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选择合适的栅极驱动器来解决碳化硅(SiC)的设计挑战

Balogh还指出了其他需要考虑的问题，例如保护功能、欠压锁定、更高频率的工作、更快的开关速度和裸片上的热点，这些都会对功耗、EMI和尺寸产生影响。

2022-08-07 标签：MOSFETSiC栅极驱动器 4.5k 0

SiC外延片测试需要哪些分析

对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层...

2023-08-05 标签：测试仪SiC红外光谱 4.5k 0

基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

摘要：随着储能变流器向大容量、模块化发展，碳化硅（SiC）器件由于其低损耗、耐高温的特性，逐渐成为研究热点。然而SiC器件过高的开关速度使其对电路中杂散...

2024-02-22 标签：MOSFET变换器SiC 4.5k 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

　　在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率...

2023-02-12 标签：MOSFETIGBTPN结 4.4k 0

浅谈高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

高压SiC MOSFET的结构和技术存在着几个重要瓶颈：1）器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加，其他结构（沟道、JFET区等）的存在进一步提高了总导通电阻。

2023-05-04 标签：二极管MOSFET导通电阻 4.4k 0

车载充电机OBC的技术方向与碳化硅应用方案

车载充电机（On-Board Charger，简称为OBC）的基本功能是：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给车载动力电池进行慢...

2022-07-20 标签：SiC碳化硅OBC 4.4k 0

碳化硅外延设备技术研究

与传统半导体材料硅、锗相比，第三代半导体材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、高温稳定性好以及...

2023-12-18 标签：半导体半导体材料SiC 4.4k 0

半导体工艺之气相外延介绍

在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。

2023-05-19 标签：半导体SiC电源系统 4.3k 0

基于SiC或GaN的功率半导体应用设计

工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG...

2021-04-06 标签：电磁干扰SiC氮化镓 4.2k 0

什么是碳化硅功率模块？为什么碳化硅功率模块是某些应用的首选？

如今，功率半导体使用最广泛的材料是硅。硅的生产成本低廉，而且该技术广为人知。

2023-11-25 标签：MOSFETSiC功率半导体 4.2k 0

SiC MOSFET模块的损耗计算

为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不同。相对IGBT，M...

2025-06-18 标签：MOSFETIGBT三菱电机 4.2k 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性

通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输...

2023-02-14 标签：微波SiCHEMT 4.2k 0

SiC外延层的缺陷控制研究

探索SiC外延层的掺杂浓度控制与缺陷控制，揭示其在高性能半导体器件中的关键作用。

2024-01-08 标签：半导体半导体技术SiC 4.2k 0

全方位解析碳化硅：应用广泛的高性能材料！

碳化硅（SiC），又称碳硅石，是当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中应用最广泛、最经济的一种。它以其优异的物理和化学性质，在多个领域展现了不可替代的...

2024-12-30 标签：材料SiC碳化硅 4.2k 0