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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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BD9S系列: 配置Power Good功能的车载ADAS用超小型降压DC/DC转换器（2）

ROHM最近面向ADAS（高级驾驶辅助系统）的传感器、摄像头及雷达等要求小型化、节能化和高可靠性的汽车安全驾驶辅助模块，开发出二次降压DC/DC转换器“...

2023-02-09 标签：转换器 MOSFET SiC 1k 0

高可靠性1700V全SiC功率模块BSM250D17P2E004介绍

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全...

2023-02-09 标签：MOSFET 功率 SiC 1.3k 0

采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFE...

2023-02-09 标签：MOSFET 封装栅极 3.3k 0

SiC MOSFET栅-源电压测量：探头头部的安装位置

关键要点・除了测量位置之外，探头的安装位置也很重要。・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内，就会受到磁通量变化的影响，而体现在观测波形上。

2023-02-09 标签：电流 MOSFET 探头 793 0

SiC MOSFET栅-源电压测量位置的选择

本文的关键要点・在某些位置测量波形时，观测到的波形可能与实际波形不同。・理想的做法是测量位置要应尽可能地靠近DUT，最好在引脚根部。

2023-02-09 标签：MOSFET 电压 SiC 820 0

SiC MOSFET栅-源电压测量：探头的连接方法

本文的关键要点・探头的连接方法会给波形测量结果带来很大影响。・如果延长线较长，在栅极引脚和源极引脚与测量夹具之间形成的环路会导致观察到的波形与真正的波形...

2023-02-09 标签：MOSFET 探头 SiC 1.2k 0

SiC MOSFET栅-源电压测量方法

本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时，观察到的波形会发生明显变化。・受测量时所装的延长电缆的影响，观察...

2023-02-09 标签：MOSFET SiC 电压测量 1.4k 0

低边SiC MOSFET关断时的行为

通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚...

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器 SiC 969 0

低边SiC MOSFET导通时的行为

本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC M...

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器 SiC 916 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路的电路板布局注意事项

关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极...

2023-02-09 标签：MOSFET 电路板 SiC 1.6k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-负电压浪涌对策

本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误...

2023-02-09 标签：MOSFET 负电压 SiC 1.8k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-正电压浪涌对策

本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则...

2023-02-09 标签：MOSFET 栅极 SiC 1.9k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。

2023-02-09 标签：MOSFET SiC 浪涌 1.7k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-什么是栅极-源极电压产生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。

2023-02-08 标签：MOSFET IGBT 源极 892 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低边开关关断时的栅极-源极间电压的动作

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示L...

2023-02-08 标签：MOSFET 栅极 SiC 1.1k 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOS...

2023-02-08 标签：MOSFET 栅极 SiC 1.1k 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-桥式电路的开关产生的电流和电压

在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。

2023-02-08 标签：MOSFET 驱动电路 SiC 761 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作

本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。

2023-02-08 标签：MOSFET 栅极驱动电路 1.3k 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极源极间电压的动作-SiC MOSFET的桥式结构

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。

2023-02-08 标签：MOSFET 栅极 SiC 942 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言

从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电...

2023-02-08 标签：MOSFET IGBT SiC 820 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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