SK海力士回应出售中国大连工厂传闻:暂无此计划
针对美国媒体有关SK海力士准备出售中国大连工厂的报道,该韩国存储芯片巨头做出了回应,明确表示目前没有计划出售该工厂。...
2024-01-23 1499
2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年剧增
DRAM稼动率缓步改善,业界认为,整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升,较2023年第4季小幅提升约5%左右,下半年投片量回升速度将明显加快。...
2024-01-23 155
台积电引领新兴存储技术潮流,功耗仅为同类技术的1%
MRAM的基本结构是磁性隧道结,研发难度高,目前主要分为两大类:传统MRAM和STT-MRAM,前者以磁场驱动,后者则采用自旋极化电流驱动。...
2024-01-22 121
如何从SD卡读取音频文件并将其输出到扬声器上?
在上一篇教程中,创建了一个 I2S 发送器用来发送来从FPGA内部 ROM 的音频数据。下一步,我们向该 I2S 发送器添加 AXI-Stream 接口,这样我们就可以将发送器与 ZYNQ 的处理系统连接,还可以从 SD 卡...
2024-01-22 1094
深入探讨FinFET、DRAM和3D NAND的制造工艺
虽然 KE 强调他们在 ALD 领域的份额,但他们仍然接触批量 CVD 工具。KE 在批量沉积领域的混合市场份额“仅”约为 46%(相比之下,批量 ALD 领域的市场份额约为 70%)。...
2024-01-21 1161
NAND封装短缺导致大容量SSD价格暴涨
消息人士指出,NAND封装短缺对供应链的全面影响可能需要两到三个月的时间,届时一些最好的2TB和4TB固态硬盘的价格将 "暴涨"。...
2024-01-19 134
FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280规格
自从NANDFlash进入3D时代,3DNAND从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层,成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题,实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。近日,FORESEEXP2200系列...
2024-01-19 230
手机AI大模型来袭,存储来到16GB+512GB?
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)手机处理器厂商最先引领了AI大模型在手机上的落地。去年下半年以来,高通、联发科相继发布最新处理器,都开始支持AI大模型。 骁龙8 Gen3是高通首款以生成...
2024-01-19 4236
英特尔重返龙头,英伟达首次跻身前五
由于全球存储芯片需求锐减,拖累了2023年全球半导体营收萎缩11%至5330亿美元。其中,2023年全球存储芯片营收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至484亿美元,NAND Flash暴跌37.5%至362亿美元。...
2024-01-19 107
半导体市场复苏趋势会在什么时候?
在本文中,我们将Mos Memory分为DRAM和NAND闪存,并尝试从各公司的价格趋势和销售(份额)趋势来预测全球市场何时完全复苏。在这个过程中,笔者想表明在存储器制造商之间,可以看到明显的盛...
2024-01-19 125
嵌入式开发中SD卡的分类及常见属性
SD卡具有SDHC的速度等级,范围;2级(以2 MB / s的速度运行);4级(以4MB / s的速度运行);6级(以最高6 MB / s的速度运行);10级(以最高的速度运行) 10 MB /秒;...
2024-01-18 118
国产半导体大厂宣布,Trench MOS产品线单价上调5%-10%
据国内Nor代工巨头消息,其产线已经转生产CIS,Nor产能已紧张,这会不会成为Norflash涨价的前戏?...
2024-01-17 199
LLW DRAM:AI智能手机时代的财富密码
LLW DRAM作为一种低功耗内存,拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽,与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。...
2024-01-17 141
ufs3.1和ufs4.0有什么区别?ufs4.0和ufs3.1实际使用区别
ufs3.1和ufs4.0有什么区别?ufs4.0和ufs3.1实际使用区别 UFS是一种高速、节能、可靠的非易失性存储器,旨在提供更快的数据传输速度和更好的用户体验。在这里,我们将详细讨论UFS 3.1和UFS 4.0之间...
2024-01-17 3889
AI算力驱动:HBM成为行业新宠
HBM(High Bandwidth Memory,高频宽存储器)是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,通俗来讲,就是先将很多DDR芯片堆叠在一起后,再与GPU封装在一块。...
2024-01-17 126
康芯威亮相CES 2024 多元化存储解决方案大放异彩
当地时间2024年1月12日,CES (国际消费类电子产品展)在美国拉斯维加斯完美谢幕,为期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企业参展,中国企业在其中的占比也逐年递增。 作为科技行业的“...
2024-01-16 125
长江存储PC411 1TB SSD详细评测
长江存储晶栈Xtacking架构的原理就是在两片独立的晶圆上,分别加工外围电路和存储单元,然后在芯片封装阶段将两者合二为一,更高效率的同时也实现了更高的密度、更快的速度。...
2024-01-16 338
SK海力士:挑战美国限制,推进中国半导体技术升级
无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。...
2024-01-16 109
M.2接口的固态硬盘有何优势?
M.2接口的固态硬盘有何优势? M.2接口的固态硬盘(M.2 SSD)是现代计算机存储设备中的一种快速、高容量解决方案。与传统的SATA接口的固态硬盘相比,M.2接口的固态硬盘具有许多独特的优势。 首先...
2024-01-15 415
三星电子转型之路:应对挑战,聚焦超级差距技术
三星电子现在的目标是在新兴的高密度存储芯片领域赶上竞争对手,计划到2024年将容量提高2.5倍。HBM是一种能够更快地处理数据的先进芯片,可与硬件配合使用,例如英伟达的加速器,用于加...
2024-01-12 127
NAND Flash市场动态:需求扩大与价格涨势
在2024年第一季度,NAND Flash及其相关产品的价格预计将呈现上涨趋势。尽管面临传统淡季需求下降的情况,采购活动仍在持续扩大,以建立安全库存水位。...
2024-01-11 630
三星财报:存储市场疲软,寻求新增长点
去年第四季度,三星营业利润下降35%,至2.8万亿韩圆(约合人民币153亿元),逊于分析师的平均预期3.7万亿韩圆。公司该季度营收为67万亿韩圆(约合3664亿元),低于分析师平均预期的70.31万亿...
2024-01-11 148
市场需要密切关注8个存储趋势
Boland指出存在三种主要的存储类型:对象、块和文件。他说,“对象存储是唯一能够以EB规模提供低成本和高性能的存储。”Boland补充说,最近的IDC调查显示,80%的受访者认为对象存储可以支持...
2024-01-10 98
关于SRAM存储容量及基本特点
通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。...
2024-01-09 220
MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)体系结构作为数据存储元素。...
2024-01-09 206
固态硬盘、U盘和机械硬盘:不同存储设备之间的特点与选择
固态硬盘、U盘和机械硬盘:不同存储设备之间的特点与选择 固态硬盘(SSD),U盘和机械硬盘(HDD)是常见的存储设备,在电脑和其他电子设备中广泛使用。每种存储设备都有其独特的特点和...
2024-01-09 744
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