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电子发烧友网>模拟技术>采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

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供应LM339电压比较器采用SOP-14封装,提供lm339引脚图及功能关键参数 ,主要应用于消费类和工业类电子产品中,进行电平检波和低电平探测。更多产品手册、应用料资请向深圳骊微电子申请。>>     
2023-06-07 15:49:31

ROHM开发出采用4引脚封装SiC MOSFETSCT3xxx xR系列

 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFETSCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
2019-09-24 14:39:281964

SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装

ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列产品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器
2020-11-25 10:56:0030

安森美推出采用TOLL封装SiC MOSFET

。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近,SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装
2022-05-11 11:29:332312

一文深入了解SiC MOSFET栅-源电压的行为

具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2022-06-08 14:49:532945

桥式结构中低边SiC MOSFET关断时的行为

具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30:421114

低边SiC MOSFET导通时的行为

本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301

低边SiC MOSFET关断时的行为

通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335

采用4引脚封装的原因

ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。
2023-02-16 09:55:04931

车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419

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