等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。
2018-01-05 09:14:13
27575 
RCC电路原理与设计及问题解析
RCC电路，单端反激式的一种，结构简单，主要应用在1~200W，首先变压器设计最为重要，RCC电路结构主要包括： 1.
2009-12-14 10:31:0524103 英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器，从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 06:17:002391 
等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。
2022-08-23 09:27:541525 MOSFET作为栅极电压控制器件，栅源极驱动电压的振荡会极大的影响器件和电源转换器的可靠性，实际应用中严重的栅极振荡还可能会引起器件或电路异常失效。
2023-01-06 13:39:543276 
首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。
2023-05-04 09:43:01735 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:52:08748 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。 图 1.1 所示为双极晶体管。要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。
2023-06-25 12:24:00556 
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET栅极驱动器LTC44411资料下载内容包括：LTC4441-1功能和特点LTC4441-1引脚功能LTC4441-1内部方框图LTC4441-1典型应用电路LTC4441-1电气参数
2021-03-24 07:13:00
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用？为何漏极48V导通后栅极就变成63V了？
2015-07-30 14:49:53
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05:27
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
什么样的现象。绿色曲线表示高边SiC-MOSFET的栅极电压VgsH，红色曲线表示低边的栅极电压VgsL，蓝色曲线表示Vds。这三个波形都存在振铃或振荡现象，都不容乐观。比如一旦在低边必须关断的时间点
2018-11-30 11:31:17
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
本文从MOSFET技术和开关运行概述入手，按照由易而难的顺序，对各类问题进行了阐述。详细介绍了解接地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案。
2019-05-22 07:00:00
了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2019-02-21 06:30:00
和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流ID由外部电路提供，VDS设定为最大
2017-01-13 15:14:07
[size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET做开关管，TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路，请问怎么驱动MOSFET，，，加在栅极上的电压好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要能够提供负电压的特殊栅极驱动器碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要特殊的栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2017-01-09 18:00:06
摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据
2018-08-27 16:00:08
MOSFET的漏极连接)CP电荷泵振荡器输出VBOOT驱动两个桥的四个上桥臂MOSFET所需要的自举电压VSREG内部VCC稳压器电源电压VCC下桥臂MOSFET栅极驱动电源电压VCCREG内部VREG稳压器电源电压VREG逻辑电源电
2021-12-31 06:01:06
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39:53
`<font face="Verdana">高速MOSFET栅极驱动电路设计和应用指南<br/>&
2009-03-27 16:08:33
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
摘要：介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的，从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 摘要：IR2117是美国IR公司专为驱动单个MoSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制，同时剖析了它的内部结构和工作原理，最后给出了
2010-05-05 09:03:4656 典型栅极驱动电路框图
2008-11-05 23:14:23906 
基本栅极陷流测试振荡器电路图
2009-03-29 09:31:51420 
功率MOSFET的隔离式栅极驱动电路
2009-04-02 23:36:182182 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 用电阻噪声确定一个低噪声放大器的特性，由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET 通用方波电路[8]，它是构成逻辑门电路的基本单元
2011-09-30 11:08:121469 
高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析，栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路，该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 ADP3110A是一个单相12V MOSFET栅极驱动器，它被优化成在同步降压转换器中同时驱动高_侧和低_侧功率MOSFET的栅极。高_侧和低_侧驱动器能够以25ns的传播延迟和30ns的过渡时间驱动3000pF负载。
2018-08-27 10:44:0078 MOSFET栅极驱动的振荡现象
2019-04-18 06:16:0024537 
1.MOSFET的开关过程 MOSFET的开通过程 MOSFET的关断过程 2.栅极驱动电路的类型 直接耦合型 脉冲变压器耦合型 电容耦合型 用于双管正激的驱动电路 用于桥式变换器的驱动电路 直接
2019-07-16 08:46:079208 
主要部件选型：MOSFET栅极驱动调整电路
2019-07-02 15:06:293454 MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驱动电路必须具备两种功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:0019390 
不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值，从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0024 来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 为解决功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题，从MOSFET的模型入手，给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型．深入分析了栅极振荡的产生机理，推导了各参数与振荡之间的关系
2021-05-10 10:05:3877 LTC4441：N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 带MOSFET栅极驱动器的LTC3803LTC4441演示电路升压转换器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 (与上桥臂MOSFET的漏极连接)CP电荷泵振荡器输出VBOOT驱动两个桥的四个上桥臂MOSFET所需要的自举电压VSREG内部VCC稳压器电源电压VCC下桥臂MOSFET栅极驱动电源电压VCCREG内部VREG稳压器电源电压VREG逻辑电源电
2022-01-10 15:32:411 《电路考研精要与典型题解析》陈燕主编
2022-01-14 15:33:400 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”，这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压，并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
2022-02-12 09:18:511289 《信号与系统 第3版》习题解析
2022-03-21 15:06:190 LN8362 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
2022-06-23 14:20:2611814 
MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要技术参数和应用
技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 强鲁棒性低侧栅极驱动电路设计指南
2022-10-28 11:59:551 本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335 在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管，可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但要注意，齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。
2023-01-02 06:54:00771 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121151 
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
2023-02-08 13:43:23491 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 栅极驱动路径中的交流耦合可为栅极驱动信号提供简单的电平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的开通和关断栅极电压，而高侧栅极
驱动则不同，它最需要关注的是缩小较大的电势差。在如 图31 所示
2023-02-23 15:31:242 高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地，无论是
2023-02-23 15:35:241 1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制器的栅极驱动输出，如图（1）如 图 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接地环路迹线
2023-02-24 10:45:172 在 MOSFET 中设计以实现安全可靠的栅极驱动操作-AN90001
2023-03-01 18:38:548 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391005 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54:02518 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
2023-12-07 15:52:38185 
7种MOSFET栅极电路的常见作用，不看不知道！
2023-12-15 09:46:07255 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571
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