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功率器件的材料演进之路

如今，我们已经无法想象没有电的生活了。我们生活的各个方面越来越依赖于电力。而在电力的生产、分发和使用过程中，功率转换起着至关重要的作用。

2023-08-10 标签：半导体功率器件SiC 906 0

高耐压氧化镓功率器件研制进展与思考

以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。

2023-08-09 标签：二极管MOSFET电阻器 1.4k 0

GaN与SiC功率器件的特点 GaN和SiC的技术挑战

　SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为...

2023-08-09 标签：驱动器SiC氮化镓 1.9k 0

为什么不用SiC来做IGBT？未来是否会大规模的使用SiC来做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四个区域组成：N+型集电极、P型漏极、N型沟道和P+型栅极。

2023-08-08 标签：MOSFET驱动电路SiC 1.9k 0

什么是半导体材料？半导体材料的发展之路

半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。

2023-08-07 标签：集成电路半导体材料SiC 5.5k 0

SiC MOSFET的设计和制造

首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。

2023-08-06 标签：芯片MOSFET晶圆 2.9k 0

SiC外延片测试需要哪些分析

对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层...

2023-08-05 标签：测试仪SiC红外光谱 4.5k 0

碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒有哪些？

SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。 主流制造衬底的方式首先以物理气相升...

2023-08-04 标签：SiC碳化硅 1.7k 0

SiC外延片是SiC产业链条的核心环节吗？

碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。

2023-08-03 标签：二极管半导体SiC 832 0

SiC MOSFET栅极驱动电路的优化方案

在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫...

2023-08-03 标签：MOSFET开关电源驱动电路 2.5k 0

800V电驱动系统解读

由于电池仍然是电驱动系统的最主要成本构成，因此以最高效的方式使用电池提供的能量是很重要的，从电能到机械能的转换效率即电驱动系统效率就显得及其重要。

2023-08-01 标签：电动机逆变器驱动系统 2k 0

碳化硅（SiC）芯片设计的一些关键考虑因素

芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。

2023-08-01 标签：MOSFET芯片设计SiC 2.1k 0

高效氮化镓电源设计方案 GaN在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率

氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，...

2023-08-01 标签：电源整流器德州仪器 3.1k 0

PFC拓扑比较：交错式升压拓扑与图腾柱拓扑

电子设备越来越多地接入电网，这增加了电网的失真几率，也使配电网络容易产生问题。为缓解这些问题，电源设计需要先进的功率因数校正 (PFC) 电路来满足严格...

2023-08-02 标签：功率因数PFCSiC 3.6k 0

瞻芯电子比邻驱动系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片介绍

比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。

2023-07-21 标签：MOSFETSiC驱动芯片 9.3k 0