东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-05-22 14:33:12
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描述TI 设计 TIDA-00449 是一种即时可用并经过测试的硬件平台，适用于电动工具 10 节串联电池组的监控、平衡和保护。电动工具越来越多地使用高功率密度的基于锂离子或磷酸铁锂电池的电池组
2018-10-09 09:04:58
供产品运用的技术支持。阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】【30V MOS N/P沟道 推荐：】HN3400
2021-03-18 14:21:33
的栅极电压操作。该设备适用于负载开关或脉宽调制应用。它是防静电的应用：脉宽调制应用，负载开关，USB.vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds
2021-03-11 11:14:52
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2021-03-30 14:33:48
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2021-03-18 14:16:53
型号：HC005N03LVDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道HC005N03L产品应用于：汽车LED灯, 应急灯等低压DC/DC电路，小家电，电源。售后服务：公司免费申请提供HC005N03L样品，并提
2020-11-14 14:33:47
惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原装，库存现货热销HC020N03L参数：30V 30A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
锂电池应用领域电池主要应用在消费类产品、数码类产品、动力产品、医疗和安防等。锂电池保护板 MOS管选型以下为30V、40V、60V、80V、100V MOS管选型表，电流、内阻覆盖密集，重点发展领域
2020-10-09 14:25:10
SOT23-6封装形式。PW2902是一颗DC-DC降压转换器芯片，输入电压范围8V-90V，可负载2A，可调输出电压，频率140kHZ。适用于输出12V2A或者5V2A，可调输出电压5V-30V之间
2020-10-16 10:58:20
曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导。 图1. 转移特性曲线图2—54（a）为N沟道增强型MOSFET的结构示意图，其电路符号如图2
2018-08-07 14:16:14
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS&gt;0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
低压MOS管HC009N03L产品参数产品名称：N沟道场效MOS管55A30V贴片TO-252品牌：惠海半导体型号：惠海HC009N03L工作方式：55A/30V漏源极电压:30V封装
2020-11-16 13:51:24
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07:22
ATAVRSB202，智能电池板是ATmega32HVB AVR智能电池设备的评估和开发套件。该器件适用于具有一个或两个串联电池的电池组，具有自动电池保护以及非常精确的电压，电流和温度监测功能。该装置提供保护电池组和周围环境免受危险条件影响并从电池单元获得大部分能量的装置
2019-02-15 09:48:46
LTC6802 为大型电池组处理数据采集任务，而且尤其适用于锂离子电池。其可直接连接到电池串中的每一节。每节电池的电压都以1.5mV的分辨率数字化成一个12位字。因为使用了一个独特的电平移位串行接口
2011-03-10 11:20:20
电池进行擦拭，留待后期观察；2） 更换漏液电池。30.对容量检测时发现的容量不足的电池组应作如何处理？1）应对整组电池做均充处理，即均充18-24小时。2) 或用单充机对该电池进行单独补充电。
2014-03-18 11:56:54
ATAVRSB201-2套件是用于新型Atmel AVR智能电池设备ATmega16HVA的评估和开发套件。该器件适用于具有2系列锂离子和锂聚合物电池的电池组，具有自动电池保护以及非常精确的电压，电流和温度监测功能。该装置提供了保护电池组和周围环境免受危险条件影响并从电池中获得最大收益的装置
2019-02-18 09:48:31
介于 4.5V 至 30V（OVP 为 20V），因此可在冷启动情况下工作。LM74610 用于电池反向保护，利用电荷泵驱动一个 N 通道 FET 以提供电阻路径，从而使旁路电流
2022-09-22 08:00:22
碎机中的应用)过压瞬态往往是ESD造成的，电源总线和数据总线上都可能出现。现有USB2.0协议支持最高480Mbps的数据传有没有适用于USB3.0接口的电路保护方案？输速率，而USB3.0规范支持
2017-05-17 10:23:20
DC1823B，适用于LT4320IDD理想二极管桥式全波整流器的演示板，Vin = 9V至40VDC @ 30A Iout。该演示电路采用理想的二极管桥控制器LT4320，适用于需要高电流AC至
2019-04-11 09:11:11
DC1823B，适用于LT4320IDD理想二极管桥式全波整流器的演示板，Vin = 12V至24VAC @ 1.5A Iout。该演示电路采用理想的二极管桥控制器LT4320，适用于需要高电流AC
2019-04-11 06:44:02
仔细控制和监视电池。 大功率电池组系统 用于电动汽车或工业设备的大功率电池组系统由很多串联叠置的电池组成。一个典型的电池组含有的电池可能有 96 个之多，就充电至 4.2V 的锂离子电池而言，总共能
2011-07-14 08:36:04
描述此 TI 验证设计可提供适用于汽车电池组监测应用的原理、组件选择、TINA-TI 仿真、验证和测量性能、Altium 原理图、PCB 布局。此设计采用通过汽车 AEC-Q100 认证的 12 位
2022-09-19 08:10:11
`深圳市三佛科技有限公司 供应 AO3401 万代 -30V -4.A SOT23 P沟道 MOS管，原装，库存现货热销AO3401 参数：-30V -4.ASOT23 P沟道 MOS管/场效应管
2020-10-15 11:56:50
设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在高侧开关，低线内功率损耗需要在一个非常小的外形表面贴装封装特征● RDS（开）≦ 米Ω@VGS=10伏● 超高密度单元
2021-07-01 09:54:05
设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在高侧开关，低线内功率损耗需要在一个非常小的外形表面贴装封装特征● RDS（开）≦ 米Ω@VGS=10伏● 超高密度单元
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
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2020-11-05 16:48:43
描述HP 经典计算器 LiPo 电池组适用于 HP“经典”计算器的现代 LiPo 电池组这是我对“经典”HP 计算器，特别是 HP-35、HP-45 和 HP-55 的基于 LiPo 的电池组的尝试
2022-07-29 06:40:36
`HC020N03L参数：30V 30ATO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海半导体型号：HC020N03L VDS：30V IDS：30ARDS(on)Max：22mΩ封装
2020-10-09 13:53:07
使用小阻值检流电阻检测充电电流和输入限流值。 充电器采用n沟道开关MOSFET.可调节的充电电流、充电电压和电池节数允许灵活地使用不同类型的电池组，充电电流可通过模拟控制输入或PWM输入设置。高精度
2018-11-29 17:00:46
管正向电流(ISM)：72A漏源电压(VDSS)：200V栅极阈值电压(VGS)：±30V静态漏源导通电阻(RDS(on))：0.18Ω二极管正向压降(VSD)：1.5V零栅极电压漏极电流(IDSS
2021-12-28 17:08:46
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE3080K新洁能替代型号100N03 30V贴片MOS，原装正品，库存现货热销NCE3080K为新洁能推出的30V，N沟道，大电流 MOS，TO-252封装
2019-11-27 16:52:24
优良。所以，有时装配完毕后还要在隔热装置中添加一些能吸附残留气体的吸气化学材料，同时也可用于吸除从体系微缝中渗漏入的气体。有两种材料适用于Ｎａ／Ｓ电池的隔热套：微孔隔热材料及玻璃纤维压制板。隔热套中
2013-06-01 11:01:22
MOSFET 采用 100%铜夹片LFPAK 封装。该封装坚固耐用，提供较高的板级可靠性和出色的热性能。LFPAK 封装适用于汽车以及工业和消费类应用。△ 具有较大 SOA 的 Nexperia MOSFET适用于 36V 锂电池系统应用
2022-10-28 16:18:03
，大部分电荷载流子是电子。增强模式和耗尽模式下的P沟道MOSFET符号如下图所示：P沟道MOSFET包括一个P沟道区域，该区域布置在两个端子之间，如源极 (S) 和漏极 (D) 并且主体为N区域。与N沟道
2022-09-27 08:00:00
沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关，特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离反激式转换器。在同步整流器应用以及以太网供电（PoE）输入整流器中，低侧开关也被用来代替二极管作为整流器。P沟道
2018-03-03 13:58:23
期间从电池排出的电流很少。
该设备不仅针对数字手机，还适用于任何其他需要长期电池寿命的锂离子和锂聚电池驱动的信息设备。
特征
·充电器反向连接的保护保护电池反向连接
·集成先进电源MOSFET与54m
2023-11-07 10:23:19
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V，该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53:57
的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。PW3428采用先进的沟槽技术，以提供优良的无线电数据系统（开），低栅电荷和电压门极电压低至4.5V时工作
2021-01-04 17:14:41
一般说明PW2324采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。特征 VDS=100V，ID=3.7A RDS（开）
2020-12-11 16:35:03
一般说明PW3400A采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=30V ID=5.8ARDS（开）
2020-12-21 16:59:26
微控制器，并且具有面向 10s-20s 电池组的单元平衡、监控和保护功能。[]()PAC22140 和 PAC25140 可访问管理当今多单元电池组所需的多个模拟和数字外设，包括可编程增益差分放大器、用于
2023-03-08 17:55:56
）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力
2021-07-14 15:17:34
AO7400SL3042N沟道DFN5*6-8 EP 30V88ASL2060N沟道TO-252 20V 85ASL8726N沟道TO-252 30V 85ASL484N沟道TO-252 30V 41A可替代
2020-08-01 10:10:37
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2021-04-07 15:13:02
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
:dodo1999@vip.163.comSM05: ESD 保护双共阳极二极管 5.0 V此类双路单片硅二极管适用于需要保护功能的应用。此类器件适合用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商务机、通信系统
2020-03-24 11:08:10
性负载是很有用的。UCC3957在休眠工作模式下的耗电仅为3.5μA，典型工作电流为30μA，直流工作电压范围为6.5∽20V，充电过电流保护延时时间可通过调节外接元件参数的办法实现。使用外部P沟道MOSFET晶体管的优点是，可以保护任一节电池过放电和过充电，并保护电池组及UCC3957集成电路本身。
2021-05-18 07:43:37
，保证充电安全、充分利用。在存储器中，低备用电流从电池中漏出的电流很少。该设备不仅适用于数字移动电话，还适用于其他需要长期电池寿命的锂离子和锂聚电池供电的信息设备。特性·保护充电器反向连接·保护电池反向
2019-11-19 19:37:59
中漏出的电流很少。该设备不仅仅是针对数字手机，也适用于任何其他锂离子和锂电池供电以及需要延长电池使用寿命的信息设备。特征充电器反向保护电池组电池反向保护超小型SOT23-5封装只需要一个外部电容过热保护过
2020-03-31 11:46:56
充电，过放电，过电流以及负载短路保护等。 超低待机功耗 该设备不仅针对数字移动电话，也适用于任何其他手机，锂离子和锂聚合物电池供电，需要长期电池寿命的信息设备。 特征 充电器反向保护连接 集成先进的功耗
2019-09-20 09:54:07
功耗该设备不仅针对数字移动电话，也适用于任何其他手机，锂离子和锂聚合物电池供电，需要长期电池寿命的信息设备。特征充电器反向保护连接集成先进的功耗场效率应晶体管相当于60? RSS
2021-11-11 16:47:42
高精度电压MOSFET检测电路和延迟电路。XB7608AR采用超小型CPC5封装，仅一个外部组件使其成为电池组空间有限。XB7608AR具有所有的保护功能在电池应用中需要，包括过充电、过放电、过电
2021-04-08 15:38:41
。该设备不仅适用于数字手机，也适用于任何其他需要*期电池寿命的*离子和*聚电池驱动的信息设备充电器反向连接保护无外部负载的电池反向连接保护集成**电源MOSFET与16mΩRSS（开启）SOP8-PP
2021-12-08 18:28:03
MOSFET，高精度电压 检测电路和延迟电路。 Xb8886A被放入SOp8-PP中 程序包且只有一个外部 组件使其成为理想的解决方案 电池组空间有限。 Xb8886A具有所有的保护功能 在电池应用中需要包括
2020-06-16 14:44:01
评估 BQ27742 IC特性整合了能最大限度提高电池使用率的专利 Impedance Track 技术可针对老化、自放电以及温度对电池的作用进行自动调节基于集成硬件的保护确保电池组的安全I2C 通信总线实现系统互动和电池控制`
2015-04-03 16:24:23
在这个博客系列的第1部分，我介绍了锂离子电池内电池保护功能的重要性。在这篇文章中，我将介绍创建安全和健康电池组所需的其它两个元件：采集电池组中每节电池的诊断信息，并提供保护功能的监视器，以及智能计算
2022-11-17 07:50:27
某品牌电动自行车生产厂的需求，设计实现了2组并联、10节串联的36V8A·h锰酸锂动力电池组保护板，其中单节锂电池保护芯片采用日本精工公司的S28241,保护板主要由主电路、控制电路、分流放电支路以及
2018-09-28 11:16:48
需的所有保护功能，不包括过充、过放电、过电流和负载短路保护等。准确的过充检测电压保证了安全和充分利用。低备用电流在存储期间从电池中排出少量电流。该设备不仅适用于数字手机，也适用于任何其他需要长期电池寿命
2021-11-16 17:47:17
型号：HC012N06LSN沟道场效应管 55V12A SOP-8封装内阻13mR型号：HC037N06LN沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装， 内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容
2020-09-23 11:38:52
型号：HC012N06LSN沟道场效应管 55V12A SOP-8封装内阻13mR型号：HC037N06LN沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装， 内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
2020-10-14 15:18:58
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 16:02:10
储存时消耗很少的电流。该设备不仅适用于数字手机，还适用于任何其他需要长期电池寿命的锂离子和锂电池供电的信息家电。特点集成相当于65mΩRDS（ON）的先进功率MOSFET；超小型SOT23-5封装；过温
2020-12-28 14:17:04
电流在储存时从电池中排出的电流很少。该设备不仅面向数字移动电话，还适用于任何其他需要长期电池寿命的锂离子和锂电池供电的信息设备。特征充电器反接保护电池反接保护集成高级功率MOSFET，相当于56mΩRSS
2020-12-28 14:21:59
ATAVRSB201-1套件是用于新型Atmel AVR智能电池设备ATmega16HVA的评估和开发套件。该器件适用于具有1系列锂离子和锂聚合物电池的电池组，具有自动电池保护以及非常精确的电压，电流和温度监测功能。该装置提供了保护电池组和周围环境免受危险条件影响并从电池中获得最大收益的装置
2019-02-12 09:29:47
回收 新能源汽车底盘电池回收价 新能源汽车回收公司新能源电池回收 正规电池回收公司电池组回收动力电池组回收新能源电池组回收软包电池组回收，18650电池组回收圆柱电池组回收铝壳电池组回收汽车电池组回收
2021-12-11 15:13:09
导读：针对目前电动车锂电池组所用的保护电路大多都由分立原件构成，存在控制精度不够高、技术指标低、不能有效保护锂电池组等特点，本文中提出一种基于ATmega16L的电动车36V锂电池组（由10节
2018-09-29 16:45:41
入了RC 低通滤波环节。此外，LTC6802 还具有MOSFET 驱动输出能力，该驱动输出端内置了10k 的上拉电阻，可用于驱动外部MOSFET. 对于串联电池组中的单体n 而言，其对应的电压采集电路
2018-09-26 15:50:31
恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOSFET在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOSFET型号和设计合适的驱动电路。 电路结构及应用特点 电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路的简化模型如图1
2018-09-30 16:14:38
适用于大功率电池组的电池管理架构
2019-09-16 11:10:05
，运行时间更长，更加令人兴奋的电子设备将大量涌现。由于应用开始向着使用多节电池组的方向发展，设计人员将在克服电池电压瞬态效应和变化的同时，面临着将较高电压转换为紧凑电子电路可用电压的问题。 这些示例包括
2018-10-10 16:46:16
通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。例如，N沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关，特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离
2021-04-09 09:20:10
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 15:37:14
回收 新能源汽车底盘电池回收价 新能源汽车回收公司新能源电池回收 正规电池回收公司电池组回收动力电池组回收新能源电池组回收软包电池组回收，18650电池组回收圆柱电池组回收铝壳电池组回收汽车电池组回收
2021-08-25 14:06:23
` NCE2302采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。本设备适用于电池保护或其他开关应用。产品型号：NCE2302 产品种类：MOSFET 产品特性
2021-07-21 17:13:14
串联叠置组成。一个典型的电池组大约有96个电池，充电到4.2V的锂离子电池而言，这样的电池组可产生超过400V的总电压。尽管汽车电源系统将电池组看作单个高压电池，每次都对整个电池组进行充电和放电，但电池
2019-05-13 14:11:40
本标准规定了移动电话用锂离子蓄电池及蓄电池组的术语和定义、要求、试验方法、质量评定及标志、包装、运输和储存。 本标准适用于移动电话用锂离子蓄电池（以下简称电池）及蓄电池组（以下简称电池组）。其他移动通信终端产品用锂离子电池及电池组可参照执行。
2018-09-30 15:52:48
1、数据计算 在进行组装48V锂电池组之前，需要先根据需要锂电池组的产品尺寸及所需的负载容量等进行计算，然后根据产品所需的容量计算出所需要进行组装的锂电池组的容量，然后根据计算结果去挑选锂电池
2020-12-24 17:19:34
负电压会变为零。该电压称为夹断电压(pinch-off voltage)。N沟道耗尽型MOSFET也适用于正电压，所以当我们在栅极端子施加正电压时，电子将被吸引到N沟道，因此该通道内的电子数将增加。所以
2022-09-13 08:00:00
概述VPS8701B 是一款适用于全桥拓扑结构的 DCDC 隔离型开关电源集成控制器，桥式驱动方式的变压器绕组少，成本低。满足6V~30V 的应用，兼容性强。电流过大时钳位限制功率管电流，既保证了
2023-03-21 15:24:12
。Xb8886A含有高级电源MOSFET，高精度电压检测电路和延迟电路。Xb8886A被放入SOp8-PP中程序包且只有一个外部组件使其成为理想的解决方案电池组空间有限。Xb8886A具有所有的保护功能在电池
2021-11-06 15:37:34
BAT+和BAT-两端，放电电流流经电池组负极BAT-、充电控制开关器件、放电控制开关器件、电池组中单节锂电池N~1和电池组正极BAT+,电流流向如图4所示。系统中控制电路部分单节锂电池保护芯片的放电欠
2018-09-28 16:20:34
，一个好的保护解决方案能够有益于你的系统运行。在本系列的第2部分，我将深入地谈一谈监视器和电量计，以及它们在电池组中所发挥的作用。
2018-09-05 15:24:00
30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
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2010-04-12 10:23:161107 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开
2010-09-20 08:59:091077 了适用于头灯控制开关等车载小型设备的N沟道30V MOSFET器件——SSM6K809R，该器件通过东芝新型工艺技术设计把设备功耗深度压缩。
2022-08-26 11:01:07794 适用于小型应用的强大 USB Type-C™保护
2022-11-01 08:27:261 设计适用于2S电池组的电池电量计
2022-11-03 08:04:342 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22320 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10460 Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
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