型号	描述	参考价格
F35SQA001G-WWT	FLASH存储器 WSON8_8X6MM_EP 1Gb 2.7V~3.6V	获取价格
F60C1A0004-M79W	DDR3 4Gb 1866Mbps I-temp4Gbit工业宽温	获取价格
FEMDRW064G-88A19	eMMc 64GBit FBGA153_11.5X13_SM	获取价格
FSAGMMC-128G	FSAGMMC-128G	获取价格
FS35ND01G-S1Y2QWFI000	FS35ND01G-S1Y2QWFI000	获取价格

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云存储是在云计算（cloud computing）概念上延伸和发展出来的一个新的概念，是一种新兴的网络存储技术，本章详细介绍了什么是云储存，云数据存储，免费云存储哪个好，云储存应用技术等内容。
富士通

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富士通凭借在ICT领域的丰富经验和实力，致力于与客户携手共创美好的未来社会。富士通集团（东京证券交易所上市代码：6702）截至2015年3月31日财政年度的合并收益为4.8兆日元（400亿美元）。
3d nand

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。
江波龙

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非易失性存储器

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非易失性存储器一般指非易失性内存，非易失性存储器（英语：non-volatile memory，缩写为NVM）是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。
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　　NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。
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NVM Express（NVMe），或称非易失性内存主机控制器接口规范（英语：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，缩写：NVMHCIS），是一个逻辑设备接口规范。它是与AHCI类似的、基于设备逻辑接口的总线传输协议规范（相当于通讯协议中的应用层）
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　　sram存储器是指静态随机存取存储器。这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
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　　NoSQL仅仅是一个概念，泛指非关系型的数据库，区别于关系数据库，它们不保证关系数据的ACID特性。
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云盘是一种专业的互联网存储工具，是互联网云技术的产物，它通过互联网为企业和个人提供信息的储存，读取，下载等服务。具有安全稳定、海量存储的特点。
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