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存储技术

45岁“老男孩”曾学忠做了什么 一年时间将展锐变成巨无霸独角...

毫无疑问,从行业发展周期来看,曾学忠做出了最正确的选择。对于为什么从中兴到紫光,清华大学物理系毕业的曾学忠先是笑称自己是“投奔母校”。

2018-04-17 标签:存储芯片紫光展锐曾学忠 95

“中国芯”国际地位要提高 长江存储要用5年时间达到世界水平

目前,全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中,属于相对垄断市场。去年6月,三星宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品,将推动以TB为单位的固态盘以及128GB以上的手机闪存迅速普及。

2018-04-17 标签:nand闪存芯片长江存储 358

T5503HS2高速存储器芯片测试系统 传输率高达6.4Gb...

此存储器超级循环拜行动电子装置与服务器终端市场成长之赐。根据市调机构IHS Markit, 自2009年至今,Mobile DRAM于整体DRAM产业的市占率已成长5倍以上。IHS Markit更预测,至2021年,来自行动电子、资料中心、汽车、博奕游戏与显卡等各种资料处理应用所需要的DRAM总容量,将达到1,200亿个Gbit存储器。为

2018-04-17 标签:存储器芯片T5503HS2 24

东芝存储器意图东山再起 成败取决于中国政府

美日等国的审查已顺利结束,但被视为最大难关的中国政府的审查于2017年12月才启动。一般来说,审查时间为4个月,原定于3月底完成出售的目标在当时就令人担忧。实际上在3月底并未通过审查。 中国政府以在全球和中国市场分别销售一定数量以上产品的企业为对象,在进行合并和经营权转移之际实施反垄断审查。中国将半导体定为政策性产业,围绕东芝存储器的出售,当时就有很多观点指出审查将长期化。

2018-04-11 标签:东芝存储器 83

FLASH存储器怎样写入数据

MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFFh开始,每512字节为一段进行分配。

2018-04-10 标签:寄存器FLASH存储器 74

复旦大学计划研发第三类存储技术

写入速度比目前U盘快10000倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试,复旦大学科研团队研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。

2018-04-11 标签:存储技术 78

大数据业务涉及的技术领域介绍

大数据业务涉及的技术领域介绍...

2018-04-03 标签:机器学习大数据分布式计算 410

边缘计算对“芯”需求 英特尔至强D-1500加速边缘应用

近两年来,边缘计算这个词频繁被提及,得益于前期ETSI、3GPP等国际标准组织的推动,2016年在国内成立的边缘计算产业联盟(ECC)也致力于推动边缘计算在行业数字化转型中发挥作用,近期OpenStack基金会甚至也成立了专门的工作组以关注OpenStack对边缘计算平台的支持。

2018-03-30 标签:芯片边缘计算 88

紫光入场公有云 看好云服务和云存储市场?

紫光入场公有云 看好云服务和云存储市场?...

2018-03-30 标签:公有云紫光集团 447

紫光与英特尔采购密约曝光 存储领域已现狼子野心

上周特朗普突然其来的点燃中美贸易战引线的动作,固然引发市场震撼,但必须注意的是,中美双方的谈判其实早已进行很长一段时间,两者之间的相互试探底线、角力拉扯,是谈判必然的历程,不论是中国或美国都不会在毫无准备的情况下展开谈判。

2018-04-11 标签:英特尔闪存美光紫光 99

旺宏接单报捷 NOR Flash获ST采用

旺宏接单报捷,旗下编码型快闪存储器( NOR Flash)获意法半导体(STM)新款微控制器采用,导入汽车、工业及消费电子等领域。

2018-03-30 标签:意法半导体旺宏快闪存储器 73

新型集成光子回路制备技术 将计算机通信运行提速100倍

北京大学现代光学所陈建军研究员对记者说,到目前为止,研制太赫兹处理频率的微芯片面临两大挑战:芯片发热和难于扩展。但耶路撒冷希伯来大学物理学家乌列·列维博士及其团队,展示了新型光学器件制备技术的概念验证。该新技术结合了光通信的处理速度快和电子设备制造的可靠及可扩展性,有望解决上述两大“拦路虎”。

2018-03-28 标签:闪存光子芯片 194

SSD降价美梦被打碎 涨价势头更猛

据ETNews,统计机构IC Insights绘制的最新图表显示,每Gb DRAM芯片的价格在2018年1月份达到0.97美元,同比增长47%,这一增幅甚至比30年前的45%峰值还要夸张。 与之相对应的产量方面,增长却十分缓慢。观察人士称,主要是DRAM也进入10nm级别的制程,良率的提高不像以前那么快了。

2018-03-19 标签:三星ssd 665

三星计划在西安扩大闪存产能 未来三年投70亿美元

2017年8月底,三星电子宣布与陕西省政府达成合作协议,将扩大西安高新区工厂的 闪存产能 ,新建二期项目,未来三年投资70亿美元。 与此同时,三星也在韩国本土不断加大投资,连续开建两座新工厂,都兼具内存、闪存生产能力。

2018-03-19 标签:三星ssd 314

全球存储器市场再爆震撼弹 扩产杀价竞争风暴再起

韩国三星、SK海力士,以及美光等三大主要内存芯片厂重启产能扩建行动,加上中国大基金与紫光集团同步加码投入内存的资金和人力,市调机构示警,明年内存市场将再陷激烈杀价竞争风暴,NAND Flash供过于求的情况恐更甚于DRAM。

2018-04-11 标签:东芝nand三星存储器SK海力士 81

国际存储芯片市场超级景气将结束 人才引进是捷径

我国存储芯片行业的动向不只影响着整个国际半导体市场,也成为三星电子、SK海力士等存储芯片垄断企业营业利润和股价的最大变数,一直以来在这一领域保持领先的韩国企业感受到了真切的威胁。近日韩国媒体《韩国经济新闻》以“快马加鞭的中国半导体崛起”报道了中国存储芯片产业的快速发展。

2018-04-11 标签:三星电子存储芯片SK海力士 68

武汉市正在重点打造存储器 长江存储首个芯片计划量产

万勇透露,武汉国家存储器基地计产能10万片/月的一号生产及动力厂房,首个芯片会在2018年点亮,明年实现量产。而获得国务院批复的武汉国家存储器基地,规划建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房,到2022年全部达产后,产能将达到30万片/月,成为世界一流的存储器生产基地。他表示,武汉围绕芯片上游的设计封装、下游的器件和应用系统,建立存储生态产业链。

2018-04-12 标签:存储器长江存储 128

大量晶圆厂关闭或移为他用 全球三大存储器厂优势仍在

自2008年到2009年全球经济衰退爆发以来,IC厂商为提高晶圆生产成本效益,一直在努力减少8寸以下晶圆厂产能,并转往更大尺寸晶圆生产发展。半导体厂商间兴起的购并风潮,以及朝向20纳米以下制程发展的同时,也有助于半导体制造厂商淘汰低效能老旧晶圆厂。

2018-04-12 标签:台积电存储器晶圆 104

中国存储器产业如何发展?

中国存储器产业如何发展?本文从纯市场的角度,就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考。

2018-03-07 标签:dram紫光长江存储长鑫晋华 380

紫光DDR4内存挂羊头卖狗 并没有使用国产颗粒还是韩国的

目前在售的紫光DDR4内存并没有使用国产颗粒,而是SK Hynix颗粒,是韩国公司的颗粒,也就是说现在的国内DDR4内存依然是挂羊头卖狗肉,跟市场上其他内存条没有什么区别,国产的只是PCB之类的。不过店家也很坦诚,说紫光颗粒的DDR4内存下半年问世。

2018-03-05 标签:紫光ddr4内存 523

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