0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

河南渑池县碳化硅半导体材料及砷化镓衬底固废综合利用项目

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-05-10 16:54 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

5月9日,河南渑池县举行了化合物半导体碳化硅材料与固废综合利用砷化镓衬底项目的签约仪式。在仪式上,化合物半导体材料团队执行总监李有群对该项目做了详细介绍。

据了解,此次签约项目涉及锂电池、半导体等新兴产业领域。V观渑池报道称,该项目总投资额达10亿元人民币,包括年产2.5万片碳化硅导电型衬底加工产业化项目以及年产40万片砷化镓晶体及衬底加工制造项目。

前者将建设6/8英寸碳化硅衬底研发及生产线,实现2.5万片的综合产能;后者则计划占地1.2万平方米,建设砷化镓晶体及衬底加工的研发、生产、应用生产线及相关配套设施。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31236

    浏览量

    266544
  • 砷化镓
    +关注

    关注

    4

    文章

    179

    浏览量

    20350
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3546

    浏览量

    52664
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    废物、高热值工业危焚烧领域,工况温度常需维持在1200℃以上,且烟气腐蚀性强。采用高纯氮化硅结合碳化硅的复合内胆,其服役寿命较传统高铝或普通碳化硅
    发表于 03-20 11:23

    衬底到外延:碳化硅材料的层级跃迁与功能分化

    碳化硅衬底和外延片是半导体产业链中的两个关键组件,尽管两者均由碳化硅材料构成,但在功能定位、制备工艺及应用场景等方面存在显著差异。以下是具体
    的头像 发表于 09-03 10:01 2304次阅读
    从<b class='flag-5'>衬底</b>到外延:<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>材料</b>的层级跃迁与功能分化

    碳化硅衬底 TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望

    摘要 本文聚焦碳化硅衬底晶圆总厚度变化(TTV)厚度测量技术,剖析其在精度提升、设备小型及智能测量等方面的最新发展趋势,并对未来在新兴应用领域的拓展及推动
    的头像 发表于 09-01 11:58 1205次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望

    探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅
    的头像 发表于 08-23 16:22 1607次阅读
    探针式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    【新启航】探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    摘要 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅
    的头像 发表于 08-20 12:01 841次阅读
    【新启航】探针式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究

    理论依据。 引言 在第三代半导体产业中,碳化硅衬底的质量对芯片性能和良率起着决定性作用,晶圆总厚度变化(TTV)作为衡量碳化硅衬底质量的关键
    的头像 发表于 08-18 14:33 878次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究

    【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析

    本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异,深入分析两者的性价比,旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据,助力优化资源配置。 引言 在
    的头像 发表于 08-15 11:55 1179次阅读
    【新启航】国产 VS 进口<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的性价比分析

    碳化硅衬底 TTV 厚度测量数据异常的快速诊断与处理流程

    ,为半导体制造工艺的稳定运行提供支持。 引言 在碳化硅半导体制造过程中,TTV 厚度测量数据是评估衬底质量的关键依据。然而,受测量设备性能波动、环境变化、样品特性
    的头像 发表于 08-14 13:29 1381次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量数据异常的快速诊断与处理流程

    激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    提供理论与技术支持。 引言 随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展,对碳化硅衬底质量要求日益严苛,晶圆总厚度变化(TTV)作为关键质量指标,其精确测量至关重要。激光干涉法
    的头像 发表于 08-12 13:20 1331次阅读
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中的精度提升策略

    【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性,为
    的头像 发表于 08-08 11:38 1167次阅读
    【新启航】如何解决<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化碳化硅
    的头像 发表于 07-15 15:00 1415次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    碳化硅衬底切割进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型

    支撑。 一、引言 碳化硅凭借优异的物理化学性能,成为第三代半导体材料的核心。在其衬底加工环节,切割是关键工序。切割进给量直接影响切割效率与材料
    的头像 发表于 06-25 11:22 850次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>切割进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型

    SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案

    碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类,无论是作为单晶还是陶瓷,碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键
    的头像 发表于 06-15 07:30 1685次阅读
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高温绝缘<b class='flag-5'>材料</b>应用方案

    切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言 在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体
    的头像 发表于 06-12 10:03 768次阅读
    切割进给量与<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率
    的头像 发表于 06-07 06:17 1463次阅读