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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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从6寸把它发展到8寸,这样在衬底上做出来的器件,就可以降低单个器件的衬底所占的成本,这是一个国际上发展的趋势。
碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片,这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂,石油焦,锯末等原材料而制造的。
由于衬底和外延和芯片的技术发展相关性不是特别大,所以我单独把这两个流程拿出来和大家分享,接下来的芯片技术发展比如MOSFET的平面结构或者沟槽结构都是直...
设计多电飞机(MEA)的飞机制造商希望将飞行控制系统从液压转换为电动,以减轻重量和设计复杂性。
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率...
SA111采用碳化硅(SiC)技术和领先的封装设计,突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。
二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。
碳化硅(SiC) 是第三代半导体,相较于前两代半导体(一代硅,二代砷化钾)碳化硅在使用极限性能,上优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的...
SOI独特的“Si/绝缘层/Si”三层结构,带来了诸多优势:首先,“绝缘埋层”实现了器件功能有源部分和衬底的全介质隔离,减小了寄生电容,开关频率得以提高。
相比IGBT芯片面积减少了50% ,取消了IGBT使用的反并联二极管。 逆变器效率主要与功率器件的导通损耗和开关损耗相关,而SiC逆 变器在这两点均...
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合...
碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅件研发和封装测试四个部分,分别占市场总成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM为主要...
纯SiC晶体是通过Lely升华技术生长的。晶体主要是6H-SiC,但包括其它多型体。1978年,Tairov和Tsvetkov发明了一种可复制的SiC晶...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单...
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