CAN总线设计规范对于CAN节点的输入电压阈值有着严格的规定，如果节点的输入电压阈值不符合规范，则在现场组网后容易出现不正常的工作状态，各节点间出现通信故障。具体要求如表 1所示，为测试标准“ISO 11898-2输出电压标准”。
2015-07-09 10:54:09
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由阈值电压的公式可看出，阈值电压与制造工艺和所加体偏电压VSB有关，所以在设计中把它当成一个常数。 当器件尺寸不断缩小时，此模型不再精确，阈值电压与L、W和VDS有关。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三个端子：栅(G)、源(S)和漏(D)。 因为这种器件是对称的，因而可以源漏互换。 大家都知道，在数字电路中，MOS管作为开关的作用时，栅极电压VG是高电平，晶体管把源极和漏极连接在一起; 如果VG是低电平，则源漏断开。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
MOS之所以能够以电压控制，并起到开关的作用，正是由于上述反型层的机制
2023-11-29 14:19:08785 
分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。
2023-11-29 14:42:33999 
假设mismatch引起的M4/M5之间的阈值电压差值为3mV，则等效到运放输入端的VOS量级为uV，保证M4/M5之间的版图匹配，能有效的减小该值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特触发器（Schmitt Trigger）是一种特殊的门电路，也被称为迟滞比较器或滞回比较器。它具有两个阈值电压，分别对应于输入信号的正向递增和负向递减变化方向。这两个阈值电压称为正向阈值电压和负向阈值电压，它们之间的差值被称为回差电压。
2024-02-23 17:14:21786 
74hc14几脚是输出端和输入端
2016-04-14 10:28:49
阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流ID是多少的状态呢？”。的确
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
STM32是3.3V供电的芯片，在用AD的时候，阈值电压能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
更有优势。74AC14SCX有滞后之间的积极持续和负向输入阈值（通常为1.0V）。温度和电源电压变化。基本上不敏感，这是由内部晶体管的比例确定。74AC14SCX与TTL兼容的输入，输出电流24毫安。
2010-04-13 17:20:09
74HC14 和 74HCT14 为高速四水道CMOS器件，引脚与低功耗肖特基TTL电（输入通道）兼容。他们符合JEDEC标准规定，编码为 7A。74HC14和74HCT14提供六反相与施密特触发器
2010-04-21 11:44:25
公司项目，用74hc595输出一系列的波形。然后我用逻辑分析仪（阈值电压1.5V，高于1.5V为高）抓595的输出端的波形，抓不到。只能抓S8050的C脚才能抓到波形。有大神能给分析下吗？
2019-08-06 23:50:16
，进而使SCR导通。
实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57:00
:0] 中的值如何映射到电压。我假设设置 ADC_HTR 中的所有 12 位将等于可能的最高阈值电压，但我们如何知道该电压是多少？设置 ADC_LTR 中的所有位是否意味着低阈值尽可能低？还是清除所有 12 位将其设置为最小值？
2023-01-13 08:05:01
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而使得管子变慢，这就与上面的结论矛盾
2021-06-24 08:01:38
掉电。 设计的原理图如下： VCC_BAR是系统输入的电压，阈值电压由电阻R1A和R2B的比例来决定。在选择电阻时，只要保持电阻的比例就可以保证阈值电压为同一个结果。但实际在选择时，需要权衡考虑
2023-03-22 15:17:08
如果想改变反相滞回比较器的阈值电压应改变哪些参数呢？
2023-03-24 15:31:42
uo与输入电压ui在平面直角坐标上的关系。 画传输特性的一般步骤是：先求阈值，再根据电压比较器的具体电路，分析在输入电压由最低变到最高(正向过程)和输入电压由最高到最低(负向过程)两种情况下，输出电压
2011-12-22 11:55:09
，与普通的门电路不同，施密特触发器有两个阈值电压，分别称为正向阈值电压和负向阈值电压。在输入信号从低电平上升到高电平的过程中使电路状态发生变化的输入电压称为正向阈值电压，在输入信号从高电平下降到低电平
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特触发器属于电平触发器件，当输入信号达到某一定电压值时，输出电压会发生突变。 ② 电路有两个阈值电压。 输入信号增加和减少时，电路的阈值电压分别是正向阈值电压
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特触发器IC迟滞电压都是固定的，现在需要设定具体的阈值电压值，是否有这样的IC呢?还是只能用运放搭建？
2024-03-13 02:40:35
求反向器IC,类似74HC14,但要引脚比较好走线的,74HC04跟74HC14走线太麻烦了~
2015-12-02 09:21:56
LM311供电为+-12V，VDD为5V，高低阈值电压怎么计算呢？
2018-05-30 22:27:26
发光二极管D3的负极电压是3.6V，即此时PMOS栅极电压VG=3.6V,源极电压VS=5V，VGS=-1.4V。PMOSSI2301ADS的栅极阈值电压如下表所示，最大栅极阈值电压为-0.95V，此条
2019-08-27 04:37:27
估算阈值电压。运放两个输入端电压差近似等于零是比较器输出电压发生跳变的临界条件，当同相输入端的电位高于反相输入端时，输出电压为正饱和值，反之为负饱和值。（2）根据具体电路，分析输入电压由高到低和由低到
2021-12-10 06:30:01
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
施密特触发器是一种特殊的门电路，与普通的门电路不同，施密特触发器有两个阈值电压，分别称为正向阈值电压和负向阈值电压。
2006-07-03 14:22:183706 
电压比较器、方波三角波发生器与压控振荡器一、目的：1、 对电压比较器的理解，学习阈值电压的测量方法。2、 握集成运放在波形发生器值的应用，学习
2009-03-09 11:06:086986 
74C14/74HC14/7414引脚功能管脚定义图 -六反相器(施密特触发器)
2009-04-10 15:11:5317200 
施密特触发器原理及应用
我们知道，门电路有一个阈值电压，当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状
2010-05-27 09:29:323838 
在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
74HC14英文手册
2016-11-02 18:08:34
10 基于抢占阈值调度的动态电压分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:170 面向BTI特征分析的在运行中阈值电压测量
2017-01-22 13:38:087 电压比较器的输出电压与输入电压的函数关系 U0＝f（uI），一般用曲线来描述，称为电压传输特性。电压传输特性的三个要素：输出电平、阈值电压、跃变方向
2017-11-07 10:47:3153915 
阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
2017-11-27 17:18:4367572 
同样具有反相器功能，你知道74HC04和74HC14的具体区别吗？
2017-12-04 16:56:3793333 
，有两个不同的阈值电压（正向阈值电压和负向阈值电压）；状态翻转时有正反馈过程，从而输出边沿陡峭的矩形脉冲。下面我们来具体看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
本文开始介绍了单限比较器的电路和单限比较器的理论分析及计算，其次介绍了单限电压比较器的工作原理，最后介绍了单限比较器阈值的电压计算。
2018-02-26 15:58:0264104 
74hc14一般用于MCU的接口电路，如在主板MCU和面板MCU之间，充任信号倒相、同相驱动（两级反相器串联）、信号的隔离缓冲等角色。
2018-08-02 16:34:5011440 
74HC14是一款兼容TTL器件引脚的高速CMOS器件，逻辑功能为6路斯密特触发反相器，其耗电量低，速度快。
2018-08-03 08:55:5795700 
关于74HC14，它的定义是一个高速度的CMOS器件，特点是能对TTL器件引脚的完美兼容，74HC14集成电路内部封装了六个相同的带施密特功能的反相器，起整形的作用，专门用于对输入信号中非陡峭的上升沿和下降沿变的陡峭。它的输入信号可以是不规则变化的模拟信号或者数字信号。
2018-10-24 09:09:4822802 74HC14的引脚图如下，其中Vcc（14脚）是电源正电压引脚，GND（7脚）是电源地引脚，一片74HC14上共有6个反相器通道，第1、3、5、9、11、13脚分别是通道1、2、3、4、5、6的输入脚，2、4、6、8、10、12脚分别是通道1、2、3、4、5、6的输入出脚。
2018-10-24 10:03:0639341 
sn74hc14n是一个六反向施密特触发器，其具有延迟特性，反向特性，还具有整形等特点。这是一个具有特殊功能的非门，当加在它的输入端A的电压逐渐上升到某个值时（正阈值电压），输出端Y会突然从高电平跳到低电平，而当输入端A的电压下降到另一个值时（负阈值电压），Y会从低电平跳到高电平。
2018-10-24 10:33:198684 74HC14是一款六路施密特触发反相器。可以用到需要反向的电路上，或者提高驱动能力，或者需要对信号做一下整形，都可以用到它。当输入电压由低向高变化时，若电压超过正向阈值电压Vt+，输出为低电平。当输入电压由高向低变化时，输入电压要低于另一个阈值电压Vt-时，输出为高电平。
2018-10-24 11:11:3311170 图3-4是闪存芯片里面存储单元的阈值电压分布函数，横轴是阈值电压，纵轴是存储单元数量。其实在0或1的时候，并非所有的存储单元都是同样的阈值电压，而是以这个电压为中心的一个分布。读的时候采样电压值，落在1范围里面，就认为是1；落在0范围里面，就认为是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
一、为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降?
【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的栅极电压。对于
2019-01-27 10:42:098022 
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，MOSFET 耗尽区的电荷的变化，从而分析其对晶体管的阈值电压的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
为什么厂家在产品投入使用前，都必须要进行CAN节点DUT的输入电压阈值测试呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验，我们证明：1）在高温和负栅偏压（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一个简单的示波器装置，研究了由正向栅偏压引起的gan基金属绝缘体半导体hemts阈值电压漂移（vth）的快速动力学。我们发现，vth的对数恢复时间依赖性，以前发现的恢复时间从10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负漂移。该器件在强pinch-off和低漏源电压条件下偏置一定时间（反向栅极偏置应力），然后测量传输特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 施密特触发器也有两个稳定状态， 但与一般触发器不同的是， 施密特触发器采用电位触发方式， 其状态由输入信号电位维持； 对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阀值电压。门电路有一个阈值电压， 当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状态将发生变化。
2019-12-17 08:00:006 比传统的逆变器具有更大的噪声容限。每个电路包含施密特触发器、达林顿电平移位器和驱动TTL图腾极输出的分相器。施密特触发器使用正反馈有效地加速慢输入跃迁，并为正向和负向跃迁提供不同的输入阈值电压。正向和负向输入阈值之间的滞后（通常为800 mV）由电阻比内部确定，基
2020-05-25 08:00:004 比传统的逆变器具有更大的噪声容限。每个电路包含施密特触发器、达林顿电平移位器和驱动TTL图腾极输出的分相器。施密特触发器使用正反馈有效地加速慢输入跃迁，并为正向和负向跃迁提供不同的输入阈值电压。正向和负向输入阈值之间的滞后（通常为800 mV）由电阻比内部确定，基
2020-05-25 08:00:001 为什么厂家在产品投入使用前，都必须要进行CAN节点DUT的输入电压阈值测试呢？因为CAN总线设计规范对于CAN节点的输入电压阈值有着严格的规定，若不符合规范，则组网后容易出现各节点间出现通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453阈值电压与数字电压 VL
2021-03-18 20:33:082 74HC14是一款高速硅栅CMOS电路，其引脚兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。该电路符合JEDEC 标准no.7A。 74HC14提供六路施密特倒相模块。它们能够将缓慢变化的输入信号转变成急剧变化的输出信号。
2022-03-29 14:56:2121 画传输特性的一般步骤是：先求阈值，再根据电压比较器的具体电路，分析在输入电压由最低变到最高(正向过程)和输入电压由最高到最低(负向过程)两种情况下，输出电压的变化规律，然后画出传输特性。
2022-10-20 13:55:3611866 而现代集成电路一般使用MOS管，其本质是一个压控开关。压指的就是栅极的电压，而它控的就是源极和漏极之前的电流。既然叫做开关，那就需要有一个区别开态与关态的状态。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一个工艺节点下面）阈值电压与栅长之间的关系。当沟道长度比较长的时候，Vt值是比较稳定的。随着沟道长度的减小，阈值电压会下降（对于PMOS而言是绝对值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 TPS382x 系列监控器主要为 DSP 以及基于处理器的系统提供电路初始化和计时监控等功能。上电期间，RESET 会在电源电压 VDD 超出 1.1V 时置为有效。因此VDD 保持在阈值电压
2023-01-12 09:18:351147 继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
精确控制集成电路中MOSFET的阈值电压对电路的可靠性至关重要。通常情况下，阈值电压是通过向沟道区的离子注入来调整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）。具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为阈值电压。
2023-03-10 17:43:114541 由于SiC MOSFET与Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试
2023-05-09 14:59:06853 
8.2.9阈值电压控制8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
74hc14与74hc14d的区别 74HC14与74HC14D都是集成电路型号，这两种型号的区别主要在于包装形式和外延尺寸。 一、74HC14的介绍 74HC14是一款由NXP公司生产的CMOS
2023-08-18 11:14:342852 它们看起来相似，但它们之间有一些明显的区别。 首先，74HC14和74AC14采用不同的工作电压范围。 74HC14是高速CMOS器件，其工作电压范围为2V至6V，相比之下，74AC14是高速CMOS
2023-08-18 11:14:361467 74hc14与74hct14的区别 74HC14与74HCT14是两种常见的逻辑门芯片，它们的共同作用是将输入信号转换成输出信号。两者的区别在于HCT family具有有源钳制（active
2023-08-18 11:14:391834 74hc14与74hc04的区别 在数字逻辑电路设计中，集成电路起着至关重要的作用。这些电路通常由许多晶体管和其他元器件组成，使得它们的设计和制造变得更加高效和简单。74HC14和74HC
2023-08-18 11:14:462928 如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚阈值电压对电池延迟的影响。(注：以下电阻公式是关于NMOS的。您也可以为PMOS导出类似的公式(只需将下标“n”替换为“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影响MOSFET阈值电压的因素 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的半导体器件，具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点。MOSFET的阈值电压是决定其工作状态的重要参数，影响着
2023-09-17 10:39:446679 为什么亚阈值区还有电流？为什么亚阈值区电流饱和条件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亚阈值区是指晶体管工作状态下，栅极电压小于阈值电压的区域。在这个区域内，晶体管会出现漏电流，造成能量浪费和损耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 74HC14是一款高速硅栅CMOS电路，其引脚兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。该电路符合JEDEC标准no.7A。74HC14提供六路施密特倒相模块。它们能够将缓慢变化的输入信号转变成急剧
2022-04-27 10:53:525 的触发器。它的基本组成元件是两个比较器，一个用于正向比较，另一个用于反向比较。当输入信号的电压达到或超过正向比较器的阈值电压时，输出由低电平翻转为高电平。同样，当输入电压下降到或低于反向比较器的阈值电压时，输出
2024-01-17 15:00:08512
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