SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。
2022-07-29 08:07:04
489 
谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06:233813 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如导通电阻，漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41
研究开发法人科学技术振兴机构合作开发，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。・超高压脉冲电源特征・超高耐压伪N通道SiC MOSFET・低导通电阻（以往产品的1
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
电子世界带来革命性的希望。IGBT为我们提供了一个同时能够阻止高电压的晶体管，具有低导通状态（即导通）损耗和良好控制的开关。然而，该装置的切换速度有限，这导致高开关损耗，大而昂贵的热管理以及功率转换系统效率
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
设计得低，开启电压也可以做得低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
误导通的话，将有可能发生在高边－低边间流过直通电流（Flow-through Current）等问题。这种现象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的开关引起的。低边栅极电压升高是由切换到高边导
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
低边和高边电流监测器的架构和应用是什么
2021-03-11 07:39:28
上面原理图是 用51单片机控制mosfet（NPN）开关的单相全波整流电路，整流桥采用的是IN4007二极管。焊接完毕后变压器上电，mosfet始终处于导通状态，无论单片机输出什么信号，即便是把
2019-01-23 11:17:05
MOSFET和逐渐成熟的高压GaN MOSFET，这些器件都有非常广泛的应用，这里不一一举例，而这些常用的应用按驱动划分的话，我觉得可以分为低边驱动和非低边驱动，低边驱动例如PFC中的MOSFET
2016-11-28 13:38:47
的导通电阻大大降低。在25°C至150°C的温度范围内，SiC的变化范围为20％，而Si的变化范围为200％至300％.SiC MOSFET管芯能够在200°C以上的结温下工作。该技术还得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
，SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。此外，可以看到，与150℃时的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓，因而导通电阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
40mR导通电阻Ron的SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48V的测试，属于
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
项目名称：特种电源开发试用计划：在I项目开发中，有一个关键电源，需要在有限空间，实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和导通电阻都有严格要求。随着SIC产品的技术成熟度越来越高，计划把IGBT开关器件换成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。由于这个限制，这样的电路： 当arduino输入为低电平时，将
2018-08-23 10:30:01
、SOURCE引脚的状态，将二极管电桥的整流电压转换为所需的稳定DC电压。通过FB引脚和SOURCE引脚来控制开关SiC MOSFET的ON宽度（关断），通过ZT引脚来控制其OFF宽度（导通）。如欲了解更详细
2022-07-27 11:00:52
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技术规格书中的规格值的比较，Eon为开关导通损耗，Eoff为开关关断损耗、Err为恢复损耗。全SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT，至于Err，由于几乎没有Irr而极其微小。结论是开关损耗
2018-11-27 16:37:30
SiC-MOSFET关断时导通该MOSFET，强制使Vgs接近0V，从而避免栅极电位升高。评估电路中的确认使用评估电路来确认栅极电压升高的抑制效果。下面是栅极驱动电路示例，栅极驱动L为负电压驱动。CN1
2018-11-27 16:41:26
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns，电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
的反向恢复导致连续导通模式（CCM）下的高功率损耗，使其不适用于高功率应用。随后，与SiC肖特基二极管并联的lGBT被认为取代CCM图腾柱PFC和CLLC转换器中的硅MOSFET［8］。遗憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一款低边MOSFET驱动,输入电压12V,电流1A以上，且一颗芯片驱动两个MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
的门槛变得越来越低，价格也在逐步下降，应用领域也在慢慢扭转被海外品牌一统天下的局面。据统计，目前国内多家龙头企业已开始尝试与内资品牌合作。而SiC-MOSFET, 当前国内品牌尚不具备竞争优势。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
测试，并观察波形。在双脉冲测试电路的高边（HS）和低边（LS）安装ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS开关、LS始终OFF（栅极电压=0V）。图1所示的延长电缆已经直接焊接
2022-09-20 08:00:00
MOSFET几乎立即完全导通，而相比之下，IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
非常接近，但是，SiC器件可以提供更低的栅极电荷和更好的热规格。频谱的另一端是IGBT器件。很明显，由于SiC MOSFET的低RDSon，这些器件无疑优于IGBT，更不用说更低的栅极电荷了。 当以
2023-02-24 15:03:59
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的导通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出，上述IC的栅极驱动电压在每种MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24
使用图腾柱无桥PFC升压转换器，以减少二极管数量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET体二极管的反向恢复会导致连续导通模式（CCM）中的高功率损耗，从而使其不适用于高功率应用。随后，与SiC
2019-10-25 10:02:58
，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSFET根据制造工艺可分为平面
2018-11-28 14:28:53
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
不能降低高压MOSFET的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除 导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他
2023-02-27 11:52:38
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
近年来，宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压，来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:532945 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30:421114 SiC MOSFET在开/关切换模式下运行。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，当驱动程序发生故障或设计人员为特定目的对其进行编程时，可能会发生这种情况。
2022-07-25 08:05:24974 
和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
SiC MOSFET 的优势和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:29491 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:102938 
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。
2023-02-27 13:41:58737 
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26:12293 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687
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