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电子发烧友网>新品快讯>IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC

IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC

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即可达到优异的恒压特性。 H6216L 是一款高耐压降压恒压芯片,具有 100V 耐压、3A 输出电流等特性,可应用于以下场景: 高压 LED 照明驱动:适用于工业照明,如工厂、仓库高棚灯,也可用
2025-07-23 11:36:01

SLMi350DB-DG 40V4A/7A 强劲驱动,光耦兼容的高性能隔离驱动

规避了传统光耦LED老化导致的性能衰退问题,提供卓越的长期可靠性和稳定性。 宽压工作与鲁棒设计: 驱动器输出电源电压范围14V 至 40V,兼容广泛的栅极驱动需求。 具备30V 输入反向耐压能力
2025-07-11 09:51:26

H6253K高压DCDC降压恒压IC芯片 支持24V36V48V60V150V低待机功耗

H6253K 惠海半导体推出的一款高压 DCDC 降压恒压 IC耐压与电流输出:内置 150V 耐压 MOS,支持输入高达 120V,可向负载提供 3A 的连续电流,瞬间电流可达 5A。 输出
2025-06-28 10:06:32

KP85302SGA 650V集成自举二极管的半桥栅极驱动器核心设计

600V/0.5A快恢复二极管 省去外部器件,BOM成本降低15% 负压导致栅极击穿 VS端耐受-7V瞬态电压 电机堵转时保护栅氧层完整性 地弹引起误触发 施密特触发+ -5V逻辑容限 在焊接设备等强EMI
2025-06-25 08:34:07

半桥栅极驱动芯片 D2104M使用手册

一、 概述:        D2104M是一款高压、大电流的PWM半桥栅极驱动芯片,只需要8~20V的低测供电,HO/LO端即可输出0.4的源电流/0.6A的灌电流,驱动功率MOSFET或IGBT
2025-06-11 10:16:11908

矽塔栅极驱动IC原厂代理供应

栅极驱动IC 矽塔的栅极驱动解决方案具有全系统化、性能高效稳定的产品特点,同时可为客户有效降低方案成本, 可用于60-900V 双NMOS栅极驱动,P+N MOS驱动和单NMOS驱动。我矽塔的栅极
2025-06-07 11:26:34

BM6GD11BFJ-LB罗姆首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动IC开始量产

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件
2025-06-04 14:11:4646768

矽塔栅极驱动IC原厂代理供应

栅极驱动IC 矽塔的栅极驱动解决方案具有全系统化、性能高效稳定的产品特点,同时可为客户有效降低方案成本, 可用于60-900V 双NMOS栅极驱动,P+N MOS驱动和单NMOS驱动。我矽塔的栅极
2025-05-30 15:20:34

SL3061 DCDC40V耐压输入 输出可调 2.5A电流降压恒压喇叭供电IC

,以其卓越的性能和稳定性,成为车载音响、工业设备、电动车等领域喇叭供电的理想选择。其40V 耐压输入可轻松应对汽车系统中常见的电压波动(如 12V/24V 电池电压、冷启动时的瞬时高压),而2.5A
2025-05-28 17:16:59

BDR6307B 600V高压半桥驱动芯片中文手册

       BDR6307B是一款耐压600V的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N型 MOS 半桥
2025-05-27 17:21:031

新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A栅极驱动IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具
2025-05-21 17:07:11601

HPD2606X 600V半桥栅极驱动器技术手册:高压高速MOSFET和IGBT驱动设计

内容概要:HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器,采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门
2025-05-19 11:33:300

新品 | CIPOS™ Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP™ IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等级中提供15A、20A和30A三个型号,额定功率高达
2025-04-01 17:34:231257

新品上市,华普微推出600V半桥驱动器HPD2606X

HPD2606X拥有配合自举电路操作的浮动通道设计,可稳定驱动高压侧的功率器件。HPD2606X能耐受负向瞬态电压,抗dV/dt干扰。HPD2606X支持10V~20V栅极驱动电压,具备欠压锁定功能,可兼容3.3V、5V、15V逻辑电平。
2025-03-26 11:33:37828

极海36V三相电机专用栅极驱动器GHD3125R,专注提升系统性能与可靠性

手持设备、小功率水泵、落地扇、低压吊扇、空气净化器、循环泵、电动工具等直流无刷电机应用。 GHD3125R是一款用于驱动 P/N MOS功率管的36V三相栅极驱动IC ,支持宽范围工作电压 5.5V~30V  ,提供 3.3V/5V逻辑输入兼容 ,实现与不同逻辑电平电路工作。 新产
2025-03-25 11:36:331207

新品 | EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A栅极驱动IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具
2025-03-18 17:04:16877

芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113

芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113 一 概述PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压
2025-03-18 10:43:17

东芝推出全新栅极驱动IC TB9103FTG

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”,其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机[2]和锁定电机[3],以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。
2025-03-13 18:06:111097

600mA_36V耐压单节锂电池充电芯片带OVP保护

描述:PC1011是一款单节锂电池恒流/恒压线性充电器,采用SOT23-5封装以及简单的外部应用电路,适合便携式设备应用。PC1011输入电压最高可以耐压 36V, 集成了6.5V 过压保护功能
2025-03-13 15:02:26

微源半导体推出650V半桥栅极驱动芯片LPD2106

LPD2106是一款高耐压的半桥栅极驱动芯片,具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力,专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的半桥。LPD2106集成了输入逻辑信号处理电路,支持3.3V~15V
2025-03-08 10:11:281248

GNE1040TB栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT数据手册

GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaNHEMT。该产品属于EcoGaN™系列,该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能,助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB
2025-03-07 15:19:09977

纯净电力,稳定运行——600V变380V隔离变压器,半导体设备的最佳选择!

在工业生产和半导体设备运行中,电网中的杂质和谐波问题常常导致设备运行不稳定,甚至引发安全隐患。为了解决这一问题,卓尔凡电力科技有限公司推出600V变380V加拿大三相隔离变压器,为您的设备提供高效
2025-03-05 08:58:06577

加拿大设备电压不匹配?600V变380V隔离变压器来助力!

卓尔凡电力科技变压器,当进口的加拿大380V半导体设备在国内600V电网环境下运行时,电压不匹配问题常常导致设备无法正常工作,甚至可能损坏设备。为解决这一难题,卓尔凡电力科技有限公司推出了600V
2025-03-05 08:50:52547

600V变380V变压器:CSA认证,卓尔凡开启工业设备出口新时代!

## 600V变380V变压器:CSA认证,开启工业设备出口新时代! 在全球化背景下,工业设备的出口已成为企业拓展国际市场的重要途径。然而,不同国家的电压标准差异一直是制约设备出口的关键因素之一
2025-03-03 15:30:41698

外贸热销!卓尔凡 600V变380V变压器:无零线设计,开启安全电力新时代!

在工业电力系统中,变压器的安全性和可靠性一直是核心关注点。随着工业设备的国际化需求增加,电压转换设备的性能和安全性显得尤为重要。卓尔凡电源推出的600V变380V无零线变压器,凭借其创新的无零线
2025-03-03 15:25:48674

600V变380V变压器:如何助力工业设备走向全球市场?

在全球化背景下,工业设备的国际化适配成为企业拓展海外市场的重要挑战之一。尤其是在电力系统标准差异显著的地区,如北美、欧洲和亚洲,电压不匹配问题常常阻碍设备的顺利出口。600V变380V变压器凭借其
2025-03-03 15:23:03628

产品概述#UCC27714 4A、600V 半桥栅极驱动

UCC27714 是一款 600V 高侧、低侧栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 4A 灌电流能力,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。该器件由一个以地为参考的通道 (LO) 和一个浮动通道
2025-02-26 10:52:531307

技术资料#LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 30mΩ GaN FET

150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调
2025-02-25 14:07:161148

技术资料#LMG3425R050 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET

该LMG3425R050集成了硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合,可在硬
2025-02-25 13:38:011017

技术文档#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和零电压检测

LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 10:12:19968

技术资料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 09:55:24940

CSA材料认证标准600V变380V 600V变480V变压器 卓尔凡

600V 变 380V 以及 600V 变 480V 的变压器,凭借卓越性能与可靠品质,成为众多行业的理想选择。 CSA 认证:品质与安全的坚实背书 CSA,即加拿大标准协会认证,在加拿大电气设备市场拥有至高权威性。对于变压器而言,获得 CSA 认证绝非易事。从设计
2025-02-21 14:56:40797

600V高压半桥驱动芯片BDR6307B

BDR6307B 是一款耐压 600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N 型 MOS 半桥。 BDR6307B 的逻辑
2025-02-20 10:22:03

EG2126屹晶微600V两路半桥驱动无刷电机驱动器芯片

滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。EG2126 高端的工作电压可达 600V,低端 VDD 的电源电压范围宽 3V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输
2025-02-19 08:54:50

SL4115耐压40V输出2A电流 优势替代PT4115 LED驱动IC

感应的高亮度LED驱动控制器,设计用于高效驱动由高于LED正向导通电压的电源供电的单个或多个串联LED。它的特点如下:电压范围:输入电压通常为5V到40V,这意味着它并不直接支持80V耐压。输出电流
2025-01-15 17:41:53

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