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重大突破!中国研发高能离子注入机性能已达国际先进水平

如意 来源:百家号 作者: 半导体芯情 2020-06-28 11:36 次阅读
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据业内人士透露,中国知名电子企业中国电子科技集团有限公司近日取得重大技术突破,其自主研发的高能离子注入机已成功实现百万电子伏特高能离子加速,其性能达国际主流先进水平。

据悉,目前国内仅有少数几家拥有自主研发离子注入机器的集团或企业,中国电科有中科院背景,实力超级强大。

据笔者了解到,离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等。

作为芯片生产过程中不可或缺的设备,离子注入机很贵,切大部分依赖进口,如今的极技术突破具有非凡的意义。中国电科旗下电科装备离子注入机总监张丛表示,电科装备将在年底前推出首台高能离子注入机,实现中国芯片制造领域全系列离子注入机自主创新发展,并将为全球芯片制造企业提供离子注入机成套解决方案。

作为电子产业的重要机构,中国电科总是能承担重任,如北斗相关芯片研发也有它的身影。中电科通信子集团54所和国基北方子集团13所承担天通一号移动通信系统终端核心芯片组的技术攻关和产品研制工作。高性能的终端芯片组是制约卫星通信系统建设、行业应用和产业化的主要因素。“我们基于自研,集成设计了基带、射频和功放核心芯片,扩展了功能,形成了包括硬件、平台、驱动、应用等在内的完整的终端解决方案。”本次技术突破,再次增强中国芯片研发和崛起的信心。

据悉,中国电子科技集团有限公司成立于2002年3月1日,成立18年多,是以原信息产业部直属电子研究院所和高科技企业为基础、组建而成的国有大型企业集团,也是国家批准的国有资产授权投资机构之一,由国务院国有资产监督管理委员会直接监管。主要从事国家重要军民用大型电子信息系统的工程建设,重大装备、通信与电子设备、软件和关键元器件的研究。

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