什么是NAND 型 Flash 存储器?
前言NANDFlash和NORFlash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORFlash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDFlash结构,后者的单元电...
2024-03-01 705
喜讯!忆联再次以第一成交候选人入围中国移动SSD硬盘AVAP项目
近日,中国移动公示了2023年至2024年SSD硬盘AVAP合作商第一批次引入项目采购包1-通用SATA的中标候选人,忆联以第1成交候选人中标。值得一提的是,在2023年年末,忆联同样以第一成交候选人入围...
2024-03-01 815
曙光存储推出ParaStor分布式全闪存储
曙光存储推出ParaStor分布式全闪存储,携业内首创技术XDS,以训练加速、稳定性强、性价比高的独特价值,全维度涵盖网络、计算和平台,为千行百业的AI大模型开发者提供存储解决方案。...
2024-03-01 120
AI时代势不可挡,HBM价格飙升突显其核心价值
与传统的DRAM相比,HBM拥有更高的数据容量和更低的功耗,使其成为需要高性能和高效率的人工智能应用程序的理想选择。 一位业内人士表示,在人工智能计算系统领域,目前没有其他内存芯片...
2024-03-01 111
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比
AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发,且伴随服务器平均HBM容量增加,经测算,预期25年市场规模约150亿美元,增速超过50%。...
2024-03-01 176
利用CXL技术重构基于RDMA的内存解耦合
本文提出了一种基于RDMA和CXL的新型低延迟、高可扩展性的内存解耦合系统Rcmp。其显著特点是通过CXL提高了基于RDMA系统的性能,并利用RDMA克服了CXL的距离限制。...
2024-02-29 291
美光抢滩市场,HBM3E量产掀起技术浪潮
除了GPU,另一个受益匪浅的市场就是HBM了。HBM是一种高性能的内存技术,能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟,这使得其在需要大量数据传输和处理的人工智能应用中具有显著优势。...
2024-02-29 95
以太网存储网络中的拥塞控制与管理策略
当出口队列利用率超过上升阈值时,Cisco Nexus 9000 交换机可检测到微突发。当队列利用率低于下降阈值时,微突发结束。根据交换机型号的不同,本文撰写时的最小微突发粒度为 0.64 微秒,持续...
2024-02-29 168
HBM市场火爆!美光与SK海力士今年供货已告罄
美光指出,专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产,有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示,“2024年1~12月,美光HBM预估全数售罄”。...
2024-02-27 129
数据存储技术未来发展趋势与前景展望
数据存储对于数据挖掘与分析、数据整合与共享、智能决策支持、业务模式创新以及优化资源配置等方面具有重要作用。按照存储介质不同,数据存储技术主要可分为磁性存储、光学存储以及半...
2024-02-27 281
索尼新突破:半导体激光器让数据存储迈向30TB时代
日本索尼正通过大规模生产激光二极管来显著提升大容量机械硬盘(HDD)的存储容量,以满足全球AI数据中心日益增长的数据存储需求。...
2024-02-25 105
国内光存储技术迎重大突破,“超级光盘”诞生,存储容量超普通光盘万倍
电子发烧友网报道(文/黄山明)在数据爆炸的今天,尤其随着AI的高速发展,文字、图片甚至视频都开始能够被AI批量生成,这意味着整个社会即将迎来新一轮的数据浪潮。与之相对的是,数...
2024-02-26 3387
我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元
我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元 据新华社的报道,中国科学院上海光学精密机械研究所与上海理工大学等合作,在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破性...
2024-02-22 1322
2023年存储芯片公司业绩爆冷,存货周转高达635天,DRAM反转涨价
电子发烧友网报道(文/刘静)近期,国内多家存储芯片上市公司发布2023年业绩预告。为了了解去年存储芯片企业的发展情况,电子发烧友整理了存储芯片业务占比超50%的上市公司业绩。 存储...
2024-02-22 3107
IBM积极推进Ceph扩展,以打造AI领域的底层数据存储基石
BM正着手扩展Ceph的块和文件存储功能,希望将其定位为Storage Scale并行文件系统之下面向AI工作负载的后端数据存储。...
2024-02-20 112
首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力
江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域,产品及服务获得客户高度认可。继自研SLCNANDFlash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash也于近日问世。该产品采用BGA132封装,支...
2024-02-19 464
罗彻斯特电子提供一种SLC和eMMC NAND存储解决方案
罗彻斯特电子为停产和已停产(EOL)元器件提供授权供货渠道和许可生产再制造解决方案,满足各个行业不同系统的需求。...
2024-02-20 369
ChrentDDR4的特性
DDR5已经开始商用,但是有的产品还在使用DDR4,本文将分享一些DDR4的测试内容。DDR4和前代的DDR3相比,它的速度大幅提升,最高可以达到3200Mb/s,这样高速的信号,对信号完整性的要求就更加严...
2024-02-19 318
浅谈存储器层次结构
通过多级存储器的设计,存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度,而辅助存储器则提供了大量的存储空间。...
2024-02-19 111
NAND Flash的写入速度和擦除速度分别是多少
NAND Flash的写入速度和擦除速度会受到多种因素的影响,包括Flash芯片的具体型号、制造工艺、以及操作环境等。因此,无法给出确切的数值。...
2024-02-19 661
nandflash和norflash的主要特点和区别
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮栅场效应晶体管(Floating Gate FET)的结构。它们都包含源极(Source)、漏极(Drain)、控制栅(Control Gate)和浮栅(Floating Gate)。...
2024-02-19 377
NOR FLASH的结构和特性及原理图
与NAND Flash相比,NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本,但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。...
2024-02-19 606
浅谈flash存储器的特点和优缺点
Flash存储器的写操作具有特殊性,它只能将数据位从1写成0,而不能从0写成1。因此,在对存储器进行写入操作之前,必须先执行擦除操作,将预写入的数据位初始化为1。...
2024-02-19 499
MRAM特性优势和存储原理
MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显...
2024-02-19 357
SRAM CLA和SRAM有什么区别
每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成,这两个反相器相互连接,每个反相器的输出电位被用作另一个反相器的输入。这种结构使得每个SRAM单元都可以保存一个二进制位(0或1),直到它被新...
2024-02-19 327
一文详解以太网MAC芯片与PHY芯片
MII即媒体独立接口,它是IEEE-802.3定义的以太网行业标准."媒体独立"表明在不对MAC硬件重新设计或替换的情况下,任何类型的PHY设备都可以正常工作.它包括一个数据接口,以及一个MAC和PHY之间...
2024-02-19 333
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