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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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使用隔离式栅极驱动器和DC-DC转换器驱动1200 V SiC电源模块

电动汽车、可再生能源和储能系统等电力开发的成功取决于电力转换方案的有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件以及用于打开和关闭这些半导体的策略，这...

2023-02-22 标签：转换器驱动器 SiC 2.7k 0

碳化硅（SiC）在汽车电子中的应用

热设计在电力电子系统中起着决定性的作用，以便设计高功率密度，从而设计紧凑的系统。

2023-02-22 标签：电动汽车 SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC-SBD和SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推...

2023-02-22 标签：二极管晶体管 SiC 1.3k 0

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND...

2023-02-22 标签：二极管元器件 SiC 524 0

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且...

2023-02-22 标签：二极管半导体 SiC 1.1k 0

SiC-SBD特征以及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。

2023-02-22 标签：二极管元器件 SiC 1.8k 0

SiC功率元器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件...

2023-02-22 标签：转换器元器件 SiC 1k 0

何谓碳化硅

表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 标签：半导体 SiC 功率元器件 3.7k 0

介绍SiC肖特基二级管在充电机AC-DC和DC-DC电路中的应用

车载充电机是电动汽车内部的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成电动汽车的充电过程。

2023-02-21 标签：PFC SiC LLC 968 0

SiC器件的优缺点！

在逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体系统成本等优势。

2023-02-21 标签：逆变器 IGBT SiC 4.7k 0

用更多选择回应积极的反馈

为了提供这种灵活性，UnitedSiC 提供了额外的第 4 代 750V SiC FET，导通电阻为 23、33 和 44 毫欧，以及 6、9 和 11...

2023-02-21 标签：FET SiC 计算器 452 0

最大限度降低SiC FET的EMI的开关损耗

对高效率、高功率密度和系统简单性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速开关速度、低 R 而成为电源工程师的有吸引力的选择DS（开启）和高压额定值。

2023-02-21 标签：MOSFET emi SiC 1.4k 0

SiC FET导通电阻随温度变化

比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗...

2023-02-21 标签：转换器 MOSFET SiC 2.1k 0

UnitedSiC FET射流计算机消除SiC FET选择中的猜忌

电源设计工具在不断改进，仿真越来越能够在调节、效率和由此产生的损耗方面输出准确的波形和性能。不过有一个小问题：模拟器只能使用你告诉它的内容——软件很聪明...

2023-02-21 标签：转换器 DC-DC SiC 504 0

碳化硅在高温下能与氧发生反应吗？

　碳化硅的应用主要在于它的半导体性能与力学性能两个方面。高温下与氧反应。

2023-02-20 标签：半导体 SiC 碳化硅 4.2k 0

分立SIC器件在电驱系统中的应用

更高的效率，省电池，省电费碳化硅控制器具有更高的能量转换效率，在不同的应用工况下可使能耗降低3%~6% -同样的电池容量，增加续航里程 -同样的...

2023-02-20 标签：控制器 SiC 碳化硅 492 0

更多SiC FET选项意味着经济高效的解决方案具有更大的灵活性

生活中的一切都是平衡行为，这可能会使决定变得困难。如果涉及金钱，它会带来另一个维度——如果我购买电动汽车，额外的成本会得到回报吗？在什么时间？减少二氧化...

2023-02-20 标签：转换器充电器 SiC 455 0

使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容

本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。

2023-02-19 标签：SiC GaN 功率半导体器件 1.5k 0

碳化硅跟石墨怎样分辨？哪个比较好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

2023-02-17 标签：SiC 电阻炉碳化硅 7.8k 0

中国SiC碳化硅器件行业技术情况研究报告

公司在IGBT的技术基础上不断发展以SiC和主的宽禁带功率半导体器件关键技术。斯达作为国内车规级SiC模块的重要供应商，车规级SiC模块已获得了国内外多...

2023-02-17 标签：SiC 碳化硅 446 0

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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Navitas 成立于 2014 年，开发的超高效氮化镓（GaN）半导体在效率、性能、尺寸、成本和可持续性方面正在彻底改变电力电子领域。Navitas 这个名字来源于拉丁语中的能源，它不仅体现了我们对开发技术以改善和更可持续的能源使用的关注，还体现了我们到 2026 年为估计 13B 美元的功率半导体市场带来的能源。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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