的保障。一、“防”：智能预警，提前构筑安全防线大核桃防爆手机的智能预警功能是其预防安全隐患的重要手段。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制 20V/ns 至 150V/ns 的转换速率，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R050 包括零电压检测 （ZVD） 功能，当实现零电压切换时，该功能可从 ZVD 引脚提供脉冲输出。

LMG2650EVM-100 旨在提供一个快速简便的平台，用于评估任何半桥拓扑中的 TI 集成 GaN 器件。该板设计为使用板底部边缘的 6 个电源引脚和 12 个数字引脚以插座式外部连接与更大的系统连接。电源引脚构成主开关回路，由高压直流总线、开关节点和电源接地组成。数字引脚通过 PWM 门输入控制 LMG2650 器件，通过低压电源提供辅助电源，并将故障报告为数字输出。

安科瑞EMS3.0：助力“双碳”目标，打造智慧能源新生态

此参考设计是一个 65W USB PD3.0 适配器 适用于许多充电应用，包括 手机、笔记本电脑和平板电脑。设计 实现高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和电流感应仿真。高效率 通过准谐振反激式实现，该 在简单性和低级之间提供平衡 切换损耗

该下载器把SPI与JTAG管脚进行了分开处理。鉴于JTAG使用较多，SPI使用较少，所以把JTAG放在插座上侧。

高通AR1 Gen1芯片详细介绍 高通AR1 Gen1是高通于2023年9月推出的首款专为轻量级AI/AR智能眼镜设计的专用处理器平台，旨在平衡高性能与低功耗，推动智能眼镜向时尚化、实用化方向发展。其核心设计理念是通过终端侧AI能力与优化的硬件架构，支持实时交互、高质量拍摄及全天候佩戴体验。 核心参数与技术特性 工艺与架构 制程工艺 ：采用6nm制程，兼顾性能与能效。 AI引擎 ：集成第三代Hexagon NPU，终端侧AI算力提升显著，支持视觉搜索、实时翻译、定向音

LMG342XEVM - 04X 包含两个以半桥配置的 LMG342XR0X0 氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。所有的偏置和电平转换组件都已集成，这使得低侧参考信号能够控制两个场效应晶体管。功率级上配备了高频去耦电容，采用优化布局，以尽量减少寄生电感并降低电压过冲。

LMG2100R026 评估模块是一款紧凑且易于使用的功率级模块，通过外部 PWM 信号进行控制。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。此器件可用于评估 LMG2100R026 作为硬开关转换器在效率、开关速度和 dv/dt（斜率）等样本测量方面的性能。该 EVM 配备一个由 90V 氮化镓场效应晶体管（GaN FET）半桥栅极驱动器驱动的 LMG2100R026 半桥功率模块，该模块集成了两个 100V、2.6mΩ 的 GaN FET。

BOOSTXL - LMG2100 - MD 评估模块，在本文档中也称为 “EVM”，通过基于分流器的精确电流检测，实现了具有精确相电流控制的氮化镓（GaN）逆变器，适用于伺服驱动器等精确驱动控制。该 EVM 提供了一个与 TI BoosterPack™兼容的接口，可连接到 C2000 MCU LaunchPad 开发套件，以便于进行性能评估。如需更多测试结果和技术信息，请参考 TIDA - 010936。

技术资料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 （GaN） 功率级...

UCG28826EVM - 093评估模块的用户指南...

UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器，内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT），可将交流转换为直流，以实现高达 65W 的功率转换器。它最适合高功率密度应用，例如手机快速充电器和笔记本电脑适配器。该器件的主要特点是自偏置和无辅助传感方案，完全消除了对辅助绕组的需求，以更高的效率简化了系统设计。