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电子发烧友网>模拟技术>离子注入技术在MOSFET单元阵列之间和连接方面的应用

离子注入技术在MOSFET单元阵列之间和连接方面的应用

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2023-06-30 10:11:24605

电科装备实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412

中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺全覆盖!【附41份报告】

来源:芯智讯,谢谢 编辑:感知芯视界 6月29日,据中国电子科技集团有限公司(以下简称“中国电科”)官方消息,该集团旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)已实现国产离子注入机28纳米
2023-07-03 09:16:46651

中国电科宣布已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-07-03 15:05:55593

半导体离子注入工艺评估

硅表面的薄片电阻。离子注入过程中,薄片电阻R由Rs=p/t定义。电阻系数主要由掺杂物浓度决定,厚度方主要由掺杂结深决定,结深由掺杂物离子的能量决定。薄片电阻的测量可以提供有关掺杂物浓度的信息,因为结深可以由已知的离子能量、离子种类和衬底材料估计。
2023-07-07 09:51:172240

离子体浸置型离子注入及等离子体掺杂系统介绍

在常规离子注入中,三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399

离子注入技术在晶硅太阳能电池中的应用优势

谱仪可通过测量离子注入工艺后晶硅太阳能电池的H含量,来判定其钝化效果是否符合电池生产标准,进而判断太阳能电池的效率与性能。本期「美能光伏」将给您介绍离子注入技术在晶
2023-08-29 08:35:56376

华林科纳研究化合物半导体中离子注入引起的起泡和薄层分裂现象学

半导体的这些参数的最佳值。在广泛使用的绝缘体上硅晶片的制造过程中,对硅的起泡和分裂过程进行了详细的研究。因此,还对硅和化合物半导体的起泡过程进行了比较。这项比较研究在技术上是相关的,因为离子注入诱导的层分裂与直接晶片键合相结合,
2023-09-04 17:09:31317

探讨碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响

本文从离子注入工艺的温度控制出发,研究了离子注入工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素对温控的影响,并结合器件的I-V曲线,探究了碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响。
2023-09-29 10:45:002367

什么是离子注入离子注入相对于扩散的优点?

想要使半导体导电,必须向纯净半导体中引入杂质,而离子注入是一种常用的方法,下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764

离子注入仿真用什么模型

离子注入是一种重要的半导体工艺,用于在材料中引入离子,改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子注入过程进行建模和模拟,以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257

原位掺杂、扩散和离子注入的相关原理及其区别介绍

半导体改变电阻率的方式有三种,原位掺杂、扩散和离子注入,这三种方式分别过程如何,有何区别呢?
2024-01-05 18:21:111112

离子注入涉及到的隧道效应为什么需要7°角?

隧道效应,又称沟道效应,对晶圆进行离子注入时,当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的碰撞,而是将沿沟道(原子之间的缝隙)运动并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420

离子注入中的剂量和浓度之间有何关系呢?

对器件设计工程师来讲,离子注入的浓度往往是需要关心的参数,什么样的浓度对应什么样的方阻,器件仿真参数输入的是浓度,通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
2024-01-26 13:37:02581

介绍离子注入在电容极板和湿法腐蚀自停止技术上的应用

在MEMS电容式压力传感器、平面硅电容器和RF MEMS开关中,离子注入均有应用。
2024-02-23 10:47:13181

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