资料介绍
DGD2101 是一款广受欢迎的高压栅极驱动器 IC,适用于电机驱动应用。此设计说明讨论如何在具有特殊要求的某些电路中使用 DGD2101。标准 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器设计为工作在 10-15V 的标称驱动电压范围。因此,这些栅极驱动器中的大多数都具有大约 8-9V 的欠压锁定 (UVLO) 功能。高边和低边。DGD2101是为数不多的在高端没有UVLO的栅极驱动器之一。因此,IC可以理论上,可在设定的VBS电压低至0V时工作。但是,这是不可能的,因为所有设备IC内部具有工作阈值电压(Vth)。对于 DGD2101,其内部 MOSFET 的 V 为~2.5V;因此,一旦VBS电源降至该值以下,输入输入信号就不再受到控制,并且可能使 HO 处于未定义状态,如图 1 所示。如果外部驱动 MOSFET 栅极未完全放电此时,它可能会以操作不当告终,并在下一个循环中导致同一条腿的击穿迫使LO和HO同时打开。


图 1:VBS 降至 ~2.5V 后,外部场效应管VGS保持高电平;VGS @ 5V/格


图 2:随着自举电容的增加,VBS每个周期保持在2.5V以上,并且输出已完成。外部场效应管 VGS按预期切换低电平和高电平。VGS @ 5V/格
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