延续7纳米制程领先优势，台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产，而全程采用EUV技术的5纳米制程也将在2019年第2季进入风险试产。 据了解，独家
2019-02-13 10:08:15
4410 ，LPDDR4和LPDDR4X。数字越大，数据处理速度越快。 12GB LPDDR4X移动DRAM搭载六颗第二代10纳米（1y）16千兆位（Gb）芯片。
2019-03-15 14:55:395163 近日，SK海力士在官网宣布，适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动端DRAM（动态随机存储器）产品已于7月初开始量产。 自从10纳米级DRAM产品开始，半导体
2021-07-12 10:57:064340 报导，存储器三强三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后，三大厂认为以25
2014-04-04 09:08:421340 DRAM大厂三星预定明年第1季率先量产1x（18奈米）DRAM，另一大厂SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）也将于明年跟进，三大DRAM厂明年进入1x奈米大战；台厂除南亚科（2408）也预约1x制程技术外，其余均专注利基型记忆体，避开战火。
2015-12-31 08:20:551296 10纳米系统半导体芯片量产战争已经开始了，三星电子（Samsung Electronics）、英特尔（Intel）和台积电出面争夺主导权，研发作业正如火如荼地进行中，对于相关设施的投资金额也大幅提高了。
2016-02-20 10:13:32822 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56673 相较于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才导入量产，加速 20 纳米製程转换，在 2016 年才要进入 18/16 纳米製程竞赛的同时，早已抢先导入 20 奈米的叁星，现在直接丢出 10 纳米 8 Gb DDR4 DRAM 量产的震撼弹，意图大幅甩开对手纠缠。
2016-04-07 08:58:031642 根据BCC Research发布的最新研究报告指出，NRAM在苦熬多年一直无法量产后，终于准备好在2018年商用化了，预计将席卷现有的DRAM与快闪记忆市场。该市调公司并表示，首款利用这种碳纳米管（CNT）技术的非挥发性内存芯片似乎也已经蓄势待发，预计将对计算机内存领域带来不小冲击。
2017-01-22 10:08:571171 科再奇表示，良率问题与10纳米制程使用的多重图形(multi-patterning)数量所导致之缺陷有关；在10纳米节点之后，英特尔将于7纳米节点采用极紫外光(EUV)微影技术。
2018-05-10 10:06:263094 。 消息人士称，紫光集团的重庆工厂主要生产用于智能手机及其他设备的 DRAM 芯片，预计 2022 年实现量产，尽管紫光集团尚未透露投资金额及年产能，消息人士表示，紫光计划 10 年内投资人民币 8000 亿元于 DRAM 业务。 去年8 月，紫光集团和重庆市政府签署合作协议，于重庆设
2020-06-27 09:41:108285 韩国三星近期积极将极紫外（EUV）曝光技术应用在采用1z纳米制程的DRAM记忆体生产上，并且完成了量产。而根据半导体分析机构《TechInsights》拆解了分别采用EUV曝光技术和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:362510 。 南亚科董事长吴嘉昭指出，今年预期DRAM市场售价止跌回升，整体产业可望走出谷底，并迈向成长。南亚科将投入更多的研发资源，加速开发10纳米级制程技术与DDR5产品，同时规划新厂扩建，未来将以符合市场需求为目标，逐步增加产出。 对于今年营运计划
2021-04-26 13:57:353249 线宽。 据了解，DRAM电路线宽被业界认定为衡量存储器公司技术能力的重要指标，DRAM的电路线宽越窄，其功率效率就越高。 因此，过去DRAM业界的传统就是不明确公开相关产品的确切电路线宽。 并且，随着DRAM制程技术在2016年进入10纳米级制程后，DRAM制造商也普遍达
2021-05-07 10:25:351744 移动电源市场，据不完全统计，目前国内移动电源的生产商已超过5000家。下面，笔者会针对目前移动电源的市场环境作出分析，盘点2016年移动电源市场5大演进趋势。趋势一快速充电普及：快充技术 百花齐放虽然
2016-12-29 17:34:39
SFP28/VCSEL 850nm/100m灰光模块最低市场零售价570元，25G SFP28/DFB 1310nm/10km灰光模块最低市场零售价为1630元/个。 综合考虑5G光模块是直接销售给设备商
2020-03-24 15:44:18
（Microcontroller Unit, MCU）市场，最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器（95纳米5V SG eNVM）工艺平台。在保证产品稳定性能的同时，95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
DRAM产能再大，也难以满足全球庞大的市场需求。因此，应该是技术层面的原因。技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层，但是技术路标的能见度已至512层－3D Flash做为
2018-10-12 14:46:09
下游通信设备集成的全球领先地位以及近半数的市场份额，整个产业都将逐步向上游芯片和核心器件环节升级。而随着5G商用将至，对于光芯片的需求将大幅提升，相关光芯片产商有望迎接5G时代的高增长机遇。（内容参考：光芯片市场多场景应用,未来可期[J].世界电子元器件,2019(01):11-13.）
2022-04-25 16:49:45
纳米传感器和纳米级物联网将对医学产生巨大影响让开放式人工智能系统成为你的个人健康助理升级光遗传技术照亮神经学人体器官芯片技术为医药研究带来了新的机遇器官芯片的工作原理
2021-02-01 06:43:21
纳米定位台外壳是特殊钢材吗，市场价格怎样？
2015-12-23 07:57:06
纳米硅粒子有较大的比表面，无色透明；粘度较低，渗透能力强，分散性能好。纳米硅的二氧化硅粒子是纳米级别，其粒径小于可见光光波长度，不会对可见光形成反射和折射等现象，因此不会使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
美光科技公司宣布，将推出面向全球手机用户的新型MT9D011低功耗200万像素CMOS成像传感器。 随着消费者对手机、第三代智能电话等设备的高分辨率相机的要求，美光为此提供一种新款成像传感器
2018-10-26 16:48:45
美光(Micron)在CMOS图像传感器(CMOS image sensor)领域领先于三星电子(Samsung Electronics)等对手。实际上，美光的图像传感器已获得三星的desing
2018-11-20 16:03:30
大家好，我是应届硕士毕业生，最近拿到美光的 flash 产品工程师的offer，另外还有其它offer，但是不知道美光的产品工程师具体是做什么工作的，发展前景如何？弱弱的问一下，请了解情况的帮忙指点一下，非常感谢。
2012-01-01 16:48:15
了设备电池寿命的同时，可获得清晰、鲜明活泼的图像。5百万像素传感器主要应用于数码相机(DSC)和照相手机方案中，而3.1百万像素传感器专门是为照相手机而开发的。 美光科技公司营销资深总监
2018-11-20 16:38:51
【TechWeb】5月24日，小米有品商城新上架了一款美妆镜移动电源，售价129元。根据小米商城的信息，这款名为VH“容”便携式美妆镜的移动电源，有3000mAh的电量，并且带有2倍放大镜和无极调光
2021-12-28 07:13:17
DVCD+车载攻放+混响板 怎么连接？想用DVCD连接混响板和车载攻放来实现一个带有话筒喊话攻能的设备。混响板信号输出能直接接到攻放的信号输入接口吗？要不要串联一个电解电容？混响板双直流电源12-18V和双交流电源12-18V分别怎么连接？ 哪位大哥能教我怎么做吗！谢谢
2010-06-28 13:48:03
市场的35%。明年，至少两家中国集成电路供应商（睿力集成电路和晋华集成电路）将成功进入DRAM市场。尽管国产厂商的产能和制造流程最初不会与三星、SK 海力士或美光等公司匹敌，但看看中国的初创企业表现如何，将是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
全球前3名，尤其是和合作伙伴英特尔合计，市占率超过15%。美光在NAND Flash市场上突围，主要是拜2009年34奈米制程领先所赐，2010年再度领先宣布年中量产25奈米制程，成本竞争力促使美光市
2022-01-22 08:14:06
，也包括美光在内，但需求却在不断增加。美光预计在FQ4财季DRAM bit出货量将与FQ3相对持平，并预估DRAM行业到2022年仍可继续保持健康的市况。对于DRAM供应方面，美光在2021上半年已
2021-12-27 16:04:03
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 编辑
观点：尽管NAND闪存市场需求在一定程度上受到了经济形势的影响，但美光市场却逆势增长，其市场份额首次突破20%大光。这是其
2012-09-24 17:03:43
英国市场调研公司JuniperResearch日前发表研究报告指出，到2013年，全球移动支付金额将达6000亿美元，目前该市场以音乐与铃声等数字商品为主，但其最大的前途在于NFC技术的应用。NFC
2019-07-12 07:24:34
应用处理器代工市场已是毫无敌手，可望直取英特尔SoFIA、苹果A9大单。 台积电今年全力冲刺20纳米系统单芯片制程（20SoC）产能，由于已抢下苹果A8处理器及高通、英特尔、NVIDIA等大单，不仅第
2014-05-07 15:30:16
尔必达（Elpida）阵营的新增产能是否顺利去化，将牵动DRAM价格走势，是重要的观察指标。他说，尔必达阵营制程技术推进至63奈米，7月产出将大量增加，加上美光阵营的南科、华亚科也导入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
口（Common Public Radio Interface，CPRI）。在规范中，他们定义了光链路的最低要求，表示现有光学设备包括几个光纤通道设备就能满足这些要求。 光模块在移动前传中的作用
2019-12-16 16:22:13
***地区厂商达17.9%。由于三星、海力士与美光等厂商在产能配置上着重于Flash颗粒以及CMOS Image Sensor等产品，2007年仅***地区厂商大量的扩充DRAM产品的产能，因此未来***地区厂商DRAM销售额比重仍将持续攀高。
2008-05-26 14:43:30
影响美光、SKHynix、三星、东芝等公司的财报数据，只不过三星、美光、SKHynix这些公司有DRAM内存的高价支撑，财报数据不会像西数这么惨。为了减缓NAND价格下跌对公司的影响，从西数到美光都在
2021-07-13 06:38:27
国内光传输设备市场分析一、光传输设备市场发展特点 电信行业的大萧条对国际电信传输市场造成了很大冲击，从2001年开始，全球光传输设备市场持续萎缩，连续三年的增长率均为负值。相对于国际市场而言，我国
2012-06-13 11:40:15
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一，已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内，集成有DRAMRCU单元，即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期，它工作于微处理器的增益模式下。
2019-09-25 07:38:04
如何搭建适合ULC手机市场的移动互联网设备？
2021-06-01 07:00:58
大家好，我做FPGA开发，需要用到大的内存，ise12只有美光和现代的库，我对美光内存使用有如下疑惑：美光2G内存位宽16位，速率可达200M，4G内存怎么才8位，速率还慢，才125M~150MHz.这样的话，用更多的内存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
展讯今日宣布其专为3G入门级智能手机设计的单核WCDMA/HSPA+芯片SC7710已实现量产。SC7710支持WCDMA/HSPA+/EDGE/GPRS/GSM，集成单核Cortex™-A5处理器
2013-10-30 14:37:30
成。业界人看好南亚科及华邦电第二季也获利跳增，第三季因价格持续看涨，营收及获利可望再写新高。无新产能，导致淡季变旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等记忆体大厂虽提高资本支出，但多数资金都用来进行
2017-06-13 15:03:01
的 GB 数）的新一代存储。美光科技全球显卡存储业务总监Kris Kido将在此为读者、分析师和游戏玩家围绕新一代存储提出的若干问题做出解答。是什么在推动显卡/GPU 市场的增长？这将对存储造成什么影响？
2019-07-19 06:16:39
关于存储额知识回顧歷史，存儲介質按物理材料可以分成三大類：光學存儲介質、半導體存儲介質和磁性存儲介質。詳細的如下圖； 然而目前來說，半導體存儲介質已經成為存儲行業的主流；主要的三大類性的產品分別
2019-09-18 09:05:09
全球的DRAM营收就达到了234.5亿美元，其中移动DRAM的份额增长最快。这得益于智能手机以及搭载高存储密度的设备的发展，随着物联网和云计算的流行，DRAM的密度是越来越高。清华紫光收购美光启动
2016-07-29 15:42:37
，提供一些设备，而这些设备在***生产，既然美国商务部已发出禁令，“那就是不能出去了”。此外，今天稍早的时候，有消息传出称美光掌握了确切证据，并在美国控告联电涉及经济间谍罪。这无疑是美光与联电、晋华之间“战争”的升温。如今联电单方面宣布暂停与晋华的合作，对晋华的DRAM产品上市而言无疑更是雪上加霜。`
2018-11-01 10:01:04
行业中已逐步发展成为具有一定影响力的仪器设备维修、销售商和各类专业进口元器件代理商。西安美蓝针对客户和国家中西部市场的需求，秉承“诚信经营、专业高效、创新进取”的企业宗旨，提倡诚信务实的服务态度、专业
2012-10-15 15:50:11
eMMC和移动DRAM分开采购的价格要低，对于中低端手机而言有利于降低成本，尤其是在前2年NAND Flash和DRAM涨价的时期，更有利交易和议价。不过，eMCP仅三星、SK海力士、美光具有稳定的货源
2019-12-25 14:38:44
14纳米的ARM 处理器和14纳米的X86移动处理器那个更省电？
2020-07-14 08:03:23
系统，则国内市场将带来80×40%×12=384万个灰光25G模块和80×60%×12=576万个25G彩光CWDM光模块的需求。依据今年中国移动的SPN集采结果公示，其SPN承载网已经完成首期共计
2020-05-09 13:52:21
台积电率先量产40纳米工艺
台积电公司日前表示，40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）工艺正式进入量产，成为专业集成电路制造服务领域唯一量产40纳米工艺的公司
2008-11-22 18:27:07725 三星加速制程微缩 DRAM进入40纳米世代
三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩，积极导入40纳米制程，第4季已开始小幅试产DDR3，预计2010年下半40纳米将成为主流制程
2009-11-18 09:20:55466 4大DRAM阵营竞争激烈 美光、尔必达提前导入40纳米
DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳
2010-01-22 09:56:02836 关于新一代LPDDR3移动DRAM技术,三星电子表示,这是继去年12月在电子行业首次开发30纳米级4Gb LPDDR2移动DRAM之后，不到九个月又成功开发出使用30纳米级工艺的4Gb LPDDR3移动DRAM技术的新一代产
2011-09-30 09:30:132176 北京时间12月11日早间消息，英特尔今天宣布，采用最新一代22纳米制造工艺生产的芯片将于2013年量产，与高通等企业争夺快速发展的移动设备市场。
2012-12-11 09:05:03802 ，中芯长电将为美国高通公司提供14纳米硅片凸块量产加工。这是中芯长电继规模量产28纳米硅片凸块加工之后，中国企业首次进入14纳米先进工艺技术节点产业链并实现量产。
2016-08-04 11:42:23854 据台湾媒体报道，台积电、三星电子10纳米制程量产进入倒数计时阶段，然近期却陆续传出量产卡关消息，半导体业者透露，台积电为苹果（Apple）生产新一代iPad处理器A10X，出现良率不如预期情况
2016-12-22 10:17:15686 半导体业者表示，台积电将在2017年第2季量产苹果iPhone 8处理器芯片A11，然在此之前，台积电将先量产苹果预计2017年3月上市的新一代iPad处理器A10X芯片，近期业界却传出台积电10纳米制程良率不如预期，不仅影响苹果A10X芯片量产进度，甚至引发台积电内部更先进制程研发高层变动。
2016-12-22 10:27:41421 根据平面媒体指出，在 2016 年第 4 季成功量产 10 纳米先进制程之后，从 2017 年第 1 季开始，全球晶圆制造龙头台积电将会正式试产 7 纳米先进制程，并且有望在 2018 年初正式达成量产的目标。
2017-01-04 11:04:11603 在28纳米制程上，中芯也提出三阶段的规划蓝图。赵海军指出，第一阶段的polySion制程已经量产，第二阶段是第一代的HKMG制程（中芯称为HKC制程）已经在今年第2季开始产出，目标是28纳米突破10%营收，而第三阶段是第二代的HKC制程，预计在2018年底量产。
2017-11-17 14:10:431647 三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:38835 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 据市场分析，GPU业者对绘图DRAM需求料将有增无减，2018年绘图DRAM销量会持续上扬，三星、SK海力士相继量产HBM2，价格比一般DRAM贵5倍。
2018-02-07 14:47:531619 和美光均采用IDM模式继续保持垄断地位，合计市占率超过95%，国产厂商开始积极布局，2018年将实现量产，有望逐步改变当前产业格局。DRAM消费产品中，移动终端、服务器和PC依旧占据头三名，合计占比86%，未来将继续拉动DRAM消费增长。
2018-05-17 10:12:003074 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:25723 英特尔(Intel)上周发布2018年第二季整体销售表现优于预期，但由于数据中心事业成长不如分析师先前观察的目标，再加上来自超威(AMD)的竞争以及10纳米芯片量产时间表再度延迟至2019年年底，使其股价随后下跌5%以上。
2018-08-01 16:26:443136 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281050 传三星电子（Samsung Electronics）启动采用极紫外光（EUV）微影设备的DRAM生产研发，虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM，不过也有可能先推出17纳米制程产品。
2018-08-17 17:07:22709 处理器大厂英特尔（Intel）最近遇到14纳米产能不足及10纳米制程延宕两大危机，在英特尔宣布追加10亿美元用于14纳米制程扩产后，现在10纳米制程方面也有好消息传出。市场预估，英特尔最快在2019
2018-10-08 15:05:003093 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02253 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 就在台积电及三星电子陆续宣布支援极紫外光（EUV）技术的7纳米技术进入量产阶段后，半导体龙头英特尔也确定开始进入10纳米时代，预计采用10纳米产品将在6月开始出货。同时，英特尔将加速支援EUV技术的7纳米制程研发，预期2021年可望进入量产阶段，首款代表性产品将是Xe架构绘图芯片。
2019-05-14 16:32:463239 继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM，SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。
2019-06-18 17:20:312438 降低成本，使不仅晶圆代工业者积极导入，连DRAM记忆体的生产厂商也考虑引进。为了因应制程微缩的市场需求，全球主要生产EUV设备的厂商艾司摩尔（ASML）正积极开发下一代EUV设备，就是High-NA（高数值孔径）EUV 产品，预计几年内就能正式量产。
2019-07-05 15:32:482520 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技（Micron）正式宣布，将采用第3代10纳米级制程（1Znm）来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生
2019-08-19 15:45:223148 在晶圆代工龙头台积电几乎通吃市场7纳米制程产品的情况下，竞争对手三星在7纳米制程上几乎无特别的订单斩获。为了再进一步与台积电竞争，三星则开始发展6纳米制程产线与台积电竞争，而且也在2019年12月开始进行量产。三星希望藉由6纳米制程的量产，进一步缩小与台积电之间的差距。
2020-01-07 15:16:102524 南亚科总经理李培瑛近日宣布，已完成自主研发10纳米级DRAM技术。
2020-01-13 15:16:102164 1 月 13 日讯，近日，南亚科技股份有限公司称，公司已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产。顺应 10 纳米制程发展，南亚科今年资本支出金额将高于去年的 55 亿元。据悉，除可改善成本，南亚科成功自主开发 10 纳米制程技术，将有助掌握朝高密度新产品发展机会与技术进展。
2020-01-14 10:47:27702 韩国三星电子于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术（EUV）生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组，将为高端PC和移动设备及企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品。 三星
2020-04-03 15:47:511009 台积电3纳米芯片计划将于2022年下半年开始量产，此前三星电子也已正式宣布将在台积电之前于2022年上半年开始生产3纳米半导体。
2021-10-20 16:43:207785 据悉，台积电在本次技术论坛上主要透露以下三点信息：一是半导体产业正发生三大改变;二是低端芯片短缺成为供应链瓶颈;三是3纳米量产在即，2纳米2025年量产。
2022-09-06 16:00:202998 -三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布 2022年12月21日，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:29521 - 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 中国深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星电子宣布，已成功开发
2022-12-21 21:19:54756 
* 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证 * 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体低迷期 * 第二代10纳米级也一同认证，以多种产品群应对
2023-01-12 21:32:26610 化挑战都是重大的。特别是，ASML 报告说，当中心到中心（center-to-center）值达到 40 nm 时，即使对于 EUV ，也不推荐使用单一图案化。在本文中，我们将展示对于 12 纳米及更高节点的 DRAM 节点，电容器中心到中心预计将低于 40 纳米，因此需要多重图案化。
2023-02-07 15:08:55381 据DRAM产品分类显示，PC DRAM方面，DDR5订单需求未得到充分满足，买方预期DDR4价格将进一步上涨，这激发了备货需求。尽管新一代设备向DDR5转型，但对于DDR4采购量增幅不定。预计PC DRAM季度合约价变化幅度将在10～15%之间，其中DDR5占据更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24191
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