--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 30V
- 最大电流 5.6A
- 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1Vth
- 封装 SOT23
--- 产品详情 ---
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1Vth 封装 SOT23应用简介 SI2323DST1GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为30V,最大电流为5.6A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 转换器模块 可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3. 便携式设备 适用于便携式电子设备中的负载开关和电源控制。总之,SI2323DST1GE3 适用于负电压控制和负载开关的应用领域的模块设计,主要用于电源管理、转换器模块和便携式设备等领域。
为你推荐
-
ST2302S23RG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:37
产品型号:ST2302S23RG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
ST2302MSRG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:35
产品型号:ST2302MSRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel沟 -
ST2302DSRG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:34
产品型号:ST2302DSRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
ST2301-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:32
产品型号:ST2301-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
ST2301SRG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:31
产品型号:ST2301SRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
ST2301S23RG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:29
产品型号:ST2301S23RG-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
ST2301MS23RG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:18
产品型号:ST2301MS23RG-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
ST2301DS23RG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:17
产品型号:ST2301DS23RG-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
ST2301A-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:15
产品型号:ST2301A-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
ST2301AS23RG-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 14:14
产品型号:ST2301AS23RG-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel