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联电新推40nmSST嵌入式快闪记忆存储器制程

联电新推40nmSST嵌入式快闪记忆存储器制程

联华电子宣布,推出的40nm纳米SST嵌入式快闪记忆,在以往55纳米单元尺寸减少20%以上,整体缩小了20~30%。东芝电子元件&存储产品公司赈灾评估这个微处理器芯片。...

2018-01-04 标签:存储器联电40nm工艺东芝电子 84

三星投资60%部署NAND闪存业务 预测将出现供大于求

三星投资60%部署NAND闪存业务 预测将出现供大于求

根据2017年的存储器市场来看,价格的大幅度上涨,内存市场面临着激烈的竞争,市场供不应求的局面,致使三星计划将加大投入扩大芯片产能,但是外界人士认为内存厂商大规模的扩大芯片产...

2018-01-03 标签:dramnand三星 167

中韩存储器厂商欲扩产 2019年或将爆发半导体原料缺货危机

中韩存储器厂商欲扩产 2019年或将爆发半导体原料缺货危机

根据21017年存储器市场的需求来看,今年中韩存储器业将纷纷扩大存储器芯片产能,预定2018、2019 年投产。外界担忧,大规模的扩产将有可能导致2019 年半导体原料大缺货。...

2018-01-03 标签:三星存储器清华紫光 148

DRAM涨价趋势2018年将开始下滑 恐将2年之久

DRAM涨价趋势2018年将开始下滑 恐将2年之久

2017年的DRAM价格受惠于数据中心需求,报价一路上扬,在第四季依然取得不俗的成绩。根据历史趋势来看,DRAM涨价趋势将会2018年开始下滑,最长恐将2年之久。...

2018-01-03 标签:dram三星苹果 199

复旦大学成功研发光敏感性半导体内存

复旦大学成功研发光敏感性半导体内存

有新闻报道,复旦大学设计出了一种新型态基于原子级薄度的半导体设计出一种内存,透过二维过度金属材料创造出一种原子级薄度的半导体,不需要电力辅助用光线就能消除储存数据。...

2018-01-02 标签:半导体内存 100

三星电子/海力士夸大DRAM市场缺口 纵容价格涨价

三星电子/海力士夸大DRAM市场缺口 纵容价格涨价

2017年内存缺货涨价已经是众所周知的事情,因为异常的市场涨价趋势,已经引起了发改委的调查,称内存涨价的背后将有可能涉嫌企业垄断。可有知情人士透露,内存会如此涨价是因为相关的...

2018-01-02 标签:dram海力士三星电子 276

旺宏NOR快闪存储器 形塑超高省电应用与发展

旺宏NOR快闪存储器 形塑超高省电应用与发展

随著半导体制程技术不断演进,芯片的晶体管的密集度屡创新高之际,同步也朝向更省电的发展推进,旺宏电子(Macronix)自推出业界最快的SPI NOR Flash系列存储器产品,以500MB/s传输速率的8 I/...

2018-01-02 标签:旺宏电子微控器快闪存储器 83

WDC透过RISC-V加速大数据应用发展

WDC透过RISC-V加速大数据应用发展

未来将致力于透过RISC-V Foundation,引领以数据为中心的运算环境发展。RISC-V为规模弹性的开放运算架构,无论在关键的云端资料中心,或远程的行动系统,皆可促进大数据(Big Data)与快数据(Fast...

2017-12-30 标签:大数据西部数据risc-v 99

发起硬盘效能新革命 希捷强推Multi Actuator技术

发起硬盘效能新革命 希捷强推Multi Actuator技术

希捷推动了硬碟效能的新一轮革命,发表了Multi Actuator技术,可以让新世代硬碟提升双倍效能,可以享受硬碟最高效能的同时兼顾管理大量持续爆炸性增长的资料。...

2017-12-29 标签:硬盘希捷 295

下一代存储芯片,国产芯片商开始弯道超车!

下一代存储芯片,国产芯片商开始弯道超车!

最近,一张印有紫光国芯(UniIC)LOGO 的内存条出现在了网络上,有人称这就是紫光自主研发的 DDR4 内存。一开始大家还不太相信图片的真实性,因为贴纸上出现了 PC3-12800U 的字样,对应的其实...

2017-12-29 标签:存储器DDR4紫光国芯 475

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存开始量产

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存开始量产

近日华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台已经宣布量产,是在第一代的基础上实现了多方面的技术提升。目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入...

2017-12-28 标签:华虹半导体嵌入式闪存 98

紫光DDR4内存正在路上 预计明年推向市场

紫光DDR4内存正在路上 预计明年推向市场

回首过去一年的存储芯片市场,涨价永远都是关键词,一连7个季度的涨价,这是由于闪存、内存涨价有市场供需失衡的原因,中国在这个领域毫无发言权。紫光生产的DDR4内存让我们看到了国产...

2017-12-28 标签:ddr4紫光国芯 186

芯片涨价被中国发改委监控 调查是否存在价格操纵

芯片涨价被中国发改委监控 调查是否存在价格操纵

一连7季度的芯片涨价透露了异常的市场起伏,现在中国发改委对芯片涨价事件异常关注,将会深入调查是否存在潜在价格操纵。...

2017-12-28 标签:三星存储芯片sk海力士 198

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

香港, 2017年12月27日 - (亚太商讯) - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂华虹半导体有限公司 (华虹半导体或公司,连同其附属公司,统称集团,股份代号:1347.HK) 今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (...

2017-12-27 标签:存储器华虹半导体嵌入式闪存 3831

传紫光将与SK海力士就闪存技术许可达成合作

传紫光将与SK海力士就闪存技术许可达成合作

网上有传闻紫光集团已经和SK海力士达成了合作,合作的内容是就芯片闪存技术许可相关事宜。不久紫光集团马上出来澄清,表示未与SK海力士进行任何事宜谈判或合作,纯属捕风捉影的市场传...

2017-12-27 标签:闪存技术sk海力士紫光集团 115

东芝计划建第7座闪存工厂(Fab7),与三星、Intel一决高下

东芝计划建第7座闪存工厂(Fab7),与三星、Intel一决高下

据悉,东芝的第 6 座工厂(Fab 6)还没有完工,东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂,韦德就是能在2018年与三星,Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一...

2017-12-27 标签:东芝三星intelsk海力士 138

三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

三星的DRAM市场表现十分强劲,并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求,三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。...

2017-12-27 标签:dram三星10纳米工艺 97

dsp芯片可分为哪几个存储区

dsp芯片可分为哪几个存储区

DSP即数字信号处理技术,DSP芯片即指能够实现数字信号处理技术的芯片。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构,具有专门的硬件乘法器,广泛采用流水线操作,提供特殊的DSP指令,可以...

2017-12-27 标签:dsp芯片 100

抢夺英特尔在芯片领域宝座 三星称王

抢夺英特尔在芯片领域宝座 三星称王

芯片领域英特尔占据25年来的霸主,这25年以来,鲜有可以与其比肩的对手。2017年的格局终于被打破,Intel丢掉了全球最大芯片厂商宝座,后继者是靠存储芯片飙升的三星。...

2017-12-26 标签:英特尔三星存储芯片 143

SSD市场出货量排名:金泰克夺魁,三星居八

最近SSD最新出货量的数据已经出炉,位居前五的分别是金泰克、台电、金士顿、七彩虹、影驰。其中三星落后在第八名。...

2017-12-25 标签:三星台电ssd 171

Intel第三代1TB 3D闪存 单Die将升级到512Gb

Intel第三代1TB 3D闪存 单Die将升级到512Gb

在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技术,Intel的单Die升级到了512Gb,不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。...

2017-12-25 标签:intel3d闪存 129

三星存储业务派狼将金奇南对战SK海力士 SK海力士如临大敌

三星存储业务派狼将金奇南对战SK海力士 SK海力士如临大敌

三星的金奇南犹如一名狼将,金奇南的狼性展现在他的投资企图上,是一名难得的竞争对手。对于金奇南出任存储业务的CEO时,SK海力士如临大敌般的恐慌。...

2017-12-25 标签:三星sk海力士 84

内存市场状况分析:2018年DRAM持续吃紧 NAND将供过于求

内存市场状况分析:2018年DRAM持续吃紧 NAND将供过于求

近一年来了内存价格的起伏不定,准确的说是水涨船高,明年的市场状况又将迎来如何的转变。据悉明年上半年DRAM将持续吃紧、NAND恐供大于求。...

2017-12-25 标签:dramnand 180

美光已完成12Gbps /14Gbps GDDR6认证 计划2018年量产

美光已完成12Gbps /14Gbps GDDR6认证 计划2018年量产

GDDR6 将有望成为2018年性能最强的显示卡记忆体,不过相比GDDR5 ,GDDR6 的价格可能比较昂贵。据报道,美光宣布已经完成了GDDR6 设计与内部认证,公司计划会在 2018 年上半年量产 GDDR6。...

2017-12-25 标签:美光gddr6 112

DRAM供不应求,2018市场将是大好年!

DRAM供不应求,2018市场将是大好年!

受惠于人工智慧及云端运算对高效能运算的强劲需求,2018年伺服器出货量可望创下新高,也带动伺服器DRAM强劲需求,但以目前三大DRAM厂产能布建情况来看,主流的伺服器DDR4明年将缺货一整年...

2017-12-25 标签:DRAM存储器美光 1478

如何看待闪存和磁盘之间的争议

如何看待闪存和磁盘之间的争议

人们对于闪存和磁盘之间的争议从来没有停止过,更多地关注是他们的性价比。相对于磁盘,闪存无论是在性能提升,闪存的速度一部分原因在于NAND的使用,闪存值得关注的另一个方面是它的...

2017-12-24 标签:闪存磁盘 156

叫板三星 紫光成功研发国产首条自主DDR4内存

叫板三星 紫光成功研发国产首条自主DDR4内存

DRAM内存制造技术一直都是国家最为关注的重要战略之一。在内存市场中国没有足够的话语权,都被三星、SK海力士、美光几家企业几乎垄断。据报道,紫光打造的中国第一款自主的PC DDR4内存条...

2017-12-22 标签:三星紫光ddr4内存 397

移位寄存器怎么用_如何使用移位寄存器_移位寄存器的用途

移位寄存器怎么用_如何使用移位寄存器_移位寄存器的用途

移位寄存器是一个具有移位功能的寄存器,是指寄存器中所存的代码能够在移位脉冲的作用下依次左移或右移。本文主要介绍了移位寄存器的用途以及移位寄存器的用法详解。...

2017-12-22 标签:移位寄存器 148

三星全球首发第二代10nm DRAM产品

三星全球首发第二代10nm DRAM产品

三星被人称为世界最赚钱的公司之一,三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是让人羡慕不已。...

2017-12-22 标签:dram三星10nm工艺 161

移位寄存器的特点_移位寄存器工作原理

移位寄存器的特点_移位寄存器工作原理

目前移位寄存器在电路中已经得到普遍使用。本文以移位寄存器为中心。主要介绍了移位寄存器分类、移位寄存器的特点,以及详细的说明了移位寄存器的工作原理。...

2017-12-22 标签:移位寄存器 202

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