0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

重大突破!中国研发高能离子注入机性能已达国际先进水平

如意 来源:百家号 作者: 半导体芯情 2020-06-28 11:36 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据业内人士透露,中国知名电子企业中国电子科技集团有限公司近日取得重大技术突破,其自主研发的高能离子注入机已成功实现百万电子伏特高能离子加速,其性能达国际主流先进水平。

据悉,目前国内仅有少数几家拥有自主研发离子注入机器的集团或企业,中国电科有中科院背景,实力超级强大。

据笔者了解到,离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等。

作为芯片生产过程中不可或缺的设备,离子注入机很贵,切大部分依赖进口,如今的极技术突破具有非凡的意义。中国电科旗下电科装备离子注入机总监张丛表示,电科装备将在年底前推出首台高能离子注入机,实现中国芯片制造领域全系列离子注入机自主创新发展,并将为全球芯片制造企业提供离子注入机成套解决方案。

作为电子产业的重要机构,中国电科总是能承担重任,如北斗相关芯片研发也有它的身影。中电科通信子集团54所和国基北方子集团13所承担天通一号移动通信系统终端核心芯片组的技术攻关和产品研制工作。高性能的终端芯片组是制约卫星通信系统建设、行业应用和产业化的主要因素。“我们基于自研,集成设计了基带、射频和功放核心芯片,扩展了功能,形成了包括硬件、平台、驱动、应用等在内的完整的终端解决方案。”本次技术突破,再次增强中国芯片研发和崛起的信心。

据悉,中国电子科技集团有限公司成立于2002年3月1日,成立18年多,是以原信息产业部直属电子研究院所和高科技企业为基础、组建而成的国有大型企业集团,也是国家批准的国有资产授权投资机构之一,由国务院国有资产监督管理委员会直接监管。主要从事国家重要军民用大型电子信息系统的工程建设,重大装备、通信与电子设备、软件和关键元器件的研究。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 加速器
    +关注

    关注

    2

    文章

    836

    浏览量

    39711
  • 离子
    +关注

    关注

    0

    文章

    109

    浏览量

    17485
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    离子注入工艺中的常见问题及解决方案

    在集成电路制造的离子注入工艺中,完成离子注入与退火处理后,需对注入结果进行严格的质量检查,以确保掺杂效果符合器件设计要求。当前主流的质量检查方法主要有两种:四探针法与热波法,两种方法各有特点,适用于不同的检测场景。
    的头像 发表于 11-17 15:33 435次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>工艺中的常见问题及解决方案

    3000法拉电容内阻0.33毫欧正常么

    3000法拉超级电容内阻0.33毫欧,属国际先进水平,低内阻确保高效能量传输与高功率输出。
    的头像 发表于 10-09 09:39 469次阅读
    3000法拉电容内阻0.33毫欧正常么

    离子注入技术的常见问题

    离子注入单晶靶材时,因靶体存在特定晶向,其对入射离子的阻滞作用不再如非晶材料般呈现各向同性。沿硅晶体部分晶向观察,能发现晶格间存在特定通道(图 1)。当离子入射方向与靶材主晶轴平行时,部分离子
    的头像 发表于 09-12 17:16 1707次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>技术的常见问题

    中软国际在大型银行AI项目领域实现重大突破

    近日,中软国际成功中标某全国性股份制银行2025年大模型算力扩容项目,标志着中软国际在大型银行AI项目领域实现重大突破,进一步巩固了其在金融科技领域的领先地位。
    的头像 发表于 05-06 11:46 854次阅读
    中软<b class='flag-5'>国际</b>在大型银行AI项目领域实现<b class='flag-5'>重大突破</b>

    东土科技牵手沙特投资部 鸿道驶入中东千亿级市场

    代表团一行对东土科技自主研发的鸿道Intewell工业操作系统及AUTBUS工业总线芯片给予高度评价,认为鸿道作为中国自主研发的实时工业操作系统,技术水平
    的头像 发表于 04-23 14:04 424次阅读

    芯片离子注入后退火会引入的工艺问题

    本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题:射程末端(EOR)缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
    的头像 发表于 04-23 10:54 1442次阅读
    芯片<b class='flag-5'>离子注入</b>后退火会引入的工艺问题

    光谷企业际上导航移动激光雷达扫描技术取得重大突破

    “这一成果从理论与装备上整体达到国际先进水平,部分关键技术达到国际领先水平,摆脱了对进口软件的依赖,整体成果对于社会经济与国家安全建设具有显著作用。”近日,武汉际上导航科技有限公司(简称际上导航
    的头像 发表于 03-26 18:20 1002次阅读
    光谷企业际上导航移动激光雷达扫描技术取得<b class='flag-5'>重大突破</b>

    砥砺创新 芯耀未来——武汉芯源半导体荣膺21ic电子网2024年度“创新驱动奖”

    的高性能芯片产品,这些产品在性能、功耗、可靠性等方面均达到了国际先进水平,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、物联网等多个领域,赢得了客户的高度赞誉。 此次荣膺21ic电子网“年度创新驱动奖”,是行业
    发表于 03-13 14:21

    托卡马克装置:探索可控核聚变的前沿利器

    年实现首次放电,并在2022年等离子体电流突破100万安培,创造了中国可控核聚变装置运行的新纪录。中国环流三号的建成和运行标志着中国在托卡马
    发表于 03-10 18:56

    汉威科技柔弹性传感器为智能选床垫系统提供支撑

    汉威科技集团是国内首家从事柔弹性传感器研发生产的企业,打造了专业的柔弹性传感器研产体系,已经具备从材料、电子、软件到系统的全链条研发、生产能力,拥有年产数百万件弹性应变传感器的生产线,综合实力已达
    的头像 发表于 02-13 14:24 1008次阅读

    离子注入工艺中的重要参数和监控手段

    本文简单介绍了离子注入工艺中的重要参数和离子注入工艺的监控手段。 在硅晶圆制造过程中,离子的分布状况对器件性能起着决定性作用,而这一分布又与离子注入
    的头像 发表于 01-21 10:52 2888次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>工艺中的重要参数和监控手段

    佳恩半导体IGBT项目科技成果达到国际先进水平

    日前,中科知慧(北京)科技成果评价有限公司组织专家,对青岛佳恩半导体有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究与应用”项目科技成果进行了评审。专家组审阅了相关资料评价认为,该成果技术在该领域达到国际先进水平
    的头像 发表于 01-08 14:16 1322次阅读

    一文了解半导体离子注入技术

    离子注入是一种将所需要的掺杂剂注入到半导体或其他材料中的一种技术手段,本文详细介绍了离子注入技术的原理、设备和优缺点。   常见半导体晶圆材料是单晶硅,在元素周期表中,硅排列在第14位,硅原子最外层
    的头像 发表于 01-06 10:47 2872次阅读
    一文了解半导体<b class='flag-5'>离子注入</b>技术

    离子注入的目的及退火过程

    离子注入后退火是半导体器件制造中的一个关键步骤,它影响着器件的性能和可靠性。 离子注入是将掺杂剂离子加速并注入到硅晶圆中,以改变其电学性质的
    的头像 发表于 01-02 10:22 2297次阅读

    一种离子注入技术:晕环技术介绍

    本文介绍了一种在MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)特征尺寸缩小至深亚微米级别、短沟道效应显著时采用的一种离子注入技术:晕环技术。   离子注入 在半导体制造工艺中指的是离子注入(Ion
    的头像 发表于 12-31 11:49 3315次阅读
    一种<b class='flag-5'>离子注入</b>技术:晕环技术介绍