5月9日,河南渑池县举行了化合物半导体碳化硅材料与固废综合利用砷化镓衬底项目的签约仪式。在仪式上,化合物半导体材料团队执行总监李有群对该项目做了详细介绍。
据了解,此次签约项目涉及锂电池、半导体等新兴产业领域。V观渑池报道称,该项目总投资额达10亿元人民币,包括年产2.5万片碳化硅导电型衬底加工产业化项目以及年产40万片砷化镓晶体及衬底加工制造项目。
前者将建设6/8英寸碳化硅衬底研发及生产线,实现2.5万片的综合产能;后者则计划占地1.2万平方米,建设砷化镓晶体及衬底加工的研发、生产、应用生产线及相关配套设施。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
339文章
31236浏览量
266544 -
砷化镓
+关注
关注
4文章
179浏览量
20350 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3546浏览量
52664
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径
废物、高热值工业危废焚烧领域,工况温度常需维持在1200℃以上,且烟气腐蚀性强。采用高纯氮化硅结合碳化硅的复合内胆,其服役寿命较传统高铝或普通碳化硅
发表于 03-20 11:23
碳化硅衬底 TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望
摘要
本文聚焦碳化硅衬底晶圆总厚度变化(TTV)厚度测量技术,剖析其在精度提升、设备小型化及智能化测量等方面的最新发展趋势,并对未来在新兴应用领域的拓展及推动
探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧
本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅
【新启航】探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧
摘要
本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅
【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究
理论依据。
引言
在第三代半导体产业中,碳化硅衬底的质量对芯片性能和良率起着决定性作用,晶圆总厚度变化(TTV)作为衡量碳化硅衬底质量的关键
【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析
本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异,深入分析两者的性价比,旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据,助力优化资源配置。
引言
在
碳化硅衬底 TTV 厚度测量数据异常的快速诊断与处理流程
,为半导体制造工艺的稳定运行提供支持。
引言
在碳化硅半导体制造过程中,TTV 厚度测量数据是评估衬底质量的关键依据。然而,受测量设备性能波动、环境变化、样品特性
激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略
提供理论与技术支持。
引言
随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展,对碳化硅衬底质量要求日益严苛,晶圆总厚度变化(TTV)作为关键质量指标,其精确测量至关重要。激光干涉法
【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题
摘要
本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性,为
切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化
引言
在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体
国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率
河南渑池县碳化硅半导体材料及砷化镓衬底固废综合利用项目
评论