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电子发烧友网>存储技术>宜鼎推出独家研发的iSLC NAND闪存,性能高寿命长

宜鼎推出独家研发的iSLC NAND闪存,性能高寿命长

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2020-11-11 11:50:212081

美光发布176层3D NAND闪存

存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599

SK海力士发布176层TLC 4D NAND闪存

根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416

176层NAND闪存芯片的特点性能及原理

从96层NAND闪存芯片开始,海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片,已经发展到第三代。从制造上来说,其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:342755

eMMC NAND闪存技术和用例需求

eMMC模块因为是以NAND闪存技术为基础而具有预定的使用寿命。它们具备有限的程序/擦除(P/E)周期,即使公司最初按照这些规范进行设计,他们也必须预见到同一系统随着时间的推移必须应对不断增加的工作负载挑战。
2021-01-18 16:21:041831

Intel披露QLC闪存进展,寿命绝口不提

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存一路发展下来,容量密度越来越高,成本越来越低,性能寿命却越来越渣,不得不依靠各种技术以及主控优化来辅助,但依然不容乐观。
2021-02-22 09:26:421481

简述NAND闪存的写入限制与发展

写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么?
2021-04-01 17:50:562894

Arasan推出NAND闪存全IP解决方案

NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

NAND闪存的应用中的磨损均衡

NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND闪存应用中的磨损均衡介绍

NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存特点及决定因素

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

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