IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过，上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI，而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。
图1：DGD0216 的栅极驱动组件
上图展示的是来自Diodes的DGD0216栅极驱动器组件。通过仔细选择RG和RRG，可以有选择地控制IGBT栅极驱动器的上升和下降时间。开启时，所有电流将通过RG流过IC，并对IGBT栅极电容充电，因此增加或减少RG将相应地增加或减少应用中的上升时间。随着DRG的添加，下降时间可以独立控制，因为关断电流从IGBT栅极电容通过RRG和DRG流向集成电路中的驱动器到GND。因此，增加或减少RRG将相应地增加或减少下降时间。有时不需要这种精细控制，在这种情况下，您可以只使用RG。
增加导通和关断可以限制由寄生电感引起的振铃和噪声，因此在噪声环境中，可能需要增加栅极电阻。栅极元件的选择是一个折衷方案，即一方面，上升时间越快，振铃越多，电磁干扰越差，但效率越高；而另一方面，上升时间越慢，电磁干扰和噪声性能越好，而效率越差。
栅极元件的精确值取决于应用程序的参数和系统要求。RG值通常在5Ω到50Ω之间，最佳值由IGBT栅极电容和栅极驱动器的驱动电流决定。RRG值通常在3Ω和20Ω之间，最佳值由IGBT栅极电容和栅极驱动器的驱动电流决定。
本文转载自： 得捷电子DigiKey微信公众号
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1237文章
3519浏览量
243483 -
栅极驱动
+关注
关注
7文章
163浏览量
22951
发布评论请先 登录
相关推荐
IGBT栅极驱动关键注意事项
为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。
发表于 04-09 14:53
•131次阅读
意法半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动器
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
栅极驱动DC/DC系列产品扩展
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅
隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器
发表于 12-18 09:39
•193次阅读
栅极驱动器原理：揭示电子器件中的关键组件
在当今的数字时代，电子元件是塑造我们生活的无数技术奇迹的支柱。从智能手机到电动汽车以及介于两者之间的所有产品，电子元件都发挥着至关重要的作用。称为栅极驱动器的
聊一下IGBT驱动中的参考电位问题
大家好，今天聊一下IGBT驱动中的**参考电位**问题。我们都知道IGBT的驱动参考电平都是基于 **器件自身的发射极** ，当栅极相对于发
为什么需要栅极驱动器，栅极驱动器的关键参数
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。
干货码住丨深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
点击蓝字 关注我们 IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动
为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极
发表于 06-16 06:04
满足当今电源需求的全系列栅极驱动电源产品
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体
发表于 06-08 14:03
•387次阅读
工商网监
评论