型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.42Vth 封装 SOP8应用简介 AO4425是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为30V，最大电流为11A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 高效逆变器模块 可用于太阳能逆变器、电动车充电器等高功率逆变器。3. 电动工具 可用于驱动高功率电动工具中的负极电源开关和控制。总之，AO4425适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效逆变器和电动工具等领域。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 30V
- 最大电流 11A
- 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.42Vth
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号：P3004BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号：P3003BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号：P2NK90Z-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号：P2904BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号：P2804EDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号：P2804BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号：P2703BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号：P2610BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号：P2610ADG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号：P2504BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N：重塑P沟道功率方案，以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
