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电子发烧友网>存储技术>

存储技术

提供全球最前沿存储技术,云存储技术、快速存储技术、虚拟存储技术、存储解决方案、与英特尔快速存储技术等存储技术新闻、产品信息及技术热点。
江波龙蔡华波谈存储模组转型,破营收瓶颈

江波龙蔡华波谈存储模组转型,破营收瓶颈

从NAND Flash芯片到尖端固件算法,再到主控芯片,江波龙已实现了较完整的存储芯片自主设计能力,为公司在存储行业的持续发展和创新奠定坚实基础。...

2024-03-22 标签:存储卡Nand flash江波龙存储模组 113

AI时代,存强则强

AI时代,存强则强

以存强算,以存强训,以存强安...

2024-03-22 标签:存储AI存力 1632

美光科技Q2业绩超预期 营收同比增长58%

美光科技Q2业绩超预期 营收同比增长58% 美光科技Q2业绩超预期,截至2月29日的第二财季,美光营收同比增长58%,高达58.2亿美元,大幅超出分析师的预测。 叠加数据中心和人工智能等领域的应用...

2024-03-21 标签:美光科技HBMHBM3 297

三星半导体UFS新品即将来袭,UFS 4.0和UFS 5.0即将推出

UFS 4.0的技术升级令人瞩目。与旧版本相比,其通道数量翻倍,从原先的2路升至4路,如同拓宽的高速公路,让数据传输通道更为畅通,能够并行处理更多数据流。...

2024-03-21 标签:闪存数据中心三星半导体UFS三星 403

江波龙与西部数据拓展业务合作,共同助力大中华区手机存储市场

随着人工智能技术的持续突飞猛进,对先进存储解决方案的需求也在急剧攀升。特别是AI大模型在边缘设备和移动设备领域的逐步应用,对高可靠、高性能存储的需求将大幅增长。为了满足不断...

2024-03-21 标签:江波龙 103

AI需求引爆存储市场,2024存储市场趋势如何?CFMS给出预测

AI需求引爆存储市场,2024存储市场趋势如何?CFMS给出预测

3月20日,2024年中国闪存市场峰会CFMS在深圳前海华侨城JW万豪酒店盛大召开,三星、SK海力士、美光、铠侠、长江存储等内存大厂高管纷纷发表重磅演讲,深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜...

2024-03-21 标签:存储HBMDDR5pcleAI服务器 3012

AI时代,忆恒创源如何定义SSD?

AI时代,忆恒创源如何定义SSD?

电子发烧友网报道(文/黄山明) 作为专注于存储技术和应用的产业峰会,今年的CFMS如期在深圳召开。与往期有很大区别的是,今年的分享中,聊的更多的其实是AI,或者说是AI将对存储带来的...

2024-03-21 标签:存储SSDAI忆恒创源 2696

SK海力士展示业界最高标准适于AI应用的存储器产品

3月18日至21日,SK海力士在圣何塞举办的2024年度英伟达GPU技术大会(NVIDIA GTC 2024,NVIDIA GPU Technology Conference 2024)上,展示了公司最新适于AI应用的存储技术。...

2024-03-21 标签:存储器数据传输NVIDIASK海力士HBM 266

CFMS2024 | 江波龙:突破存储模组经营魔咒

CFMS2024 | 江波龙:突破存储模组经营魔咒

3月20日,2024中国闪存市场峰会(以下简称“CFMS2024”)在深圳成功举行,本届CFMS2024以“存储周期 激发潜能”为主题,汇聚了全球存储产业链及终端应用企业,共同探讨新的市场形势下的机遇。...

2024-03-20 标签:江波龙 176

SK海力士调整在华业务布局,重心转向无锡工厂

SK海力士正对其在中国的业务进行全面重组。这一决策的背后,反映出公司对地缘政治风险的高度警觉和积极应对。...

2024-03-20 标签:DRAMNAND半导体制造SK海力士 660

SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。...

2024-03-20 标签:存储器人工智能数据处理SK海力士HBMHBM3E 400

什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核

什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核

Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。...

2024-03-20 标签:处理器DRAM人工智能内存控制器HBMHBM3E 409

3D NAND的沟道通孔刻蚀工艺步骤

3D NAND的沟道通孔刻蚀工艺步骤

沟道通孔(Channel Hole)指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面,穿过多层存储单元的细长孔洞。这些通孔贯穿整个堆叠结构,并填充了导电材料,它们在每个存储层之间形成导电通道,从而使电子...

2024-03-20 标签:刻蚀3d nand 70

3D NAND的主要制作流程

3D NAND的主要制作流程

SiO2与SiNx交替镀膜,每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同,膜层的层数也不同。图中只是示意图,只有几层。但实际有64,128,400层等层数。...

2024-03-19 标签:3d nand芯片制程 147

工业存储新势力,康盈半导体助力工业数智化升级

工业存储新势力,康盈半导体助力工业数智化升级

聚焦数智工业,共襄数智盛会。3月14日,2024 CAIMRS中国自动化+数字化产业年会在杭州召开。KOWIN康盈半导体受邀参加,展示了嵌入式存储芯片、固态硬盘、移动固态硬盘、移动存储卡、内存条等...

2024-03-19 标签:存储 88

四川长虹回应帮华为代工 HBM芯片备受关注

四川长虹回应帮华为代工 HBM芯片备受关注 AI的爆发极大的推动了HBM芯片的需求;今日市场有传闻称四川长虹将为华为代工HBM芯片,对此传言四川长虹回应称,尚未收到相关消息。 “HBM”作为一...

2024-03-18 标签:华为长虹HBMHBM3 3270

JEDEC发布:GDDR7 DRAM新规范,专供显卡与GPU使用

JEDEC发布:GDDR7 DRAM新规范,专供显卡与GPU使用

三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产下一代显卡用内存GDDR7 DRAM,这是用于图形处理单元(GPU)的最新一代高性能内存。...

2024-03-18 标签:DRAM三星电子内存JEDEC图形处理 77

有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。...

2024-03-17 标签:多晶硅NANDFlaSh存储器SSD 380

康盈半导体工业级eMMC嵌入式存储芯片斩获数字化创新奖

聚焦数智工业,共襄数智盛会。2024中国自动化+数字化产业年会于3月14日(周四),杭州远洋凯宾斯基酒店举办。...

2024-03-15 标签:半导体嵌入式存储芯片emmc 389

S7-1200 CPU 存储卡的应用分析

S7-1200 CPU 存储卡的应用分析

S7-1200 CPU 使用的存储卡为 SD 卡,存储卡中可以存储用户项目文件,有如下3种功能: 作为 CPU 的装载存储区,用户项目文件可以仅存储在卡中,CPU 中没有项目文件,离开存储卡无法运行。...

2024-03-15 标签:cpu存储卡S7-1200 134

集成电路ATE供应商悦芯科技存储器芯片测试设备获得数亿元订单!

3月14日消息,集成电路ATE供应商悦芯科技自主研发的高性能存储器芯片自动化生产测试系统-TM8000,于近期通过国际竞标获得行业龙头及标杆企业数亿元人民币的设备采购订单。...

2024-03-15 标签:集成电路存储器DDRATELVM 331

【嵌入式SD NAND】基于FATFS/Littlefs文件系统的日志框架实现

【嵌入式SD NAND】基于FATFS/Littlefs文件系统的日志框架实现

文章目录【嵌入式】基于FATFS/Littlefs文件系统的日志框架实现1.概述2.设计概要3.设计实现3.1初始化`init`3.2日志写入`write`3.3日志读取`read`3.4注销`deinit`3.5全部代码汇总4.测试5.总结1.概述那么在移植...

2024-03-14 标签:嵌入式存储芯片RT-ThreadRT-Thread存储芯片嵌入式野火开发板 707

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。...

2024-03-14 标签:闪存NAND三星 272

华为新型磁电存储设备引领市场,磁光电存储概念股迎春风

在巴塞罗那举办的2024年世界移动通信大会上,华为数据存储产品线总裁周跃峰博士详细介绍了即将面世的OceanStorArctic磁电存储产品。...

2024-03-14 标签:华为操作系统数据存储存储设备世界移动通信大会 1583

大算力时代,关于内存墙的应对方法

大算力时代,关于内存墙的应对方法

以Transformer架构为基础的AI大模型导致了模型参数量激增,短短两年间模型大小扩大了惊人的410倍,运算量更是激增了高达750倍。...

2024-03-14 标签:gpu内存AI自动驾驶算力 68

HBM:突破AI算力内存瓶颈,技术迭代引领高性能存储新纪元

HBM:突破AI算力内存瓶颈,技术迭代引领高性能存储新纪元

HBM制造集成前道工艺与先进封装,TSV、EMC、键合工艺是关键。HBM制造的关键在于TSV DRAM,以及每层TSV DRAM之间的连接方式。...

2024-03-14 标签:DRAM寄存器cpuAIHBM 128

受困于良率?三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺

受困于良率?三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺

  电子发烧友网报道(文/黄晶晶)据报道,三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐,计划增加“MUF”芯片制造技术,用于生产HBM(高带宽内存)芯片。但是三星在随后的声明中称,关于...

2024-03-14 标签:DRAMHBM三星HBM3HBM芯片 2703

2024年中国存储芯片产业链图谱研究分析

2024年中国存储芯片产业链图谱研究分析

存储芯片,是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。受到大模型时代的高算力、大存储的现实需求推动,各大企业加大存储芯片产能扩张力度。...

2024-03-13 标签:半导体嵌入式系统晶圆存储芯片大模型 828

得瑞领新D6000系列跻身北京新技术新产品名单,彰显卓越技术实力

得瑞领新D6000系列跻身北京新技术新产品名单,彰显卓越技术实力

近日,得瑞领新D6000系列入选北京市新技术新产品名单,继获评国家“专精特新”小巨人后再次跻身政府官方科技榜单,印证了其在科技创新领域的领先地位以及不断努力为客户提供优秀解决方...

2024-03-13 标签:SSD得瑞领新 246

从两会看AI产业飞跃,HBM需求预示存储芯片新机遇

从两会看AI产业飞跃,HBM需求预示存储芯片新机遇

高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成为主流趋势。这表明,HBM芯片的需求在未来一段时间内继续保持旺盛,也将为相关企业提供了重要的机遇。...

2024-03-12 标签:DRAMAI存储芯片HBM大模型 446

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